ilchenko Ekaterina Vladimirovna

Младший научный сотрудник (Laboratory of Semiconductors and Semimetals )


Contact information:
Phone.: 378-37-88
Email: ilchenko@imp.uran.ru





Papers

1) HgTe quantum wells with inverted band structure: Quantum Hall effect and the large-scale impurity potential [Текст] / S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, M. R. Popov, E. V. Deriushkina, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky // Low temperature physics. — 2019. — V. 45. — P. 412 (7 pages)

2) HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential [Текст] / S.V. Gudina, Yu.G. Arapov, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, M.R. Popov, E.V. Deriushkina, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky // Физика низких температур. — 2019. — V. 45. — P. 476 (8 pages)

3) К вопросу об универсальности критических индексов в режиме квантового эффекта Холла [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, Е.В. Дерюшкина, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2019. — V. 45. — P. 210 (9 pages)


Reports

1) С.В.Гудина, Активационная проводимость в режиме квантового эффекта Холла в квантовых ямах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, Е.В.Дерюшкина, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 10-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», 15-16 мая, 2019 / Труды конф.-Москва:НИЯУ МИФИ

2) С.В.Гудина, Крупномасштабный примесный потенциал в квантовых ямах теллурида ртути с инвертированной зонной структурой: квантовый эффект Холла [Текст] / С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, М.Р.Попов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), 19-24 февраля, 2018 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

3) Е.В.Ильченко, Квантовый эффект Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs: роль спин-орбитального взаимодействия [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), 19-24 февраля, 2018 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН