Электронный транспорт двумерных йодных структур

Выполнены теоретические исследования влияния параметров двумерных йодных структур и их легирования неметаллическими элементами на подавление электронной проводимости. Показана взаимосвязи между шириной йодиненовых наночешуек и свойствами электронного транспорта. Установлено и обосновано, что, в  отличие от легирующих примесей с большими атомными числами, устройства с легирующими примесями с меньшими атомными числами показывают большую разницу в размере между усиливающим и ослабляющим интервалом напряжения. Применение результатов перспективно в проектировании электронных устройств вида молекулярных изоляторов в функциональных датчиках.