Personal card
Tsvelikhovskaya Vera Mikhaylovna
Junior researcher (Laboratory of Magnetic Semiconductors) (Department of Technologies and Diagnostics of Nanostructures, The Shared Equipment Center “Testing Center of Nanotechnology and Advanced Materials”)
Scientometric data (as of 15.04.2022):
Web of Science: h-index - 0; Sum of the Times Cited - 0
SCIENCE INDEX: h-index - 4; Sum of the Times Cited - 50
Specialist in the field of photolithography of semiconductor and metallic micro- and nanostructures
Papers
1) Spin Transport in InSb Semiconductors with Different Electron Gas Concentrations [Текст] / N. A. Viglin, Yu. V. Nikulin, V. M. Tsvelikhovskaya, T. N. Pavlov, V. V. Proglyado // Journal Of Experimental And Theoretical Physics. — 2022. — V. 134. — P. 736 (7 pages)
2) Спиновый транспорт в полупроводниках InSb с различной плотностью электронного газа [Текст] / Виглин Н.А., Никулин Ю.В., Цвелиховская В.М., Павлов Т.Н., Проглядо В.В. // Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 2022. — V. 134. — P. 866 (8 pages)
3) Полупроводниковое латеральное спиновое устройство с электродами из полуметаллического ферромагнетика [Текст] / Виглин Н.А., Цвелиховская В.М., Наумов С.В., Шориков А.О., Павлов Т.Н. // Физика твёрдого тела. — 2020. — V. 62. — P. 2055 (6 pages)
Reports
1) N.A.Viglin, Spin-dependent injection phenomena in ferromagnet/semiconductor nanostructures [Текст] / N.A.Viglin, V.M.Tsvelikhovskaya, T.N.Pavlov, V.V.Ustinov // VII Euro-Asian Symp. «Trends in MAGnetism» (EASTMAG-2019), 8-13 сентября, 2019 /
2) V.M.Tsevikhovskaya, Technology features of creating InSb-based spin-valve [Текст] / V.M.Tsevikhovskaya, N.A.Viglin, E.I.Patrakov, I.Y.Kamenskii, I.K.Maksimova // VII Euro-Asian Symp. «Trends in MAGnetism» (EASTMAG-2019), 8-13 сентября, 2019 /
3) N.A. Viglin, Effectiveness of spin injection in lateral spin valves on the base of Co0.9Fe0.1/InSb heterostructure [Текст] / N.A. Viglin, V.V. Ustinov, V.M. Tsvelikhovskaya, T.N. Pavlov // VI Euro-Asian Symp. «Trends in Magnetism» (EASTMAG-2016), 15-19 августа, 2016 / Тез.докл.-Красноярск:ИФ СО РАН