Список публикаций

1) ELECTRON SPIN POLARIZATION IN TUNNEL CONTACTS Co0.9Fe0.1/MgO/InSb / N. A. Viglin, V. M. Tsvelikhovskaya, A. O. Shorikov, T. N. Pavlov, V. V. Proglyado. – Текст: непосредственный // Journal Of Experimental And Theoretical Physics. — 2024. — V. 9. — P. 1—12.

2) СОЗДАНИЕ МНОГОСЛОЙНЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ ДИНАМИКИ КИРАЛЬНЫХ СПИНОВЫХ СТРУКТУР / А.В. Телегин, Т.Н. Павлов, В.М. Цвелиховская, Ж.Ж. Намсараев, В.А. Антонов, А.В. Огнев. – Текст: непосредственный // Наноиндустрия. — 2024. — V. 17 – No. 7. — P. 444—453.

3) СПИНОВАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ В ТУННЕЛЬНЫХ КОНТАКТАХ Co0.9Fe0.1/MgO/InSb / Н.А. Виглин, В.М. Цвелиховская, А.О. Шориков, Т.Н. Павлов, В.В. Проглядо. – Текст: непосредственный // Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 2024. — V. 166 – No. 3. — P. 374—382.

4) Синтез тонкопленочных магнитных структур для спин-орбитроники / А. В. Телегин, В. Д. Бессонов, В. С. Теплов, В. М. Цвелиховская. – Текст: непосредственный // Известия вузов. Электроника.. — 2024. — V. 27 – No. 1. — P. 100—209.

5) Spin Transport in InSb Semiconductors with Different Electron Gas Concentrations / N. A. Viglin, Yu. V. Nikulin, V. M. Tsvelikhovskaya, T. N. Pavlov, V. V. Proglyado. – Текст: непосредственный // Journal Of Experimental And Theoretical Physics. — 2022. — V. 134 – No. 6. — P. 736—742.

6) Спиновый транспорт в полупроводниках InSb с различной плотностью электронного газа / Виглин Н.А., Никулин Ю.В., Цвелиховская В.М., Павлов Т.Н., Проглядо В.В.. – Текст: непосредственный // Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 2022. — V. 134 – No. 6. — P. 866—873.

7) Semiconductor Lateral Spin Device with Half-Metallic Ferromagnet Electrodes / N. A. Viglin, V. M. Tsvelikhovskaya, S. V. Naumov, A. O. Shorikov, T. N. Pavlov. – Текст: непосредственный // Physics of the Solid State. — 2020. — V. 62 – No. 12. — P. 2301—2304.

8) Полупроводниковое латеральное спиновое устройство с электродами из полуметаллического ферромагнетика / Виглин Н.А., Цвелиховская В.М., Наумов С.В., Шориков А.О., Павлов Т.Н.. – Текст: непосредственный // Физика твёрдого тела. — 2020. — V. 62 – No. 12. — P. 2055—2060.

9) V.M.Tsevikhovskaya. Technology features of creating InSb-based spin-valve / V.M.Tsevikhovskaya, N.A.Viglin, E.I.Patrakov, I.Y.Kamenskii, I.K.Maksimova // VII Euro-Asian Symp. «Trends in MAGnetism» (EASTMAG-2019), Ekaterinburg (Россия), -8-13 сентября.2019, 2019. – P.136 – Текст: непосредственный.

10) N.A.Viglin. Spin-dependent injection phenomena in ferromagnet/semiconductor nanostructures / N.A.Viglin, V.M.Tsvelikhovskaya, T.N.Pavlov, V.V.Ustinov // VII Euro-Asian Symp. «Trends in MAGnetism» (EASTMAG-2019), Ekaterinburg (Россия), -8-13 сентября.2019, 2019. – P.104 – Текст: непосредственный.

11) Technology features of creating InSb-based spin-valve / V. M. Tsvelikhovskaya, N. A. Viglin, E. I. Patrakov, I. Y. Kamenskii, I. K.Maksimova. – Текст: непосредственный // Journal of Physics: Conference Series. — 2019. — V. 1389. — P. 12143—12147.

12) Effective Injection of Spins from a Ferromagnetic Metal to the InSb Semiconductor / N.A.Viglin, V.M.Tsvelikhovskaya, N.A.Kulesh, T.N.Pavlov. – Текст: непосредственный // JETP Letters. — 2019. — V. 110 – No. 4. — P. 273—278.

13) Oxide Removal from the InSb Plate Surface to Produce Lateral Spin Valves / N. A. Viglin, I. V. Gribov, V. M. Tsvelikhovskaya, E. I. Patrakov. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2019. — V. 53 – No. 2. — P. 264—267.

14) Electric measurement and magnetic control of spin transport in InSb-based lateral spin devices / N. A. Viglin, V. V. Ustinov, S. O. Demokritov, A. O. Shorikov, N. G. Bebenin, V. M. Tsvelikhovskaya, T. N. Pavlov, E.I.Patrakov. – Текст: непосредственный // Physical Review B. — 2017. — V. 96 – No. 23. — P. 235303—235312.

15) N.A. Viglin. Effectiveness of spin injection in lateral spin valves on the base of Co0.9Fe0.1/InSb heterostructure / N.A. Viglin, V.V. Ustinov, V.M. Tsvelikhovskaya, T.N. Pavlov // VI Euro-Asian Symp. «Trends in Magnetism» (EASTMAG-2016), Krasnoyarsk (Россия), -15-19 августа.2016, Тез.докл.-Красноярск:ИФ СО РАН 2016. – P.229 – Текст: непосредственный.

Показать все публикации