4) Ю.Г.Арапов, Квантовый эффект Холла в условиях смешивания уровней Ландау из-за спин-орбитального взаимодействия в нано-структурах n-In0.9Ga0.1As/In0.81Al0.19As [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), 19-24 февраля, 2018 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН
5) С.В.Гудина, Роль спин-орбитального взаимодействия в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 12-15 марта, 2018 / Труды конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского госун-та
6) Е.В.Ильченко, Влияние спин-орбитального взаимодействия на критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAiAs [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), 17-22 сентября, 2018 / Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования
7) Ю.Г.Арапов, Аномалии квантового эффекта Холла при перекрытии уровней Ландау в структурах n-In0,90Ga0,10As/In0,81Al0,48As с сильным спин-орбитальным взаимодействием [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), 17-22 сентября, 2018 / Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования
8) S.V.Gudina, Large-scale impurity potential in the HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect [Текст] / S.V.Gudina, E.V.Ilchenko, V.N.Neverov, M.R.Popov, S.M.Podgornykh, N.G.Shelushinina, E.G.Novik, M.V.Yakunin, N.N.Mikhailov, S.A.Dvoretsky // 26th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, 18-22 июня, 2018 / Тез. не издавались
9) Ю.Г.Арапов, Квантовые фазовые переходы в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs со спин-вырожденными уровнями Ландау [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», 2-6 октября, 2017 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН
10) Е.В.Ильченко, Эффекты локализации в квантующих магнитных полях в квантовых ямах HgTe [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», 2-6 октября, 2017 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН
11) Е.В. Ильченко, Скейлинг проводимости в условиях смешивания уровней Ландау в структурах n-InGaAs/InAlAs с сильным спин-орбитальным взаимодействием [Текст] / Е.В. Ильченко, С.В. Гудина // XIX Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, 27 ноября – 1 декабря, 2017 / Тез.докл.-Санкт-Петербург:Изд-во Политехнического ун-та
12) Е.В.Ильченко, Ширина полосы делокализованных состояний в режиме квантового эффекта Холла в структурах n-InGaAs/AlInAs со спин-вырожденными уровнями Ландау [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XVIII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-18), 16-23 ноября, 2017 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН
13) С.В.Гудина, Плотность состояний в щели подвижности в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе Hg/Te [Текст] / С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XXI Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 13-16 марта, 2017 / Матер.конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та
14) С.В.Гудина, Анализ активационной проводимости в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе теллурида ртути [Текст] / С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, С.М.Подгорных, М.В.Якунин, E.G.Novik, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XXI Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 13-16 марта, 2017 / Матер.конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та
15) С.В.Гудина, Квантовые фазовые переходы в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs со спин-вырожденными уровнями Ландау [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», 24 мая, 2017 / Сб.трудов-Москва:НИЯУ МИФИ
16) S.V.Gudina, Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure [Текст] / S.V.Gudina, E.V.Ilchenko, V.N.Neverov, E.G.Novik, S.M.Podgornykh, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin, N.N.Mikhailov, S.A.Dvoretsky // 25th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, 26-30 июня, 2017 / Труды конф-St. Petersburg:Acad.Univ.Publ
17) С.В.Гудина, Критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе теллурида ртути [Текст] / С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // Международная конференция «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах», 6-9 сентября, 2017 / Сб. трудов.-Махачкала:Ин-т физики Дагестанского науч.центра РАН
18) С.В.Гудина, Критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структуре HgTe/CdHgTe с двойной квантовой ямой [Текст] / С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», 2-6 октября, 2017 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН
19) С.В.Гудина, Переходы плато-плато квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», 2-6 октября, 2017 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН
20) Е.В. Ильченко, Активационная проводимость в режиме квантового эффекта Холла в квантовой яме HgTe с инвертированной зонной структурой [Текст] / Е.В. Ильченко, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // XVII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-17), 15-22 ноября, 2016 / Тез.докл-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН