Список публикаций

Дерюшкина Екатерина Владимировна


  


1) С.В.Гудина. Активационная проводимость в режиме квантового эффекта Холла в квантовых ямах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, Е.В.Дерюшкина, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 10-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», Москва, 15-16 мая, ISBN: Труды конф.-Москва:НИЯУ МИФИ.- 11 c.

2) HgTe quantum wells with inverted band structure: Quantum Hall effect and the large-scale impurity potential / S. V. Gudina1, Yu. G. Arapov1, V. N. Neverov1, S. M. Podgornykh1, M. R. Popov1, E. V. Deriushkina1, N. G. Shelushinina1, M. V. Yakunin1, N. N. Mikhailov0, S. A. Dvoretsky0. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2019. — V. 45. — P. 412—418.

3) HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential / S.V. Gudina1, Yu.G. Arapov1, V.N. Neverov1, S.M. Podgornykh1, M.R. Popov1, E.V. Deriushkina0, N.G. Shelushinina1, M.V. Yakunin1, N.N. Mikhailov0, S.A. Dvoretsky0. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2019. — V. 45. — P. 476—483.

4) On the issue of universality of critical exponents in the quantum Hall effect mode / Yu. G. Arapov1, S. V. Gudina1, E. V. Deryushkina1, N. G. Shelushinina1, M. V. Yakunin2. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2019. — V. 45. — P. 181—188.

5) К вопросу об универсальности критических индексов в режиме квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов1, С.В. Гудина1, Е.В. Дерюшкина1, Н.Г. Шелушинина1, М.В. Якунин1. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2019. — V. 45. — P. 210—218.

6) С.В.Гудина, Роль спин-орбитального взаимодействия в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // poster, : XXII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (2018:Нижний Новгород). XXII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 12-15 марта, Труды конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского госун-та-ISBN 978-5-91326-446-6, 59/45,3 усл.печ.л, 507/389 с., 350 экз., 2018. - стр. 576-577

7) S.V.Gudina. Large-scale impurity potential in the HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect [Текст] / S.V.Gudina, E.V.Ilchenko, V.N.Neverov, M.R.Popov, S.M.Podgornykh, N.G.Shelushinina, E.G.Novik, M.V.Yakunin, N.N.Mikhailov, S.A.Dvoretsky // 26th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Minsk, 18-22 июня, ISBN: Тез. не издавались.- 2 c.

8) Ю.Г.Арапов. Аномалии квантового эффекта Холла при перекрытии уровней Ландау в структурах n-In0,90Ga0,10As/In0,81Al0,48As с сильным спин-орбитальным взаимодействием [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), Москва-Ростов-на-Дону-Шепси, 17-22 сентября, ISBN: Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования.- 132 c.

9) Е.В.Ильченко. Влияние спин-орбитального взаимодействия на критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAiAs [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), Москва-Ростов-на-Дону-Шепси, 17-22 сентября, ISBN: Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования.- 94 c.

10) С.В.Гудина. Роль спин-орбитального взаимодействия в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 12-15 марта, ISBN: Труды конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского госун-та.- 576 c.

11) Ю.Г.Арапов. Квантовый эффект Холла в условиях смешивания уровней Ландау из-за спин-орбитального взаимодействия в нано-структурах n-In0.9Ga0.1As/In0.81Al0.19As [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), Екатеринбург-Алапаевск, 19-24 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 78 c.

12) Е.В.Ильченко. Квантовый эффект Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs: роль спин-орбитального взаимодействия [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), Екатеринбург-Алапаевск, 19-24 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 112 c.

13) С.В.Гудина. Крупномасштабный примесный потенциал в квантовых ямах теллурида ртути с инвертированной зонной структурой: квантовый эффект Холла [Текст] / С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, М.Р.Попов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), Екатеринбург-Алапаевск, 19-24 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 88 c.

14) Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs / Гудина С.В.1, Арапов Ю.Г.1, Ильченко Е.В.1, Неверов В.Н.1, Савельев А.П.1, Подгорных С.М.2, Шелушинина Н.Г.1, Якунин М.В.2, Васильевский И.С.0, Виниченко А.Н.0. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2018. — V. 52. — P. 1447—1455.

15) Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures / S. V. Gudina1, Yu. G. Arapov1, E. I. Ilchenko1, V. N. Neverov1, A. P. Savelyev1, S. M. Podgornykh2, N. G. Shelushinina1, M. V. Yakunin2, I. S. Vasil’evskii0, A. N. Vinichenko0. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2018. — V. 52. — P. 1551—1558.

Показать все публикации