Список публикаций

Харус Герман Иосифович


  


1) Electron Effective Mass and g Factor in Wide HgTe Quantum Wells / S. V. Gudina1, V. N. Neverov1, E. V. Ilchenko1, A. S. Bogolubskii1, G. I. Harus1, N. G. Shelushinina1, S. M. Podgornykh1, M. V. Yakunin1, N. N. Mikhailov1, S. A. Dvoretsky1. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2018. — V. 52. — P. 12—18.

2) Эффективная масса и g-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути / С.В. Гудина1, В.Н. Неверов1, Е.В. Ильченко1, А.С. Боголюбский1, Г.И. Харус1, Н.Г. Шелушинина1, С.М. Подгорных2, М.В. Якунин2, Н.Н. Михайлов0, С.А. Дворецкий0. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2018. — V. 52. — P. 16—22.

3) Correlation between the Hall Resistance and Magnetoresistance in the Mixed State of an Nd2 – xCexCuO4 + d Electronic Superconductor / T. B. Charikova1, N. G. Shelushinina1, D. S. Petukhov1, G. I. Kharus1, O. E. Petukhova1, A. A. Ivanov1. – Текст: непосредственный // Physics of Metals and Metallography. — 2017. — V. 118. — P. 1184—1192.

4) The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd2–xCexCuO41d (x 5 0.14) / N. G. Shelushinina1, G. I. Harus1, T. B. Charikova1, D. S. Petukhov1, O. E. Petukhova1, A. A. Ivanov1. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2017. — V. 43. — P. 475—477.

5) Conditions for experimental observation of the critical behavior of the longitudinal and Hall resistance in the quantum Hall regime in gallium and indium arsenide-based heterostructures / A. S. Klepikova1, Yu. G. Arapov1, S. V. Gudina1, V. N. Neverov1, G. I. Harus1, N. G. Shelushinina1, M. V. Yakunin1, B.N. Zvonkov1. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2017. — V. 43. — P. 478—484.

6) Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure / S. V. Gudina1, V. N. Neverov1, E. G. Novik1, E. V. Ilchenko1, G. I. Harus1, N. G. Shelushinina1, S. M. Podgornykh1, M. V.Yakunin1, N. N. Mikhailov1, S. A. Dvoretsky1. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2017. — V. 43. — P. 485—490.

7) С.В.Гудина, Анализ активационной проводимости в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе теллурида ртути [Текст] / С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, С.М.Подгорных, М.В.Якунин, E.G.Novik, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // , : «Нанофизика и наноэлектроника»(2017:Нижний Новгород).XXI Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 13-16 марта 2017, Матер.конф.[Текст]-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та 2017-250 экз.-в 2-х тт.-ISBN 978-5-91326-371-10, 2017. - стр. 571-572

8) В.В.Устинов. Физика металлов на Урале. История научных направлений Институа физики металлов [Текст] / В.В.Устинов, Н.В.Мушников, Ю.Н.Драгошанский, А.В.Макаров, В.В.Сагарадзе, В.М.Счастливцев, Т.И.Табатчикова, В.Г.Пушин, И.Г.Бродова, Н.Н.Куранова, В.В.Попов, А.В.Телегин, К.Н.Михалев, Ю.П.Сухоруков, Н.Н.Лошкарева, Е.В.Мостовщикова, А.П.Носов, В.Б.Выходец, В.Л.Арбузов, С.Е.Данилов, А.П.Дружков, В.П.Дякина, В.В.Марченков, А.Б.Ринкевич, А.Б.Владимиров, В.Н.Неверов, Л.Н.Ромашев, А.С.Шлеенков, Г.С.Корзунин, В.Н.Костин, А.П.Ничипурук, В.И.Пудов, Ю.Н.Акшенцев, М.В.Дегтярев, В.О.Есин, Б.И.Каменецкий, Л.И.Яковенкова, А.Ю.Волков, В.П.Пилюгин, В.И.Бобровский, Б.Н.Гощицкий, В.Д.Пархоменко, Ю.Н.Скрябин, В.Ю.Ирхин, В.В.Меньшенин, А.Б.Борисов, В.В.Киселев, А.Г.Шагалов, В.И.Анисимов, М.М.Кириллова, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, И.В.Жевстовских, А.Т.Лончаков, В.И.Окулов, Т.П.Суркова, Г.И.Харус, Т.Б.Чарикова, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Э.З.Курмаев, Л.Д.Финкельштейн, М.А.Коротин.- Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2017.- 616 стр.- 978-5-903359-12-7

9) А.С.Клепикова. Тензор магнитосопротивления в сильных магнитных полях в электронно-легированных сверхпроводниках [Текст] / А.С.Клепикова, Т.Б.Чарикова, Н.Г.Шелушинина, Д.С.Петухов, Г.И.Харус, О.Е.Петухова, А.А.Иванов // XVIII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-18), Екатеринбург, 16-23 ноября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 96 c.

10) Соотношение сопротивления Холла и магнитосопротивления в смешанной области электронного сверхпроводника Nd2-xCexCuO4+δ / Т.Б.Чарикова1, Н.Г.Шелушинина1, Д.С.Петухов1, Г.И.Харус1, О.Е.Петухова1, А.А.Иванов1. – Текст: непосредственный // Физика металлов и металловедение. — 2017. — V. 118. — P. 1257—1265.

11) T.B.Charikova. In-plane and out-of-plane Hall effect at the antiferromagnetic-superconducting transition of the electron-doped superconductors [Текст] / T.B.Charikova, N.G.Shelushinina, D.S.Petukhov, G.I.Harus, O.E.Petukhova, A.A.Ivanov // Superconductivity – Gordon Research Conference, Waterville Valley, NH, 4-9 июня, ISBN: Тез.не публик..- 0 c.

12) А.С.Клепикова. Расходимость холловской проводимости вблизи перехода в резистивное состояние для монокристаллических пленок Nd2-xCexCuO4 (x = 0.15) [Текст] / А.С.Клепикова, Н.Г.Шелушинина, Т.Б.Чарикова, Д.С.Петухов, Г.И.Харус, А.А.Иванов // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург, 2-6 октября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 187 c.

13) Т.Б.Чарикова. Квантовый фазовый переход антиферромагнетик-сверхпроводник в низкоразмерных неупорядоченных системах [Текст] / Т.Б.Чарикова, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, Д.С.Петухов, О.Е.Петухова, А.А.Иванов // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург, 2-6 октября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 219 c.

14) С.В.Гудина. Расходимость длины локализации в режиме квантового эффекта Холла в широких квантовых ямах HgTe [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург, 2-6 октября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 198 c.

15) Т.Б.Чарикова. Скейлинг холловского и продольного сопротивления на границе антиферромагнетик –сверхпроводник [Текст] / Т.Б.Чарикова, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, Д.С.Петухов, О.Е.Петухова, А.А.Иванов // НАУЧНАЯ СЕССИЯ Института физики металлов УрО РАН по итогам 2016 года, Екатеринбург, 27-30 марта, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 44 c.

Показать все публикации