Личная карточка

Арапов Юрий Григорьевич

Кандидат физико-математических наук

Старший научный сотрудник (Лаборатория полупроводников и полуметаллов)

Контактная информация:
Тел.: 378-35-77,
внутренний тел.: 35-77
Корпус А, комната 301
Электронный адрес: arapov@imp.uran.ru

Наукометрические данные (по состоянию на 20.08.2024г):
Web of Science: h-index - 9; Sum of the Times Cited - 279
Scopus: h-index - 8; Sum of the Times Cited - 233
РИНЦ (SCIENCE INDEX): Индекс Хирша - 10; Цитируемость - 429
Личные страницы автора в системах: WoS, Scopus ID, ORCID, РИНЦ, База публикаций ИФМ

Кандидатская диссертация: Акцепторные состояния и особенности гальваномагнитных явлений в бесщелевых полупроводниках Hg1-xCdxTe (1982)

Статьи

1) Temperature dependence of the electron quantum lifetime in InGaAs/GaAs double quantum well: Fukuyama-Abrahams mechanism / S.V. Gudina¹, Yu.G. Arapov¹, V.N. Neverov¹, A.P. Savelyev¹, N.S. Sandakov¹, N.G. Shelushinina¹, M.V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Physica E. — 2024. — V. 165. — P. 116113—116118.

2) Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures / A. P. Savelyev¹, Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2021. — V. 47 – No. 1. — P. 14—19.

3) Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures / A. P. Savelyev¹, Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2021. — V. 47 – No. 1. — P. 18—23.

Показать еще статьи

4) Effect of exchange electron-electron interaction on conductivity of InGaAs single and double quantum wells / Gudina S.V.¹, Arapov Y.G.¹, Neverov V.N.¹, Savelyev A.P.¹, Podgornykh S.M.², Shelushinina N.G.¹, Yakunin M.V.². – Текст: непосредственный // Physica E. — 2019. — V. 113. — P. 14—20.

5) HgTe quantum wells with inverted band structure: Quantum Hall effect and the large-scale impurity potential / S. V. Gudina¹, Yu. G. Arapov¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, M. R. Popov¹, E. V. Deriushkina¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹, N. N. Mikhailov⁰, S. A. Dvoretsky⁰. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2019. — V. 45 – No. 4. — P. 412—418.

6) HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential / S.V. Gudina¹, Yu.G. Arapov¹, V.N. Neverov¹, S.M. Podgornykh¹, M.R. Popov¹, E.V. Deriushkina⁰, N.G. Shelushinina¹, M.V. Yakunin¹, N.N. Mikhailov⁰, S.A. Dvoretsky⁰. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2019. — V. 45 – No. 4. — P. 476—483.

7) Quantum Hall transitions in the presence of Landau levels mixing in n-InGaAs/InAlAs structures / S V Gudina¹, Yu G Arapov¹, E V Ilchenko¹, V N Neverov¹, A P Savelyev¹, S M Podgornykh¹, N G Shelushinina¹, M V Yakunin¹, I S Vasil'evskii⁰, A N Vinichenko⁰. – Текст: непосредственный // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. — 2019. — V. 475 – No. 1. — P. 12029—12036.

8) On the issue of universality of critical exponents in the quantum Hall effect mode / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, E. V. Deryushkina¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin². – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2019. — V. 45 – No. 2. — P. 181—188.

9) К вопросу об универсальности критических индексов в режиме квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, Е.В. Дерюшкина¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2019. — V. 45 – No. 2. — P. 210—218.

10) К вопросу о природе перехода в фазу квантового эффекта Холла / Савельев А.П.¹, Арапов Ю.Г.¹, Гудина С.В.¹, Шелушинина Н.Г.¹, Якунин М.В.¹. – Текст: непосредственный // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. — 2018. — V. - – No. 12/2. — P. 209—216.

11) Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs / Гудина С.В.¹, Арапов Ю.Г.¹, Ильченко Е.В.¹, Неверов В.Н.¹, Савельев А.П.¹, Подгорных С.М.², Шелушинина Н.Г.¹, Якунин М.В.², Васильевский И.С.⁰, Виниченко А.Н.⁰. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2018. — V. 52 – No. 12. — P. 1447—1455.

12) Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures / S. V. Gudina¹, Yu. G. Arapov¹, E. I. Ilchenko¹, V. N. Neverov¹, A. P. Savelyev¹, S. M. Podgornykh², N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin², I. S. Vasil’evskii⁰, A. N. Vinichenko⁰. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2018. — V. 52 – No. 12. — P. 1551—1558.

13) Conditions for experimental observation of the critical behavior of the longitudinal and Hall resistance in the quantum Hall regime in gallium and indium arsenide-based heterostructures / A. S. Klepikova¹, Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹, B.N. Zvonkov¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2017. — V. 43 – No. 4. — P. 478—484.

14) Insulator-quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures / A. P. Savelyev¹, S. V. Gudina¹, Yu. G. Arapov¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgonykh¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2017. — V. 43 – No. 4. — P. 491—494.

15) Quantum Hall effect in n-InGaAs/InAlAs metamorphic nanoheterostructures with high InAs content / Svetlana Gudina¹, Yurii Arapov¹, Alexander Savelyev¹, Vladimir Neverov¹, Sergey Podgornykh¹, Nina Shelushinina¹, Michail Yakunin¹, Krzysztof Rogacki¹, Ivan Vasil'evskii¹, Alexander Vinichenko¹. – Текст: непосредственный // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. — 2017. — V. 440. — P. 10—12.

16) The Temperature Dependence of the Conductivity Peak Values in the Single and the Double Quantum Well Nanostructures n-InGaAs/GaAs After IR-illumination / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, A. S. Klepikova¹, V. N. Neverov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2017. — V. 51 – No. 2. — P. 281—281.

17) The Temperature Dependence of the Conductivity Peak Values in the Single and the Double Quantum Well Nanostructures n-InGaAs/GaAs After IR-illumination / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, A. S. Klepikova¹, V. N. Neverov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2017. — V. 51 – No. 2. — P. 272—278.

18) Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия / А.С. Клепикова¹, Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, В.Н. Неверов¹, Г.И. Харус¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹, Б.Н. Звонков¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2017. — V. 43 – No. 4. — P. 596—604.

19) Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs / А.П. Савельев¹, С.В. Гудина¹, Ю.Г. Арапов¹, В.Н. Неверов¹, С.М. Подгорных¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2017. — V. 43 – No. 4. — P. 612—617.

20) Quantum Hall Effect and Hopping Conductivity in n-InGaAs/InAlAs Nanoheterostructures / S. V. Gudina¹, Yu. G. Arapov¹, A. P. Saveliev¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹, I. S. Vasil’evskii¹, A. N. Vinichenko¹. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2016. — V. 50 – No. 12. — P. 1641—1646.

21) Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs / С.В. Гудина¹, Ю.Г. Арапов¹, А.П. Савельев¹, В.Н. Неверов¹, С.М. Подгорных¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹, И.С. Васильевский¹, А.Н. Виниченко¹. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2016. — V. 50 – No. 12. — P. 1669—1675.

22) 2D-localization and delocalization effects in quantum Hall regime in HgTe wide quantum wells / Svetlana V. Gudina¹, Yurii G. Arapov¹, Vladimir N. Neverov¹, Sergey M. Podgornykh¹, Mikhail R. Popov¹, Nina G. Shelushinina¹, Mikhail V. Yakunin¹, Sergey A. Dvoretsky¹, Nikolay N. Mikhailov¹. – Текст: непосредственный // Physica Status Solidi C. — 2016. — V. 13 – No. 7-9. — P. 473—476.

23) Variable-Range Hopping Conductivity in Quantum Hall Regime for HgTe-Based Heterostructure / Arapov Y.G.¹, Gudina S.V.¹, Neverov V.N.¹, Podgornykh S.M.¹, Popov M.R.¹, Harus G.I.¹, Shelushinina N.G.¹, Yakunin M.V.¹, Dvoretsky S.A.¹, Mikhailov N.N.¹. – Текст: непосредственный // Journal of Low Temperature Physics. — 2016. — V. 185 – No. 5-6. — P. 665—672.

