Personal card

ilchenko Ekaterina Vladimirovna

Junior researcher (Laboratory of Semiconductors and Semimetals )

Contact information:
Phone.: 378-37-88
Email: ilchenko@imp.uran.ru

Papers

1) HgTe quantum wells with inverted band structure: Quantum Hall effect and the large-scale impurity potential [Текст] / S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, M. R. Popov, E. V. Deriushkina, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky // Low temperature physics. — 2019. — V. 45. — P. 412 (7 pages)

2) HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential [Текст] / S.V. Gudina, Yu.G. Arapov, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, M.R. Popov, E.V. Deriushkina, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky // Физика низких температур. — 2019. — V. 45. — P. 476 (8 pages)

3) К вопросу об универсальности критических индексов в режиме квантового эффекта Холла [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, Е.В. Дерюшкина, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2019. — V. 45. — P. 210 (9 pages)

4) On the issue of universality of critical exponents in the quantum Hall effect mode [Текст] / Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, E. V. Deryushkina, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin // Low temperature physics. — 2019. — V. 45. — P. 181 (8 pages)

5) Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs [Текст] / Гудина С.В., Арапов Ю.Г., Ильченко Е.В., Неверов В.Н., Савельев А.П., Подгорных С.М., Шелушинина Н.Г., Якунин М.В., Васильевский И.С., Виниченко А.Н. // Физика и техника полупроводников. — 2018. — V. 52. — P. 1447 (9 pages)

6) Эффективная масса и g-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути [Текст] / С.В. Гудина, В.Н. Неверов, Е.В. Ильченко, А.С. Боголюбский, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, С.М. Подгорных, М.В. Якунин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий // Физика и техника полупроводников. — 2018. — V. 52. — P. 16 (7 pages)

7) Electron Effective Mass and g Factor in Wide HgTe Quantum Wells [Текст] / S. V. Gudina, V. N. Neverov, E. V. Ilchenko, A. S. Bogolubskii, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, S. M. Podgornykh, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky // Semiconductors. — 2018. — V. 52. — P. 12 (7 pages)

8) Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures [Текст] / S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, E. I. Ilchenko, V. N. Neverov, A. P. Savelyev, S. M. Podgornykh, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, I. S. Vasil’evskii, A. N. Vinichenko // Semiconductors. — 2018. — V. 52. — P. 1551 (8 pages)

9) Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure [Текст] / S.V. Gudina, V.N. Neverov, E.G. Novik, E.V. Ilchenko, G.I. Harus, N.G. Shelushinina, S.M. Podgornykh, M.V. Yakunin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky // Физика низких температур. — 2017. — V. 43. — P. 605 (7 pages)

10) Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure [Текст] / S. V. Gudina, V. N. Neverov, E. G. Novik, E. V. Ilchenko, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, S. M. Podgornykh, M. V.Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky // Low temperature physics. — 2017. — V. 43. — P. 485 (6 pages)

Reports

1) С.В.Гудина, Активационная проводимость в режиме квантового эффекта Холла в квантовых ямах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, Е.В.Дерюшкина, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 10-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», 15-16 мая, 2019 / Труды конф.-Москва:НИЯУ МИФИ

2) С.В.Гудина, Крупномасштабный примесный потенциал в квантовых ямах теллурида ртути с инвертированной зонной структурой: квантовый эффект Холла [Текст] / С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, М.Р.Попов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), 19-24 февраля, 2018 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

3) Е.В.Ильченко, Квантовый эффект Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs: роль спин-орбитального взаимодействия [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), 19-24 февраля, 2018 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

Showmore

4) Ю.Г.Арапов, Квантовый эффект Холла в условиях смешивания уровней Ландау из-за спин-орбитального взаимодействия в нано-структурах n-In0.9Ga0.1As/In0.81Al0.19As [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), 19-24 февраля, 2018 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

5) С.В.Гудина, Роль спин-орбитального взаимодействия в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 12-15 марта, 2018 / Труды конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского госун-та

6) Е.В.Ильченко, Влияние спин-орбитального взаимодействия на критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAiAs [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), 17-22 сентября, 2018 / Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования

7) Ю.Г.Арапов, Аномалии квантового эффекта Холла при перекрытии уровней Ландау в структурах n-In0,90Ga0,10As/In0,81Al0,48As с сильным спин-орбитальным взаимодействием [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), 17-22 сентября, 2018 / Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования

8) S.V.Gudina, Large-scale impurity potential in the HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect [Текст] / S.V.Gudina, E.V.Ilchenko, V.N.Neverov, M.R.Popov, S.M.Podgornykh, N.G.Shelushinina, E.G.Novik, M.V.Yakunin, N.N.Mikhailov, S.A.Dvoretsky // 26th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, 18-22 июня, 2018 / Тез. не издавались

9) Ю.Г.Арапов, Квантовые фазовые переходы в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs со спин-вырожденными уровнями Ландау [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», 2-6 октября, 2017 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

10) Е.В.Ильченко, Эффекты локализации в квантующих магнитных полях в квантовых ямах HgTe [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», 2-6 октября, 2017 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

11) Е.В. Ильченко, Скейлинг проводимости в условиях смешивания уровней Ландау в структурах n-InGaAs/InAlAs с сильным спин-орбитальным взаимодействием [Текст] / Е.В. Ильченко, С.В. Гудина // XIX Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, 27 ноября – 1 декабря, 2017 / Тез.докл.-Санкт-Петербург:Изд-во Политехнического ун-та

12) Е.В.Ильченко, Ширина полосы делокализованных состояний в режиме квантового эффекта Холла в структурах n-InGaAs/AlInAs со спин-вырожденными уровнями Ландау [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XVIII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-18), 16-23 ноября, 2017 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

13) С.В.Гудина, Плотность состояний в щели подвижности в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе Hg/Te [Текст] / С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XXI Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 13-16 марта, 2017 / Матер.конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та

14) С.В.Гудина, Анализ активационной проводимости в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе теллурида ртути [Текст] / С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, С.М.Подгорных, М.В.Якунин, E.G.Novik, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XXI Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 13-16 марта, 2017 / Матер.конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та

15) С.В.Гудина, Квантовые фазовые переходы в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs со спин-вырожденными уровнями Ландау [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», 24 мая, 2017 / Сб.трудов-Москва:НИЯУ МИФИ

16) S.V.Gudina, Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure [Текст] / S.V.Gudina, E.V.Ilchenko, V.N.Neverov, E.G.Novik, S.M.Podgornykh, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin, N.N.Mikhailov, S.A.Dvoretsky // 25th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, 26-30 июня, 2017 / Труды конф-St. Petersburg:Acad.Univ.Publ

17) С.В.Гудина, Критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе теллурида ртути [Текст] / С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // Международная конференция «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах», 6-9 сентября, 2017 / Сб. трудов.-Махачкала:Ин-т физики Дагестанского науч.центра РАН

18) С.В.Гудина, Критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структуре HgTe/CdHgTe с двойной квантовой ямой [Текст] / С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», 2-6 октября, 2017 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

19) С.В.Гудина, Переходы плато-плато квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», 2-6 октября, 2017 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

20) Е.В. Ильченко, Активационная проводимость в режиме квантового эффекта Холла в квантовой яме HgTe с инвертированной зонной структурой [Текст] / Е.В. Ильченко, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // XVII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-17), 15-22 ноября, 2016 / Тез.докл-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН