Немонотонное d-волновое спаривание в электронно-легированных сверхпроводниках

Т.Б. Чарикова, Н.Г. Шелушинина, В.Н. Неверов, М.Р. Попов, Д.И. Девятериков, А.А. Иванов1

Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
1Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Москва
 

Исследованы вольт-амперные характеристики (ВАХ) на эпитаксиальных пленках Nd2-xCexCuO4 /SrTiO3 с оптимальным легированием (x = 0.145, 0.15). Установлено, что ВАХ демонстрируют несколько резистивных ветвей, которые соответствуют резистивным состояниям отдельных джозефсоновских переходов. Результаты подтверждают идею о туннельном механизме проводимости между слоями CuO2 (переход сверхпроводник - изолятор – сверхпроводник (SIS)) для исследуемого соединения Nd2-xCexCuO4. Вольт-амперная характеристика этого соединения с x = 0.15 указывает на немонотонный характер параметра порядка d-волновой или анизотропной s-волновой симметрии, связанный с сосуществованием сверхпроводимости и антиферромагнитных флуктуаций.

 
 
Рис. 1. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) пленки Nd 2-xCexCuO4 /SrTiO3 (x = 0.15). (а) ВАХ оптимально отожженной эпитаксиальной пленки Nd 2-xCexCuO4/SrTiO3 (x = 0.15) при T = 4.2 К; (b) ВАХ с тремя резистивными ветвями собственных джозефсоновских туннельных переходов при T = 4.2 К. Штриховые линии соответствуют зависимости U~I0.75. Вставка: напряжение, измеренное при 50 мкА для каждой подсчитанной ветви (N = 1, 2,3); (c) скейлинговое поведение собственных ВАХ для различных ветвей переходов. Вставка: общая ВАХ пленки.

 

 

Публикации

  1. Эффекты туннелирования в сильно анизотропных слоистых сверхпроводниках / Т.Б. Чарикова, Н.Г. Шелушинина, В.Н. Неверов, М.Р. Попов. – Текст: непосредственный // Успехи физических наук. — 2024. — V. 194. — P. 740—752.

  2. Intrinsic Josephson junction characteristics of Nd2-xCexCuO4 /SrTiO3 epitaxial films / T.B. Charikova, D.I. Devyaterikov, V.N. Neverov, M.R. Popov, N.G. Shelushinina, A.A. Ivanov. – Текст: непосредственный // Solid State Communications. — 2024. — V. 394. — P. 115723—115730.

 

Работа выполнена по теме шифр «Электрон» № 122021000039-4