24) Temperature scaling in the quantum-Hall-effect regime in a HgTe quantum well with an inverted energy spectrum / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, M. R. Popov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹, N. N. Mikhailov¹, S. A. Dvoretsky¹. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2015. — V. 49 – No. 12. — P. 1545—1549.

25) ПЕРЕХОД ИЗОЛЯТОР – КВАНТОВО-ХОЛЛОВСКАЯ ЖИДКОСТЬ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ N-INGAAS/GAAS / Савельев А.П.¹, Арапов Ю.Г.¹, Гудина С.В.¹, Неверов В.Н.¹, Подгорных С.М.¹, Якунин М.В.¹. – Текст: непосредственный // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. — 2015. — V. 12 – No. 3. — P. 439—443.

26) Температурный скейлинг в квантовом эффекте Холла в квантовой яме HgTe с инвертированным энергетическим спектром / Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, В.Н. Неверов¹, С.М. Подгорных¹, М.Р. Попов¹, Г.И. Харус¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹, Н.Н. Михайлов¹, С.А. Дворецкий¹. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2015. — V. 49 – No. 12. — P. 1593—1597.

27) Электрон-электронное взаимодействие и универсальность критических индексов для переходов между плато квантового эффекта Холла в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, А.С. Клепикова¹, В.Н. Неверов¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2015. — V. 49 – No. 2. — P. 186—191.

28) Quantum magnetotransport in n-InGaAs/GaAs structures with electron density changes caused by infrared radiation / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, A. P. Saveliev¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2015. — V. 41. — P. 221—232.

29) Quantum Hall plateau-plateau transitions in n-InGaAs/GaAs heterostructures before and after IR illumination / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, A. S. Klepikova¹, V. N. Neverov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2015. — V. 41. — P. 106—109.

30) Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения / Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, В.Н. Неверов¹, С.М. Подгорных¹, А.П. Савельев¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2015. — V. 41. — P. 289—303.

31) Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки / Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, А.С. Клепикова¹, В.Н. Неверов¹, Г.И. Харус¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2015. — V. 41. — P. 139—146.

32) Electron-electron interaction and the universality of critical indices for quantum Hall effect plateau-plateau transitions in n-InGaAs/GaAs nanostructures with double quantum wells / Arapov Y.G.¹, Gudina S.V.¹, Klepikova A.S.¹, Neverov V.N.¹, Shelushinina N.G.¹, Yakunin M.V.¹. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2015. — V. 49. — P. 181—186.

33) Scaling in the Quantum Hall Regime for a Double Quantum Well Nanostructure in High Magnetic Field / Yurii G. Arapov¹, Svetlana V. Gudina¹, Anna S. Klepikova¹, Vladimir N. Neverov¹, Sergey G. Novokshonov¹, Vsevolod I. Okulov¹, Tatiana B. Charikova¹, German I. Harus¹, Nina G. Shelushinina¹, Mikhail V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Sol. Stat. Phenomena. — 2014. — V. 215. — P. 208—213.

34) Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами / С.В. Гудина¹, Ю.Г. Арапов¹, В.Н. Неверов¹, С.М. Подгорных¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2013. — V. 39. — P. 481—485.

35) Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, В.Н. Неверов¹, С.М. Подгорных¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2013. — V. 39. — P. 58—65.

36) Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, В.Н. Неверов¹, С.Г. Новокшонов¹, А.С. Клепикова¹, Г.И. Харус¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2013. — V. 39. — P. 66—75.

37) Эффекты туннелирования в наклонных магнитных полях в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно-связанными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, А.С. Клепикова¹, В.Н. Неверов¹, С.М. Подгорных¹, М.В. Якунин¹, Б.Н. Звонков.¹. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2013. — V. 47. — P. 1457—1461.

38) Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with strongly coupled double quantum wells / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2013. — V. 39. — P. 43—49.

39) Temperature dependence of the bandwidth of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, S. G. Novokshonov¹, A. S. Klepikova¹, G. I. Kharus¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2013. — V. 39. — P. 50—57.

40) The effect of infrared radiation on quantum magnetotransport in n-InGaAs/GaAs with two strongly coupled quantum wells / S. V. Gudina¹, Yu. G. Arapov¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2013. — V. 39. — P. 374—373.

41) Tunneling effects in tilted magnetic fields in n-InGaAs/GaAs structures with strongly coupled double quantum wells / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, A. S. Klepikova¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, M. V. Yakunin¹, B. N. Zvonkov¹. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2013. — V. 47. — P. 1447—1451.

42) СКЕЙЛИНГ В РЕЖИМЕ КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В НАНОСТРУКТУРАХ n- InGaAs/GaAs / Арапов Ю.Г.¹, Гудина С.В.¹, Клепикова А.С.¹, Неверов В.Н.¹, Новокшонов С.Г.¹, Харус Г.И.¹, Шелушинина Н.Г.¹, Якунин М.В.¹. – Текст: непосредственный // Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 2013. — V. 144. — P. 166—175.

43) Scaling in the quantum Hall effect regime in n-InGaAs/GaAs nanostructures / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, A. S. Klepikova¹, V. N. Neverov¹, S. G. Novokshonov¹, G. I. Kharus¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Journal Of Experimental And Theoretical Physics. — 2013. — V. 117. — P. 144—152.

44) Magnetotransport in two-dimensional n-InGaAs/GaAs double-quantum-well structures near the transition from the insulator to the quantum Hall effect regime / Yu. G. Arapov¹, I. V. Karskanov¹, G. I. Harus¹, V. N. Neverov¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2009. — V. 35. — P. 32—43.

45) Effect of impurity potential range on a scaling behavior in the quantum Hall regime / Yu.G. Arapov¹, G.I. Harus¹, I.V. Karskanov¹, V.N. Neverov _¹, N.G. Shelushinina¹, M.V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Physica B. — 2009. — V. 404. — P. 5192—5195.

46) Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов¹, И.В. Карсканов¹, В.Н. Неверов¹, Г.И. Харус¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2009. — V. 35. — P. 44—58.

47) Спектр уровней Ландау двойной квантовой ямы в наклонном магнитном поле / Ю.Г. Арапов¹, В.Н. Неверов¹, Г.И. Харус¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2009. — V. 35. — P. 177—182.

48) Spectrum of Landau levels of a double quantum well in an inclined magnetic field / Yu. G. Arapov¹, V. N. Neverov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, M. Ya. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2009. — V. 35. — P. 133—136.

49) Features of quantum effects in two-dimensional GaAs/n-InGaAs/GaAs structures with double quantum wells / Yu. G. Arapov¹, M. V. Yakunin¹, S. V. Gudina¹, I. V. Karskanov¹, V. N. Neverov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, S. M. Podgornykh¹, B. N. Zvonkov¹, E. A. Uskova¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2007. — V. 33. — P. 156—159.

50) Quantum magnetotransport in an n-InxGa1−xAs/GaAs double quantum well in tilted magnetic fields / M. V. Yakunin¹, Yu. G. Arapov¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, G. I. Kharus¹, N. G. Shelushinina¹, B. N. Zvonkov¹, E. A. Uskova¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2007. — V. 33. — P. 151—155.

51) Transport properties of two-dimensional hole gas in a Ge1−xSix/Ge/Ge1−xSix quantum well in a vicinity of metal-insulator transition / Yu.G. Arapov¹, V.N. Neverov¹, G.I. Harus¹, N.G. Shelushinina¹, M.V. Yakunin¹, S.V. Gudina¹, I.V. Karskanov¹, O.A. Kuznetsov¹, A. de Visser¹, L. Ponomarenko¹. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2007. — V. 41. — P. 1333—1340.

52) Stereoscopic oscillations of the InxGa1-xAs/GaAs double quantum well magnetoresistance under tilted magnetic fields / M.V. Yakunin¹, Yu.G. Arapov¹, V.N. Neverov¹, S.M. Podgornyh¹, N.G. Shelushinina¹, G.I. Harus¹, B.N. Zvonkov¹, E.A. Uskova¹. – Текст: непосредственный // International Journal of Modern Physics B. — 2007. — V. 21. — P. 1399—1403.

