Mikheev Viktor Mikhaylovich

PhD (Physics and Mathematics)

Senior researcher (Laboratory of Semiconductors and Semimetals )


Contact information:
Phone.: 378-38-34
Email: mikheev@imp.uran.ru

Scientometric data (as of 15.03.2018):
Web of Science: h-index - 5; Sum of the Times Cited - 68
SCIENCE INDEX: h-index - 5; Sum of the Times Cited - 62
Personal pages of the author in the systems: Researcher ID, ORCID, SCIENCE INDEX




Papers

1) Concentration maxima of the mobility of 2D electrons scattered by correlated impurity ions in thin doped layers [Текст] / V. M. Mikheev // Low temperature physics. — 2019. — V. 45. — P. 123 (6 pages)

2) Концентрационные максимумы подвижности 2D-электронов при рассеянии на скоррелированных примесных ионах в тонких легированных слоях [Текст] / В.М. Михеев // Физика низких температур. — 2019. — V. 45. — P. 140 (6 pages)

3) The effects of illumination on the mobility of 2D electrons during scattering by a correlated distribution of impurity ions [Текст] / V. M. Mikheev // Low temperature physics. — 2017. — V. 43. — P. 499 (4 pages)


Reports

1) В.М.Михеев, Корреляционное автоограничение роста электронной подвижности 2D-электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов в тонких легированных слоях [Текст] / В.М.Михеев // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018) , 19-24 февраля, 2018 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

2) В.М.Михеев, Концентрационные максимумы электронной подвижности 2D-электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов в тонких легированных слоях [Текст] / В.М.Михеев // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017» , 2-6 октября, 2017 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

3) В.М. Михеев, Влияние подсветки на подвижность 2D-электронов при рас-сеянии на коррелированном распределении примесных ионов [Текст] / В.М. Михеев // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016) , 15-20 февраля, 2016 / Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН