Publications

ilchenko Ekaterina Vladimirovna

All years

All publications:

1) С.В.Гудина. Активационная проводимость в режиме квантового эффекта Холла в квантовых ямах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, Е.В.Дерюшкина, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 10-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», Москва, 15-16 мая, ISBN: Труды конф.-Москва:НИЯУ МИФИ.- 11 c.

2) HgTe quantum wells with inverted band structure: Quantum Hall effect and the large-scale impurity potential / S. V. Gudina1, Yu. G. Arapov1, V. N. Neverov1, S. M. Podgornykh1, M. R. Popov1, E. V. Deriushkina1, N. G. Shelushinina1, M. V. Yakunin1, N. N. Mikhailov0, S. A. Dvoretsky0. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2019. — V. 45. — P. 412—418.

3) HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential / S.V. Gudina1, Yu.G. Arapov1, V.N. Neverov1, S.M. Podgornykh1, M.R. Popov1, E.V. Deriushkina0, N.G. Shelushinina1, M.V. Yakunin1, N.N. Mikhailov0, S.A. Dvoretsky0. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2019. — V. 45. — P. 476—483.

4) On the issue of universality of critical exponents in the quantum Hall effect mode / Yu. G. Arapov1, S. V. Gudina1, E. V. Deryushkina1, N. G. Shelushinina1, M. V. Yakunin2. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2019. — V. 45. — P. 181—188.

5) К вопросу об универсальности критических индексов в режиме квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов1, С.В. Гудина1, Е.В. Дерюшкина1, Н.Г. Шелушинина1, М.В. Якунин1. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2019. — V. 45. — P. 210—218.

6) С.В.Гудина, Роль спин-орбитального взаимодействия в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // poster, : XXII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (2018:Нижний Новгород). XXII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 12-15 марта, Труды конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского госун-та-ISBN 978-5-91326-446-6, 59/45,3 усл.печ.л, 507/389 с., 350 экз., 2018. - стр. 576-577

7) S.V.Gudina. Large-scale impurity potential in the HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect [Текст] / S.V.Gudina, E.V.Ilchenko, V.N.Neverov, M.R.Popov, S.M.Podgornykh, N.G.Shelushinina, E.G.Novik, M.V.Yakunin, N.N.Mikhailov, S.A.Dvoretsky // 26th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Minsk, 18-22 июня, ISBN: Тез. не издавались.- 2 c.

8) Ю.Г.Арапов. Аномалии квантового эффекта Холла при перекрытии уровней Ландау в структурах n-In0,90Ga0,10As/In0,81Al0,48As с сильным спин-орбитальным взаимодействием [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), Москва-Ростов-на-Дону-Шепси, 17-22 сентября, ISBN: Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования.- 132 c.

9) Е.В.Ильченко. Влияние спин-орбитального взаимодействия на критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAiAs [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), Москва-Ростов-на-Дону-Шепси, 17-22 сентября, ISBN: Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования.- 94 c.

10) С.В.Гудина. Роль спин-орбитального взаимодействия в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 12-15 марта, ISBN: Труды конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского госун-та.- 576 c.

11) Ю.Г.Арапов. Квантовый эффект Холла в условиях смешивания уровней Ландау из-за спин-орбитального взаимодействия в нано-структурах n-In0.9Ga0.1As/In0.81Al0.19As [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), Екатеринбург-Алапаевск, 19-24 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 78 c.

12) Е.В.Ильченко. Квантовый эффект Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs: роль спин-орбитального взаимодействия [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), Екатеринбург-Алапаевск, 19-24 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 112 c.

13) С.В.Гудина. Крупномасштабный примесный потенциал в квантовых ямах теллурида ртути с инвертированной зонной структурой: квантовый эффект Холла [Текст] / С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, М.Р.Попов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), Екатеринбург-Алапаевск, 19-24 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 88 c.

14) Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs / Гудина С.В.1, Арапов Ю.Г.1, Ильченко Е.В.1, Неверов В.Н.1, Савельев А.П.1, Подгорных С.М.2, Шелушинина Н.Г.1, Якунин М.В.2, Васильевский И.С.0, Виниченко А.Н.0. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2018. — V. 52. — P. 1447—1455.

15) Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures / S. V. Gudina1, Yu. G. Arapov1, E. I. Ilchenko1, V. N. Neverov1, A. P. Savelyev1, S. M. Podgornykh2, N. G. Shelushinina1, M. V. Yakunin2, I. S. Vasil’evskii0, A. N. Vinichenko0. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2018. — V. 52. — P. 1551—1558.

16) Electron Effective Mass and g Factor in Wide HgTe Quantum Wells / S. V. Gudina1, V. N. Neverov1, E. V. Ilchenko1, A. S. Bogolubskii1, G. I. Harus1, N. G. Shelushinina1, S. M. Podgornykh1, M. V. Yakunin1, N. N. Mikhailov1, S. A. Dvoretsky1. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2018. — V. 52. — P. 12—18.

17) Эффективная масса и g-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути / С.В. Гудина1, В.Н. Неверов1, Е.В. Ильченко1, А.С. Боголюбский1, Г.И. Харус1, Н.Г. Шелушинина1, С.М. Подгорных2, М.В. Якунин2, Н.Н. Михайлов0, С.А. Дворецкий0. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2018. — V. 52. — P. 16—22.

18) Е.В. Ильченко. Скейлинг проводимости в условиях смешивания уровней Ландау в структурах n-InGaAs/InAlAs с сильным спин-орбитальным взаимодействием [Текст] / Е.В. Ильченко, С.В. Гудина // XIX Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 27 ноября – 1 декабря, ISBN: Тез.докл.-Санкт-Петербург:Изд-во Политехнического ун-та.- 46 c.

19) Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure / S. V. Gudina1, V. N. Neverov1, E. G. Novik1, E. V. Ilchenko1, G. I. Harus1, N. G. Shelushinina1, S. M. Podgornykh1, M. V.Yakunin1, N. N. Mikhailov1, S. A. Dvoretsky1. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2017. — V. 43. — P. 485—490.

20) С.В.Гудина, Критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе теллурида ртути [Текст] / С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // , : «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах» (2017: Махачкала).Международная конференция «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах»,6-9 сентября 2017,Сб. трудов.[Текст]-Махачкала:Ин-т физики Дагестанского науч.центра РАН,-тираж 300 экз.-493 с.-ISBN 978-5-9500577-2-4., 2017. - стр. 143-144

21) S.V.Gudina, Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure [Текст] / S.V.Gudina, E.V.Ilchenko, V.N.Neverov, E.G.Novik, S.M.Podgornykh, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin, N.N.Mikhailov, S.A.Dvoretsky // , : Nanostructures: Physics and Technology(2017:St. Petersburg).25th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», 26-30 июня 2017, Труды конф[Текст]-St. Petersburg:Acad.Univ.Publ,-175 экз.-ISBN 978-5-7422-5779-0, 2017. - стр. 95-96

22) С.В.Гудина, Квантовые фазовые переходы в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs со спин-вырожденными уровнями Ландау [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // , : «Мокеровские чтения»(2017: Москва).8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», 24 мая 2017, Сб.трудов[Текст]-Москва:НИЯУ МИФИ, 2017. - стр. 14-16

23) С.В.Гудина, Анализ активационной проводимости в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе теллурида ртути [Текст] / С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, С.М.Подгорных, М.В.Якунин, E.G.Novik, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // , : «Нанофизика и наноэлектроника»(2017:Нижний Новгород).XXI Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 13-16 марта 2017, Матер.конф.[Текст]-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та 2017-250 экз.-в 2-х тт.-ISBN 978-5-91326-371-10, 2017. - стр. 571-572

24) С.В.Гудина, Плотность состояний в щели подвижности в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе Hg/Te [Текст] / С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // , : «Нанофизика и наноэлектроника»(2017:Нижний Новгород).XXI Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 13-16 марта 2017, Матер.конф.[Текст]-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та 2017-250 экз.-в 2-х тт.-ISBN 978-5-91326-371-9, 2017. - стр. 569-570

25) Е.В.Ильченко. Ширина полосы делокализованных состояний в режиме квантового эффекта Холла в структурах n-InGaAs/AlInAs со спин-вырожденными уровнями Ландау [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XVIII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-18), Екатеринбург, 16-23 ноября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 95 c.

26) Е.В.Ильченко. Эффекты локализации в квантующих магнитных полях в квантовых ямах HgTe [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург, 2-6 октября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 185 c.

27) Ю.Г.Арапов. Квантовые фазовые переходы в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs со спин-вырожденными уровнями Ландау [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург, 2-6 октября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 165 c.

28) С.В.Гудина. Переходы плато-плато квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург, 2-6 октября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 209 c.

29) С.В.Гудина. Критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структуре HgTe/CdHgTe с двойной квантовой ямой [Текст] / С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург, 2-6 октября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 174 c.

30) С.В.Гудина. Критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе теллурида ртути [Текст] / С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // Международная конференция «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах», Махачкала, 6-9 сентября, ISBN: Сб. трудов.-Махачкала:Ин-т физики Дагестанского науч.центра РАН.- 143 c.

31) S.V.Gudina. Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure [Текст] / S.V.Gudina, E.V.Ilchenko, V.N.Neverov, E.G.Novik, S.M.Podgornykh, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin, N.N.Mikhailov, S.A.Dvoretsky // 25th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, 26-30 июня, ISBN: Труды конф-St. Petersburg:Acad.Univ.Publ.- 95 c.

32) С.В.Гудина. Квантовые фазовые переходы в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs со спин-вырожденными уровнями Ландау [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», Москва, 24 мая, ISBN: Сб.трудов-Москва:НИЯУ МИФИ.- 14 c.

33) С.В.Гудина. Анализ активационной проводимости в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе теллурида ртути [Текст] / С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, С.М.Подгорных, М.В.Якунин, E.G.Novik, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XXI Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 13-16 марта, ISBN: Матер.конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та.- 571 c.

34) С.В.Гудина. Плотность состояний в щели подвижности в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе Hg/Te [Текст] / С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XXI Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 13-16 марта, ISBN: Матер.конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та.- 569 c.

35) Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure / S.V. Gudina1, V.N. Neverov1, E.G. Novik1, E.V. Ilchenko1, G.I. Harus1, N.G. Shelushinina1, S.M. Podgornykh1, M.V. Yakunin1, N.N. Mikhailov1, S.A. Dvoretsky1. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2017. — V. 43. — P. 605—611.

36) Е.В. Ильченко. Активационная проводимость в режиме квантового эффекта Холла в квантовой яме HgTe с инвертированной зонной структурой [Текст] / Е.В. Ильченко, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // XVII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-17), Екатеринбург, 15-22 ноября, ISBN: Тез.докл-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 106 c.