53) Quantum Hall effect in p-Ge/Ge1-xSix heterostructures with low hole mobility / Yu.G. Arapov¹, G.I. Harus¹, I.V.Karskanov¹, V.N. Neverov¹, N.G. Shelushinina¹, M.V. Yakunin¹, O.A.Kuznetsov¹, L.Ponomarenko¹, A. de Visser¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2007. — V. 33. — P. 147—150.

54) Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix / Арапов Ю.Г.¹, Гудина С.В.¹, Карсканов И.В.¹, Неверов В.Н.¹, Харус Г.И.¹, Шелушинина Н.Г.¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2007. — V. 33. — P. 222—227.

55) Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs с двойными квантовыми ямами / Арапов Ю.Г.¹, Якунин М.В.¹, Гудина С.В.¹, Карсканов И.В.¹, Неверов В.Н.¹, Харус Г.И.¹, Шелушинина Н.Г.¹, Подгорных С.М.¹, Звонков Б.Н.¹, Ускова Е.А.¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2007. — V. 33. — P. 217—221.

56) Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs в наклонных магнитных полях / Якунин М.В.¹, Арапов Ю.Г.¹, Неверов В.Н.¹, Подгорных С.М.¹, Харус Г.И.¹, Шелушинина Н.Г.¹, Звонков Б.Н.¹, Ускова Е.А.¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2007. — V. 33. — P. 211—216.

57) Quantum Hall effect in p-Ge/Ge1-xSix heterostructures with low hole mobility / Arapov Yu.G.¹, Harus G.I.¹, Karskanov I.V.¹, Neverov V.N.¹, Shelushinina N.G.¹, Yakunin M.V.¹, Kuznetsov O.A.¹, Ponomarenko L.¹, de Visser A.¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2007. — V. 33. — P. 207—210.

58) Transport properties of two-dimensional hole gas in a Ge1−xSix/Ge/Ge1−xSix quantum well in a vicinity of metal-insulator transition / Yu.G. Arapov¹, V.N. Neverov¹, G.I. Harus¹, N.G. Shelushinina¹, M.V. Yakunin¹, S.V. Gudina¹, I.V. Karskanov¹, O.A. Kuznetsov¹, A. de Visser¹, L. Ponomarenko¹. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2007. — V. 41. — P. 1315—1322.

59) Transport properties of 2D-electron gas in the InGaAs/GaAs DQW in a vicinity of the Hall insulator - quantum Hall liquid transition / Yu.G.Arapov¹, S.V.Gudina¹, G.I.Harus¹, V.N.Neverov¹, N.G.Shelushinina¹, M.V.Yakunin¹, S.M.Podgornyh¹, B.N.Zvonkov¹. – Текст: непосредственный // International journal of Nanoscience. — 2007. — V. 6. — P. 173—177.

60) Spin Effects in the n-InxGa1−xAs/GaAs Double Quantum Well Magnetoresistance Under Tilted Magnetic Fields / M. V. Yakunin¹, Yu. G. Arapov¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornyh¹, N. G. Shelushinina¹, G. I. Harus¹, B. N. Zvonkov¹, E. A. Uskova¹. – Текст: непосредственный // AIP Conference Proceedings. — 2007. — V. 893. — P. 631—632.

61) Transport Properties of 2D-Electron Gas in a InGaAs/GaAs DQW in a Vicinity of Low Magnetic-Field-Induced Insulator-Quantum Hall Liquid Transition / Yu. G. Arapov¹, M. V. Yakunin¹, S. V. Gudina¹, G. I. Harus¹, V. N. Neverov¹, N. G. Shelushinina¹, S. M. Podgornyh¹, E. A. Uskova¹, B. N. Zvonkov¹. – Текст: непосредственный // AIP Conference Proceedings. — 2007. — V. 893. — P. 647—648.

62) Contributions of the electron–electron interaction and weak localization to the conductance of p-Ge/Ge1−xSix heterostructures / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, I. V. Karskanov¹, V. N. Neverov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2007. — V. 33. — P. 160—164.

63) Spin effects in magnetoresistance induced in an n-In(x)Ga(1-x)As/GaAs double quantum well by a parallel magnetic field / M.V.Yakunin¹, G.A.Al'shanskii¹, Yu.G.Arapov¹, V.N.Neverov¹, G.I.Kharus¹, N.G.Shelushinina¹, B.N.Zvonkov¹, E.A.Uskova¹, A.de Visser¹, L.Ponomarenko¹. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2005. — V. 39. — P. 107—112.

64) Galvanomagnetic study of the quantum-well valence band of germanium in the Ge(1-x)Si(x)/Ge/Ge(1-x)Si(x) potential well / M.V.Yakunin¹, G.A.Al'shanskii¹, Yu.G.Arapov¹, V.N.Neverov¹, G.I.Harus¹, N.G.Shelushinina¹, O.A.Kuznetsov¹, A.de Visser¹, L.Ponomarenko¹. – Текст: непосредственный // Physics of the Solid State. — 2005. — V. 47. — P. 49—53.

65) Спиновые эффекты в индуцированном параллельным магнитным полем магнитосопротивлении двойной квантовой ямы n-In(x)Ga(1-x)As/GaAs / Якунин М.В.¹, Альшанский Г.А.¹, Арапов Ю.Г.¹, Неверов В.Н.¹, Харус Г.И.¹, Шелушинина Н.Г.¹, Звонков Б.Н.¹, Ускова Е.А.¹, де Виссер А.¹, Пономаренко Л.¹. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2005. — V. 39. — P. 118—123.

66) Исследование размерно-квантованной валентной зоны Ge в потенциальной яме Ge(1-x)/Ge/Ge(1-x)Si(x) с помощью гальваномагнитных эффектов / Якунин М.В.¹, Альшанский Г.А.¹, Арапов Ю.Г.¹, Неверов В.Н.¹, Харус Г.И.¹, Шелушинина Н.Г.¹, Кузнецов О.А.¹, де Виссер А.¹, Пономаренко Л.¹. – Текст: непосредственный // Физика твёрдого тела. — 2005. — V. 47. — P. 50—53.

67) Особенности индуцированного параллельным магнитным полем магнитосопротивления двойной квантовой ямы, содержащей электронный или дырочный газ / М. В. Якунин¹, Г. А. Альшанский¹, Ю. Г. Арапов¹, В. Н. Неверов¹, Н. Г. Шелушинина¹, Г. И. Харус¹, О. А. Кузнецов¹, Е. А. Ускова¹, А. де Виссер¹, Л. Пономаренко¹. – Текст: непосредственный // Известия Российской Академии наук. Серия физическая. — 2004. — V. 68. — P. 35—38.

68) Multi-valence-subband magnetotransport in a modulation-doped p-type Ge1-xSix/Ge/Ge1-xSix quantum well / M. V. Yakunin¹, G. A. Alshanskii¹, V. N. Neverov¹, Yu. G. Arapov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, O. A. Kuznetsov¹, A. de Visser¹, L Ponomarenko.¹. – Текст: непосредственный // International Journal of Modern Physics B. — 2004. — V. 18. — P. 3641—3640.

69) Nonmonotonic temperature dependence of p-Ge/GeSi heterostructure resistance at insulator-metal transition / Yu. G. Arapov¹, V. N. Neverov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹, O. A. Kuznetsov¹, L. Ponomarenko¹, A. De Visser¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2004. — V. 30. — P. 1157—1161.

70) Magnetotransport probing of the quality of the heterointerfaces and degree Magnetotransport probing of the quality of the heterointerfaces and degree of symmetry of the potential profile of quantum wells in the valence band of the Ge1-xSix/Ge/Ge1-xSix heterosystem / 15.M.V.Yakunin¹, G. A. Alshanskii¹, Yu.G. Arapov¹, V. N. Neverov¹, G.I. Harus¹, N.G. Shelushinina¹, O.A. Kuznetsov¹, A. de Visser¹, L. Ponomarenko¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2004. — V. 30. — P. 853—857.

71) Nonmonotonic temperature dependence of the resistivity of p-Ge/Ge1-xSix in the region of the metal-insulator transition / 14.Yu.G.Arapov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, M.V. Yakunin¹, V.N. Neverov¹, O.A. Kuznetsov¹, L. Ponomarenko¹, A. de Visser¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2004. — V. 30. — P. 867—870.

72) Magnetotransport probing of quality of the interfaces of quantum wells in the valence band of Ge1-xSix/Ge/Ge1-xSix heterostructures and the symmetry of their potential profile / M. V. Yakunin¹, G. A. Alshanskii¹, Yu. G. Arapov¹, V. N. Neverov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, O. A. Kuznetsov¹, A. de Visser¹, L. Ponomarenko¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2004. — V. 30. — P. 1139—1145.

73) Parallel magnetic field induced magnetoresistance peculiarities of the double quantum well filled with electrons or holes / M. V. Yakunin¹, G. A. Alshanskii¹, Yu. G. Arapov¹, G. I. Harus¹, V. N. Neverov¹, N. G. Shelushinina¹, O. A. Kuznetsov¹, B. N. Zvonkov¹, E. A. Uskova¹, L. Ponomarenko¹, A. de Visser¹. – Текст: непосредственный // Physica E. — 2004. — V. 22. — P. 68—71.

74) Reconstruction of the 2D hole gas spectrum for selectively doped p-Ge/GeSi heterostructures / Yu. G. Arapov¹, G. I. Harus¹, V. N. Neverov¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹, O. A. Kuznetsov¹. – Текст: непосредственный // Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 2003. — V. 123. — P. 137—148.

75) Определение щелей подвижности и плотности локализованных состояний дырок для гетероструктур p-Ge/GeSi в режиме квантового эффекта Холла / Ю. Г. Арапов¹, Г. И. Харус¹, В. Н. Неверов¹, Н. Г. Шелушинина¹, М. В. Якунин¹, О. А. Кузнецов¹. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2002. — V. 36. — P. 550—557.

76) Магнитосопротивление квантовой ямы pGeSi/Ge/pGeSi в параллельном магнитном поле / М. В. Якунин¹, Г. А. Альшанский¹, Ю. Г. Арапов¹, О. А. Кузнецов¹, В. Н. Неверов¹. – Текст: непосредственный // Известия Российской Академии наук. Серия физическая. — 2002. — V. 66. — P. 183—186.

77) The key role of smooth impurity potential in formation of hole spectrum for p-Ge/GeSi heterostructures in the quantum Hall regime / Yu. G. Arapov¹, G. A. Alshanskii¹, G. I. Harus¹, V. N. Neverov¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹, O. A. Kuznetsov¹. – Текст: непосредственный // Nanotechnology. — 2002. — V. 13. — P. 86—93.

78) Квантовые гальваномагнитные явления в системе двух взаимосвязанных двумерных слоев дырок в широкой потенциальной яме pGeSix/Ge/pGeSi / М. В. Якунин¹, Г. А. Альшанский¹, Ю. Г. Арапов¹, В. Н. Неверов¹, О. А. Кузнецов¹. – Текст: непосредственный // Известия Российской Академии наук. Серия физическая. — 2001. — V. 65. — P. 207—210.

79) Probing the p-GeSi/Ge/p-GeSi quantum well by means of quantum Hall effect. / Yu. G. Arapov¹, G. I. Harus¹, V. N. Neverov¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹, G. A. Alshanskii¹, O. A. Kuznetsov¹. – Текст: непосредственный // Nanotechnology. — 2000. — V. 11. — P. 351—358.

Доклады

1) С.В.Гудина. Электрон-электронное взаимодействие в структурах InGaAs/GaAs / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XVI Росс. конф. по физике полупроводников, Россия (Санкт-Петербург), 07.10-11.10.2024, ISBN 978-5-93634-074-5, Тезисы докладов, СПб.: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2024. – P.170 – Текст: непосредственный.

2) S.V.Gudina. Critical behavior of conductivity in the quantum Hall effect regime under large-scale impurity potential / S.V.Gudina, Yu.G.Arapov, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina // XXXIX Fortov Intern. Conf. on Equations of State for Matter (ELBRUS 2024), Elbrus, Kabardino-Balkaria (Россия), 01.03-06.03.2024 – Текст: непосредственный.

3) С.В.Гудина. Магнитосопротивление в двойных квантовых ямах InGaAs/GaAs в параллельном магнитном поле: исследование механизмов рассеяния / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XXV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2024), Екатеринбург (Россия), 12.02-17.02.2024, Тезисы докладов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2024, ISBN 978-5-6045774-9-3. – P.135 – Текст: непосредственный.

Показать еще доклады

4) С.В.Гудина. Исследование механизмов рассеяния в двойных квантовых ямах InGaAs/GaAs в параллельном магнитном поле / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, А.Н.Титов, Т.В.Кузнецова // XXVIII Межд. симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), 11.03-15.03.2024, Труды, Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024, ISBN 978-5-8048-0124-4. – P.625 – Текст: непосредственный.

5) В.Н.Неверов. Температурная зависимость величины сбоя фазы для одиночных и двойных гетеропереходов в квантовых фазовых переходах плато-плато КЭХ / В.Н.Неверов, С.В.Гудина, Н.Г.Шелушинина, Ю.Г.Арапов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин // XXVIII Межд. симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), 11.03-15.03.2024, Труды, Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024, ISBN 978-5-8048-0124-4. – P.754 – Текст: непосредственный.

6) С.В.Гудина. Критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs: крупномасштабный примесный потенциал / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, К.В.Туруткин, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 14-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», Москва (Россия), 24.05-25.05.2023, ISBN 978-5-7262-2958-4, Сборник трудов, М.: НИЯУ МИФИ, 2023. – P.15 – Текст: непосредственный.

7) А.П.Савельев. Исследование механизмов рассеяния в двойных квантовых ямах InGaAs/GaAs в параллельном магнитном поле / А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2022), Екатеринбург (Россия), -14-19 февраля.2022, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2022. – P.164 – Текст: непосредственный.

8) В.Н.Неверов. Механизмы сбоя фазы для одиночных и двойных гетеропереходов в квантовых фазовых переходах плато-плато КЭХ / В.Н.Неверов, С.В.Гудина, Н.Г.Шелушинина, Ю.Г.Арапов, А.С.Боголюбский, А.С.Клепикова, К.В.Туруткин, М.В.Якунин // XV Российская конференция по физике полупроводников, Нижний Новгород (Россия), -3-7 октября.2022, Тез.докл.-Нижний Новгород:Орг.ком. 2022. – P.154 – Текст: непосредственный.

9) С.В.Гудина. Эффективный g-фактор в квантовых ямах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.С.Сандаков, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // Международный семинар «Фазовые переходы и неоднородные состояния в оксидах» International Workshop PTISO22, Казань (Россия), -4-8 июля.2022, Тез.докл.-Казань:Орг.ком. 2022. – P.84 – Текст: непосредственный.

10) С.В.Гудина. Слабая локализация и время фазовой когерентности в структурах InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // 13-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения», Москва (Россия), -25-26 мая.2022, Сб.трудов-Москва:НИЯУ МИФИ 2022. – P.58 – Текст: непосредственный.

11) А.П.Савельев. Крупномасштабный примесный потенциал в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs / А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина // XXI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-21)\rnull, Екатеринбург (Россия), -18-25 марта.2021, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2021. – P.172 – Текст: непосредственный.

12) С.В.Гудина. Квантовый эффект Холла в квантовых ямах InGaAs: активационная проводимость / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, К.В.Туруткин, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // Международная конференция «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах», XIV Межд. семинар молодых ученых «Магнитные фазовые переходы» \rnull, Махачкала (Россия), -12-17 сентября.2021, Тез.не изд. 2021. – P.294 – Текст: непосредственный.

13) С.В.Гудина. Электрон-электронное взаимодействие в структурах InGaAs/GaAs / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // 2-я Конференция «Физика Конденсированных Состояний», посвященная 90-летию со дня рождения акад. Ю.А. Осипьяна\rnull, Черноголовка (Россия), -31 мая – 4 июня.2021, Тез.докл.-Черноголовка:ИФТТ РАН 2021. – P.13 – Текст: непосредственный.

