Published on Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН (https://www.imp.uran.ru)

Главная > Publications

Publications

Popov Stanislav Dmitrievich


  


1) Giant Planar Hall Effect of Unprecedented Amplitude in n-HgTe with Extremely Low Electron Density / A.T. Lonchakov1, S.B. Bobin1, S.D. Popov1. – Текст: непосредственный // Chinese. Phys. Lett. . — 2026. — V. 43 – No. 11. — P. 110706—110711.

2) Планарный магнитотранспорт как индикатор киральной аномалии и слабой антилокализации в ультрачистом монокристалле HgSe / А.Т. Лончаков1, С.Б. Бобин1, С.Д. Попов1. – Текст: непосредственный // Письма в ЖЭТФ. — 2026. — V. 124 – No. 8. — P. 645—654.

3) Self-resonance effects for intrinsic Josephson junctions in Nd_(2-x) Ce_x CuO_4 films / T. B. Charikova1, V. N. Neverov1, M. R. Popov1, S. D. Popov1, N. G. Shelushinina1. – Текст: непосредственный // Journal of Superconductivity and Novel Magnetism. — 2026. — V. 39. — P. 163—171.

4) Current – voltage characteristics in magnetic field for layered superconductor with intrinsic pinning of Josephson vortices / T. B. Charikova1, V. N. Neverov1, M. R. Popov1, S. D. Popov1, N. G. Shelushinina1, A. A. Ivanov0. – Текст: непосредственный // Journal of Superconductivity and Novel Magnetism. — 2026. — V. 39. — P. 156—162.

5) Падение холловского сопротивления как возможный переход в состояние квантового эффекта Холла с нулевым фактором заполнения в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe / М.В.Якунин1, В.Н.Неверов1, А.С.Боголюбский1, С.Д.Попов1, К.В.Туруткин1, А.Ю.Павлова1, С.В. Гудина1, Н.С.Сандаков1, Н.Н.Михайлов0, С.А.Дворецкий0. – Текст: непосредственный // Письма в ЖЭТФ. — 2026. — V. 124 – No. 4. — P. 311—320.

6) Magnetotransport evidence for the coexistence of trivial and topological phases in the band spectrum of bulk n-HgTe with extremely low electron density / A.T. Lonchakov1, S.B. Bobin1, S.D. Popov1, S.V. Pryanichnikov0, M.V. Yakunin1. – Текст: непосредственный // Journal of Applied Physics. — 2026. — V. 139. — P. 235703—235715.

7) Magnetotransport in high-mobility metamorphic InGaAs/InAlAs heterostructures with high InAs content / N.S. Sandakov1, S.V. Gudina1, V.N. Neverov1, M.V. Yakunin1, S.D. Popov1, A.S. Bogoliubskii1, K.V. Turutkin1, I.S. Vasil’evskii0, A.N. Vinichenko0. – Текст: непосредственный // Journal of Applied Physics. — 2026. — V. 139 – No. 9. — P. 95705—95717.

Show all