14) С.В.Гудина. Крупномасштабный примесный потенциал в структурах InGaAs/InAlAs: квантовый эффект Холла / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 12-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения» \rnull, Москва (Россия), -19-20 мая.2021, Сб.трудов.- М.: НИЯУ МИФИ 2021. – P.55 – Текст: непосредственный.

15) С.В.Гудина. Квантовое время жизни и электрон-электронное взаимодействие в структурах InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // XXV Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), -9-12 марта.2021, Труды симпозиума-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та 2021. – P.626 – Текст: непосредственный.

16) С.В.Гудина. Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // 11-я Межд. Научно-практич. конф. по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения» \rnull, Москва (Россия), -28 октября .2020, Сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ 2020. – P.11 – Текст: непосредственный.

17) С.В.Гудина. Интерференционный вклад от обменного электрон-электронного взаимодействия в проводимость гетероструктур InGaAs/GaAS / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // XXIV Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» , Нижний Новгород (Россия), -10-13 марта .2020, "Труды симпозиума.-Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета" 2020. – P.543 – Текст: непосредственный.

18) С.В.Гудина. Эффекты обменного взаимодействия в проводимости гетероструктур InGaAs/GaAs / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // XXIII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2020)\rnull, Екатеринбург-Алапаевск (Россия), -17-22 февраля .2020, Тез.докл.-Екатеринбург, Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН 2020. – P.66 – Текст: непосредственный.

19) А.П.Савельев. Сопротивление гетероструктур n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в параллельном плоскости структуры магнитном поле: механизмы рассеяния носителей заряда / А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина // XX Юбилейная Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-20), Екатеринбург (Россия), -21-29 ноября.2019, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2019. – P.124 – Текст: непосредственный.

20) С.В.Гудина. Вклад от обменного электрон-электронного взаимодействия в проводимость структур InGaAs/GaAs с одиночными и двойными квантовыми ямами / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIV Российская конференция по физике полупроводников, Новосибирск (Россия), -9-13 сентября.2019, Тез. докл.-М. Издательство Перо 2019. – P.219 – Текст: непосредственный.

21) С.В.Гудина. Активационная проводимость в режиме квантового эффекта Холла в квантовых ямах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, Е.В.Дерюшкина, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 10-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», Москва (Россия), -15-16 мая.2019, Труды конф.-Москва:НИЯУ МИФИ 2019. – P.11 – Текст: непосредственный.

22) Ю.Г.Арапов. Эффекты электрон-электронного взаимодействия в температурной зависимости проводимости одиночной и двойных квантовых ям InGaAs / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIX Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-19), Екатеринбург (Россия), -15-22 ноября.2018, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2018. – P.112 – Текст: непосредственный.

23) Ю.Г.Арапов. Аномалии квантового эффекта Холла при перекрытии уровней Ландау в структурах n-In0,90Ga0,10As/In0,81Al0,48As с сильным спин-орбитальным взаимодействием / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), Москва-Ростов-на-Дону-Шепси (Россия), -17-22 сентября.2018, Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования 2018. – P.132 – Текст: непосредственный.

24) Е.В.Ильченко. Влияние спин-орбитального взаимодействия на критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAiAs / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), Москва-Ростов-на-Дону-Шепси (Россия), -17-22 сентября.2018, Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования 2018. – P.94 – Текст: непосредственный.

25) С.В.Гудина. Роль спин-орбитального взаимодействия в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), -12-15 марта.2018, Труды конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского госун-та 2018. – P.576 – Текст: непосредственный.

26) Ю.Г.Арапов. Квантовый эффект Холла в условиях смешивания уровней Ландау из-за спин-орбитального взаимодействия в нано-структурах n-In0.9Ga0.1As/In0.81Al0.19As / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), Екатеринбург-Алапаевск (Россия), -19-24 февраля.2018, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2018. – P.78 – Текст: непосредственный.

27) Е.В.Ильченко. Квантовый эффект Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs: роль спин-орбитального взаимодействия / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), Екатеринбург-Алапаевск (Россия), -19-24 февраля.2018, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2018. – P.112 – Текст: непосредственный.

28) Ю.Г.Арапов. Эффекты локализации и делокализации в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе HgTe с широкой квантовой ямой / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.Р.Попов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // НАУЧНАЯ СЕССИЯ Института физики металлов УрО РАН по итогам 2016 года, Екатеринбург (Россия), -27-30 марта.2017, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2017. – P.22 – Текст: непосредственный.

29) Е.В.Ильченко. Ширина полосы делокализованных состояний в режиме квантового эффекта Холла в структурах n-InGaAs/AlInAs со спин-вырожденными уровнями Ландау / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XVIII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-18), Екатеринбург (Россия), -16-23 ноября.2017, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2017. – P.95 – Текст: непосредственный.

30) М.Р.Попов. Прыжковая проводимость в области плато квантового эффекта Холла для гетероструктуры HgTe/HgCdTe / М.Р.Попов, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург (Россия), -2-6 октября.2017, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2017. – P.207 – Текст: непосредственный.

31) Е.В.Ильченко. Эффекты локализации в квантующих магнитных полях в квантовых ямах HgTe / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург (Россия), -2-6 октября.2017, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2017. – P.185 – Текст: непосредственный.

32) Ю.Г.Арапов. Квантовые фазовые переходы в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs со спин-вырожденными уровнями Ландау / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург (Россия), -2-6 октября.2017, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2017. – P.165 – Текст: непосредственный.

33) С.В.Гудина. Переходы плато-плато квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург (Россия), -2-6 октября.2017, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2017. – P.209 – Текст: непосредственный.

34) С.В.Гудина. Расходимость длины локализации в режиме квантового эффекта Холла в широких квантовых ямах HgTe / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург (Россия), -2-6 октября.2017, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2017. – P.198 – Текст: непосредственный.

35) С.В.Гудина. Квантовые фазовые переходы в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs со спин-вырожденными уровнями Ландау / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», Москва (Россия), -24 мая.2017, Сб.трудов-Москва:НИЯУ МИФИ 2017. – P.14 – Текст: непосредственный.

36) С.В. Гудина. Эффекты квантового туннелирования и классического протекания в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе HgTe с широкой квантовой ямой / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.Р. Попов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // XV Конференция – школа молодых ученых «Проблемы физики твердого тела и высоких давлений», Вишневка-Сочи (Россия), -16-25 сентября.2016, Тез.докл.-Москва:ФИАН 2016. – P.99 – Текст: непосредственный.

37) А.С. Клепикова. Условия экспериментального наблюдения скейлинговых закономерностей в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и двойной квантовой ямой / А.С. Клепикова, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, Ю.Г. Арапов, М.В. Якунин, С.В. Гудина, Б.Н. Звонков // XVII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-17), Екатеринбург (Россия), -15-22 ноября.2016, Тез.докл-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2016. – P.107 – Текст: непосредственный.

38) С.В. Гудина. Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в метаморфных наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, А.П. Савельев, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.М. Подгорных, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко // 7-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», Москва (Россия), -25 мая.2016, Сб.трудов-Москва:НИЯУ МИФИ 2016. – P.25 – Текст: непосредственный.

39) S.V. Gudina. Scaling behavior and variable-range hopping conductivity in the quantum Hall plateau transition in a n-InGaAs/InAlAs heterostructures / S.V. Gudina, Yu.G. Arapov, A.P. Savelev, V.N. Neverov, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, I.S. Vasilevskii, A.N. Vinichenko // 24th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», St. Petersburg (Россия), -27 июня – 1 июля.2016, Тр.конф.-St. Petersburg:St Petersburg Academic Univ. 2016. – P.95 – Текст: непосредственный.

40) S.V. Gudina. Quantum Hall effect and variable-range hopping conductivity in n-InGaAs/InAlAs heterostructures / S.V. Gudina, Yu.G. Arapov, A.P. Savelev, V.N. Neverov, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, I.S. Vasilevskii, A.N. Vinichenko // VI Euro-Asian Symp. «Trends in Magnetism» (EASTMAG-2016), Krasnoyarsk (Россия), -15-19 августа.2016, Тез.докл.-Красноярск:ИФ СО РАН 2016. – P.217 – Текст: непосредственный.

41) А.С. Клепикова. Переходы плато-плато квантового эффекта Холла в полупроводниковых гетероструктурах на основе арсенида галлия / А.С. Клепикова, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, А.П. Савельев, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Научная сессия Института физики металлов УрО РАН по итогам 2015 года, Екатеринбург (Россия), -28 марта – 1 апреля.2016, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2016. – P.20 – Текст: непосредственный.

42) С.В. Гудина. Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, А.П. Савельев, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко // XX Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), -14-18 марта.2016, Матер. Конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та 2016. – P.551 – Текст: непосредственный.

43) М.Р. Попов. Прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах HgTe/CdHgTe / М.Р. Попов, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Н.Г. Шелушинина, Г.И. Харус, М.В. Якунин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), Алапаевск (Россия), -15-20 февраля.2016, Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН 2016. – P.137 – Текст: непосредственный.

44) А.П. Савельев. Магнитотранспорт в 2D структурах In-GaAs/GaAs в области перехода изолятор – квантовохолловская жидкость / А.П. Савельев, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), Алапаевск (Россия), -15-20 февраля.2016, Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН 2016. – P.92 – Текст: непосредственный.

45) С.В. Гудина. Квантовый эффект Холла в гетероструктуре HgCdTe/HgTe с инвертированным зонным спектром: от квантового тунне-лирования к классическому протеканию / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.Р. Попов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), Алапаевск (Россия), -15-20 февраля.2016, Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН 2016. – P.110 – Текст: непосредственный.

46) С.В. Гудина. Универсальность критических индексов в квантовом эффекте Холла в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, А.П. Савельев, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), Алапаевск (Россия), -15-20 февраля.2016, Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН 2016. – P.124 – Текст: непосредственный.

47) А.С. Клепикова. Температурная зависимость пиковых значений проводимости в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и двой-ной квантовыми ямами / А.С. Клепикова, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.В. Гудина, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), Алапаевск (Россия), -15-20 февраля.2016, Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН 2016. – P.98 – Текст: непосредственный.

48) Ю.Г. Арапов. Переход изолятор – квантово-холловская жидкость в слабых магнитных полях в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, А.П. Савельев, М.В. Якунин // 11-я летняя межрегиональная школа физиков (ЛМШФ-11), Красноярск-БАМ-Владивосток (Россия), -14 июля – 9 августа.2015 – Текст: непосредственный.

49) М.Р. Попов. Эффекты локализации-делокализации в двумерных гетероструктурах на основе HgTe в режиме квантового эффекта Холла / М.Р. Попов, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // XVI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-16), Екатеринбург (Россия), -12-19 ноября.2015, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2015. – P.96 – Текст: непосредственный.

50) А.П. Савельев. Особенности квантового магнитотранспорта в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs в области перехода изолятор – квантово-холловская жидкость / А.П. Савельев, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // XVI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-16), Екатеринбург (Россия), -12-19 ноября.2015, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2015. – P.97 – Текст: непосредственный.

51) А.С. Клепикова. Температурная зависимость пиковых значений проводимости в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с двойной квантовой ямой после освещения инфракрасным светом / А.С. Клепикова, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, М.В. Якунин // XVI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-16), Екатеринбург (Россия), -12-19 ноября.2015, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2015. – P.87 – Текст: непосредственный.

52) Ю.Г.Арапов. Температурный скейлинг в квантовом эффекте Холла в квантовой яме HgTe с инвертированным энергетическим спектром / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.Р.Попов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XII российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2015), Звенигород (Россия), -21-25 сентября.2015, Тез.докл.-Ершово:Физ.ин-т им.П.Н.Лебедева РАН 2015. – P.261 – Текст: непосредственный.

53) Ю.Г.Арапов. Эффекты 2D-локализации в режиме квантового эффекта Холла в широких квантовых ямах HgTe / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.Р.Попов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // XII российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2015), Звенигород (Россия), -21-25 сентября.2015, Тез.докл.-Ершово:Физ.ин-т им.П.Н.Лебедева РАН 2015. – P.249 – Текст: непосредственный.

54) А.С.Клепикова. Скейлинг в наноструктуре InGaAs/GaAs с двойной квантовой ямой в режиме квантового эффекта Холла / А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Ю.Г.Арапов, М.В.Якунин, С.В.Гудина // XII российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2015), Звенигород (Россия), -21-25 сентября.2015, Тез.докл.-Ершово:Физ.ин-т им.П.Н.Лебедева РАН 2015. – P.183 – Текст: непосредственный.

55) Yu.G.Arapov. 2D-Localization and Delocalization Effects in Quantum Hall Effect Regime in HgTe Wide Quantum Wells / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, V.N.Neverov, S.M.Podgornykh, M.R.Popov, N.G.Shelushinina, G.I.Harus, M.V.Yakunin, S.A.Dvoretsky, N.N.Mikhailov // 17 International Conference on II-VI Compounds and Related Materials или 17 International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI-2015), Paris (France), -13-18 сентября.2015, Тез.докл.-Paris,France:Org.com 2015. – P.324 – Текст: непосредственный.

56) Ю.Г. Арапов. Прыжковая проводимость в области плато квантового эффекта Холла в квантовых ямах HgTe / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.Р. Попов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, C.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // Международная конференция «XXXVII Совещание по физике низких температур« (НТ-37), Казань (Россия), -29 июня-3 июля.2015, Тез.докл.-Казань:Казанский ун-т. 2015. – P.195 – Текст: непосредственный.

57) А.С.Клепикова. Скейлинг в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой после подсветки инфракрасным светом / А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, М.В.Якунин // Международная конференция «XXXVII Совещание по физике низких температур« (НТ-37), Казань (Россия), -29 июня-3 июля.2015, Тез.докл.-Казань:Казанский ун-т. 2015. – P.208 – Текст: непосредственный.

58) Ю.Г.Арапов. Токовый скейлинг и универсальность критических индексов в квантовом эффекте Холла в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.П.Савельев, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Винниченко // XIX Международный сипозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), -10-14 марта.2015, Труды.- Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та 2015. – P.469 – Текст: непосредственный.

59) Ю.Г.Арапов. Квантовый эффект Холла в гетероструктурах на основе теллурида ртути с инвертированным энергетическим спектром / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.Р.Попов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIX Международный сипозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), -10-14 марта.2015, Труды.- Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та 2015. – P.628 – Текст: непосредственный.

60) Yu.G.Arapov. Quantum Phase Transitions in the Quantum Hall Regime for a Double Quantum Well Nanostructure / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, A.S.Klepikova, V.N.Neverov, G.I.Harus, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin // 32-nd International Conference on the Physics of Semiconductors, Austin,Texas (USA), -10-15 августа.2014, Прогр.конф..-Austin,Texas,USA:org.com. 2014. – P.9 – Текст: непосредственный.

61) М.Р.Попов. Квантовый эффект Холла в гетероструктурах на основе теллурида ртути / М.Р.Попов, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-15), Екатеринбург (Россия), -13-20 ноября.2014, Тез.докл.-Екатеринбург: 2014. – P.103 – Текст: непосредственный.

62) Yu.G.Arapov. Scaling in Quantum Hall Plateau-Plateau Transition for a Double Quantum well Nanostricture / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, A.S.Klepikova, V.N.Neverov, G.I.Harus, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin // XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS 2014), Новоуральск (Россия), -17-22 февраля.2014, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2014. – P.88 – Текст: непосредственный.

63) Ю.Г.Арапов. Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs до и после инфракрасного освещения / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, А.П.Савельев, М.В.Якунин // XV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-15), Екатеринбург (Россия), -13-20 ноября.2014, Тез.докл.-Екатеринбург: 2014. – P.209 – Текст: непосредственный.

64) А.С.Клепикова. Скейлинг в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой / А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, М.В.Якунин // XV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-15), Екатеринбург (Россия), -13-20 ноября.2014, Тез.докл.-Екатеринбург: 2014. – P.96 – Текст: непосредственный.

65) Yu.G.Arapov. Electron-electron interaction and universality of quantum Hall effect plateau-plateau transitions / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, A.S.Klepikova, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina, G.I.Harus, M.V.Yakunin // 22 International Symposium «Nanostructures:Physics and Technology», S.Petersburg,Russia (Россия), -23-27 июня.2014, Тр.конф.-St.Peterburg:Academic Univ.Publ. 2014. – P.33 – Текст: непосредственный.

66) Ю.Г.Арапов. Скейлинг в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в квазидвумерных наноструктурах n-InGaAS/GaAS с двойными квантовыми ямами / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, М.В.Якунин // Научная сессия Института физики металлов УрО РАН, Екатеринбург (Россия), -31 марта-4 апреля.2014, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2014. – P.64 – Текст: непосредственный.

67) Ю.Г.Арапов. Скейлинг и универсальность критических индексов в квантовом эффекте Холла и наноструктурах n-InGaAs/GaAS с двойными сильно-связанными квантовыми ямами / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XVIII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), -10-14 марта.2014, Труды симпозиума.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского гос.ун-та 2014. – P.440 – Текст: непосредственный.

68) А.С.Клепикова. Температурная зависимость ширины перехода плато-плато квантового эффекта Холла в ультраквантовой области магнитных полей / А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Д.С.Петухов, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Г.И.Харус // XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS 2014), Новоуральск (Россия), -17-22 февраля.2014, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2014. – P.116 – Текст: непосредственный.

69) А.С.Клепикова. Скейлинг в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в гетероструктурах с двойной квантовой ямой / А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-14), Екатеринбург (Россия), -20-26 ноября.2013, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2013. – P.85 – Текст: непосредственный.

70) Ю.Г.Арапов. Электрон-электронное рассеяние в квазидвумерных структурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно связанными квантовыми ямами / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // XVII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), -11-15 марта.2013, Тр.симп.-Н.Новгород:Ин-т физики микроструктур 2013. – P.416 – Текст: непосредственный.

71) Yu.G.Arapov. Scaling in the quantum Hall regime for a double quantum well nanostructure in high magnetic field / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, A.S.Klepikova, V.N.Neverov, S.G.Novokshonov, T.B.Charikova, G.I.Harus, M.v.Yakunin, N.G.Shelushinina // V Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism:Nanomagnetism»(EASTMAG-2013), Vladivostok (Russia), -15-21 сентября.2013, Тез.докл.-Владивосток: 2013. – P.286 – Текст: непосредственный.

72) Ю.Г.Арапов. Скейдлинг в режиме квантового эффекта Холла в структурах с двойной квантовой ямой / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, С.Г.Новокшонов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XI Российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2013), С.-Петербург (Россия), -16-20 сентября.2013, Тез.докл.-С.-Петербург:ФТИ 2013. – P.252 – Текст: непосредственный.

73) Ю.Г.Арапов. Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.Г.Новокшонов, С.М.Подгорных, А.П.Савельев, М.В.Якунин // XI Российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2013), С.-Петербург (Россия), -16-20 сентября.2013, Тез.докл.-С.-Петербург:ФТИ 2013. – P.232 – Текст: непосредственный.

74) Ю.Г.Арапов. Аномальная зависимость эффекта Холла в структурах с двойной квантовой ямой в параллельных магнитных полях / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XI Российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2013), С.-Петербург (Россия), -16-20 сентября.2013, Тез.докл.-С.-Петербург:ФТИ 2013. – P.266 – Текст: непосредственный.

75) Ю.Г.Арапов. Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAS/GaAS с двумя сильносвязанными квантовыми ямами / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.В.Якунин // XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Новоуральск (Россия), -20-25 февраля.2012, Сб.тез.:Екатеринбург-Новоуральск:УрО РАН 2012. – P.104 – Текст: непосредственный.

76) Ю.Г.Арапов. Неупругое электрон-электронное рассеяние в структурах n-InGaAs/GaAS с двойными сильно-сязанными квантами / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.В.Якунин // XXXVI Международная конференция «Совещание по физике низких температур», С.-Петербург (Россия), -2-6 июля.2012, Тез.докл./С.-Петербург:ФТИ им.А.Ф.Иоффе 2012. – P.223 – Текст: непосредственный.

77) Ю.Г.Арапов. Температурная зависимость квантового времени жизнив структурах n-InGaAS/GaAS с двойными сильно-связанными квантовыми ямами / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных , М.В.Якунин // XIII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-13), Екатеринбург (Россия), -7-14 ноября.2012, Тез.докл./Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2012. – P.102 – Текст: непосредственный.

78) Ю.Г.Арапов. Аномальное поведение коэффициента Холла в гетероструктурах p-Ge/Ge1-xSix в слабых магнитных полях / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова, О.А.Кузнецов, А.Т.Лончаков, В.Н.Неверов // XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Новоуральск (Россия), -20-25 февраля.2012, Сб.тез.:Екатеринбург-Новоуральск:УрО РАН 2012. – P.110 – Текст: непосредственный.

79) Ю.Г.Арапов. Электрон-электронное рассеяние в структурах n-InGaAs/GaAS с двойными сильно-связанными квантовыми ямами / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.В.Якунин // XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Новоуральск (Россия), -20-25 февраля.2012, Сб.тез.:Екатеринбург-Новоуральск:УрО РАН 2012. – P.106 – Текст: непосредственный.

80) Ю.Г.Арапов. Проводимость по подзонам симметричных и антисимметричных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильносвязанными квантовыми ямами / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, М.В.Якунин, С.М.Подгорных, Б.Н.Звонков // X Российская конференция по физике полупроводников, Нижний Новгород (Россия), -19-23 сентября.2011, Тез.докл.:Н.Новгород:Нижегородский гос.ун-т 2011. – P.76 – Текст: непосредственный.

81) Ю.Г.Арапов. Особенности проводимости в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильносвязанными квантовыми ямами, освещённых ИК-излучением / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, М.В.Якунин, С.М.Подгорных, Б.Н.Звонков // XII Всероссийская молодёжная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-12), Екатеринбург (Россия), -14-20 ноября.2011, Тез.докл.:Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2011. – P.70 – Текст: непосредственный.

82) Ю.Г.Арапов. Магнитотранспорт в гетероструктурах p-Ge/GeSi вблизи перехода металл-диэлектрик / Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина // XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Новоуральск (Россия), -15-20 февраля.2010, Тез.докл. Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2010. – P.116 – Текст: непосредственный.

83) Ю.Г.Арапов. Графен: квантовые эффекты при температурах вплоть до комнатных / Ю.Г.Арапов // XI Всероссийская молодёжная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния (СПФКС-XI), Екатеринбург (Россия), -15-21 ноября.2010, Тез.докл.Екатеринбург:УрО РАН 2010. – P.11 – Текст: непосредственный.

84) М.В.Якунин. Обнаружение гигантского спинового расщепления магнитных уровней и его анизотропии в немагнитном двумерном слое с помощью анализа угловой зависимости квантового эффекта Холла / М.В.Якунин, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, С.М.Подгорных, Дж.Галисту, А.де Виссер, Ю.Г.Садофьев, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // Научная сессия ИФМ УрО РАН по итогам 2009 г., Екатеринбург (Россия), -22-26 марта.2010, Сб.тез.Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2010. – P.44 – Текст: непосредственный.

85) Ю.Г.Арапов. Новые закономерности гальваномагнитных явлений в электронных наноструктурах с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла / Ю.Г.Арапов, И.В.Карсканов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, М.В.Якунин, С.М.Подгорных // Научная сессия ИФМ УрО РАН по итогам 2009 г., Екатеринбург (Россия), -22-26 марта.2010, Сб.тез.Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2010. – P.28 – Текст: непосредственный.

86) Ю.Г.Арапов. Зависимость щели в спектре двойной квантовой ямы InGaAs/GaAs от параметров инфракрасной подсветки / Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, М.В.Якунин // XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Новоуральск (Россия), -15-20 февраля.2010, Тез.докл. Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2010. – P.127 – Текст: непосредственный.

87) Ю.Г.Арапов. Переход металл-диэлектрик в квазидвумерном электронном газе в n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, М.В.Якунин // XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Новоуральск (Россия), -15-20 февраля.2010, Тез.докл. Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2010. – P.120 – Текст: непосредственный.

88) Ю.Г.Арапов. Квантовый спиновый эффект Холла в нулевом магнитном поле / Ю.Г.Арапов // Х (Юбилейная) Молодёжная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-10), Екатеринбург (Россия), -9-15 ноября.2009, Тез.докл.:Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2009. – P.53 – Текст: непосредственный.

89) Ю.Г.Арапов. Преход металл-диэлектрик в подзоне антисимметричных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами / Ю.Г.Арапов, И.В.Карсканов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.М.Подгорных // XXXV Совещание по физике низких температур (НТ-35), Черноголовка (Россия), -29 сентября-2 октября.2009, Тез. докл.: М.:Граница 2009. – P.226 – Текст: непосредственный.

90) N.G.Shelushinina. Effect of impurity potential range on a scaling behavior in the quantum Holl regime / N.G.Shelushinina, Yu.G.Arapov, G.I.Harus, I.V.Karskanov, V.N.Neverov, M.V.Yakunin // 25-th International conference on defects in semiconductors (ICDS-25), St.Petersburg (Россия), -20-24 июля.2009, Тез.докл: St.Peterburg: Ioffe in-t 2009. – P.414 – Текст: непосредственный.

91) Ю.Г.Арапов. Определение туннельной щели в двойных квантовых ямах n-InGaAs/GaAs / Ю.Г.Арапов, М.В.Якунин, И.В.Карсканов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, С.М.Подгорных // XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург-Новоуральск (Россия), -18-23 февраля.2008, Тез.докл.Изд-во ИФМ УрО РАН 2008. – P.94 – Текст: непосредственный.

92) Ю.Г.Арапов. Перход металл-диэлектрик в неупорядоченных двумерных электронных структурах. Возможен или нет двумерный металл? / Ю.Г.Арапов // IX Молодежная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-9), Екатеринбург (Россия), -17-23 ноября.2008, Тез.докл.: Екатеринбург: ИФМ УрОРАН 2008. – P.152 – Текст: непосредственный.

93) Yu.G.Arapov. Quantum Hall plateua-plateua transition in p-Ge/Ge1-xSix and n-InxGa1-xAs/GaAS heterostructures / Yu.G.Arapov, G.I.Harus, I.V.Karskanov, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin // XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург-Новоуральск (Россия), -18-23 февраля.2008, Тез.докл.Изд-во ИФМ УрО РАН 2008. – P.72 – Текст: непосредственный.

94) Ю.Г.Арапов. Эффекты локализации и электрон-электронного взаимодействия в гетероструктурах Ge/Ge1-xSix p-типа / Ю.Г.Арапов, Г.И.Харус, В.Н.Неверов, И.В.Карсканов, Н.Г.Шелушинина // XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург-Новоуральск (Россия), -18-23 февраля.2008, Тез.докл.Изд-во ИФМ УрО РАН 2008. – P.80 – Текст: непосредственный.

95) Ю.Г.Арапов. Роль квазидвумерности в режиме квантового эффекта Холла в наклонном магнитном поле / Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург-Новоуральск (Россия), -18-23 февраля.2008, Тез.докл.Изд-во ИФМ УрО РАН 2008. – P.89 – Текст: непосредственный.

96) Ю.Г.Арапов. Спектр уровней Ландау в наклонном магнитном поле / Ю.Г.Арапов, Г.И.Харус, В.Н.Неверов, И.В.Карсканов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург-Новоуральск (Россия), -18-23 февраля.2008, Тез.докл.Изд-во ИФМ УрО РАН 2008. – P.91 – Текст: непосредственный.

97) Ю.Г.Арапов. Физика и формирование электрических и магнитных свойств полупровдниковых наноструктур / Ю.Г.Арапов // XI Международная конференция «Дислокационная структура и механические свойства металлов и сплавов» - ДСМСМС-2008, Екатеринбург (Россия), -10-14 апреля.2008, Тез.докл.: УрО РАН 2008. – P.18 – Текст: непосредственный.

98) Ю.Г.Арапов. Определение туннельной щели в двойных квантовых ямах n-InGaAs/GaAs / Ю.Г.Арапов, М.В.Якунин, И.В.Карсканов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, С.М.Подгорных // VIII Российская конференция по физике полупроводников Полупроводники-2007, Екатеринбург (Россия), -30 сентября-5 октября 2007.2007, 2007. – P. – Текст: непосредственный.

99) Yu.G.Arapov. Quantum Hall plateau-plateau transition in p-Ge/Ge1-xSix and n-In1-xGaxAs/GaAs heterostructures / Yu.G.Arapov, G.I.Harus, I.V.Karskanov, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin // 15th International Simposium Nanostructures: Physics and technology, Novosibirsk (Russia), -25-29 июня 2007.2007, 2007. – P. – Текст: непосредственный.

100) Yu.G.Arapov. Direct observation of the transition from the diffusive to the ballistic regime in a p-Ge/Ge1-xSix and n-In1-xGaxAs/GaAs quantum wells / Yu.G.Arapov, G.I.Harus, I.V.Karskanov, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin // 15th International Simposium Nanostructures: Physics and technology, Novosibirsk (Russia), -25-29 июня 2007.2007, 2007. – P. – Текст: непосредственный.

101) Ю.Г.Арапов. Спектр уровней Ландау в двойной квантовой яме в наклонном магнитном поле / Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // VIII Российская конференция по физике полупроводников Полупроводники-2007, Екатеринбург (Россия), -30 сентября-5 октября 2007.2007, 2007. – P. – Текст: непосредственный.

102) M.V. Yakunin. Spin effect in the InxGa1-xAs/GaAs double quantum well magnetoresistance under tilted magnetic fields / M.V. Yakunin, Yu.G. Arapov, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, N.G. Shelushinina, G.I. Harus, B.N. Zvonkov, E.A. Uskova // 28th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-28), Austria, Vienna (), -7.2006, 2006. – P. – Текст: непосредственный.

103) Ю.Г.Арапов. Переход плато-плато в режиме квантового эфекта Холла в гетероструктурах p-Ge/Ge1-хSix / Ю.Г.Арапов, М.А. Гинс, И.В.Карсканов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // 7-й Молодежный семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества, Новоуральск-Екатеринбург (), -11.2006, 2006. – P. – Текст: непосредственный.

104) Ю.Г. Арапов. Немонотонная температурная зависимость константы Холла для 2D электронного газа в структурах n-InxGa1-xAs/GaAs в области перехода от диффузионного к баллистическому режиму / Ю.Г. Арапов, С.И. Гудина, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.М. Подгорных, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // XVI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, UIWSPS-2006, Екатеринбург-Кыштым (), -2.2006, 2006. – P. – Текст: непосредственный.

105) М.В. Якунин. Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs в присутствии параллельной компоненты магнитного поля / М.В. Якунин, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Н.Г. Шелушинина, Г.И. Харус, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // XVI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, UIWSPS-2006, Екатеринбург-Кыштым (), -2.2006, 2006. – P. – Текст: непосредственный.

106) Ю.Г. Арапов. Квантовые поправки к магнитосопротивлению гетероструктур p-Ge/Ge1-хSiх / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина // XVI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, UIWSPS-2006, Екатеринбург-Кыштым (), -2.2006, 2006. – P. – Текст: непосредственный.

107) Ю.Г. Арапов. Особенности перехода от слабой локализации к режиму квантового эффекта Холла в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.М. Подгорных, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // X Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (), -3.2006, 2006. – P. – Текст: непосредственный.

108) Ю.Г. Арапов. Переход плато-плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах p-Ge/Ge1-xSix / Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // 34-е совещание по физике низких температур (НТ-34), Ростов-на-Дону (), -9.2006, 2006. – P. – Текст: непосредственный.

109) Ю.Г. Арапов. Влияние заселенности подзоны антисимметричных состояний в двойной квантовой яме на квантовые поправки к продольной и холловской проводимости GaAs/n-InGaAs/GaAs наноструктур / Ю.Г. Арапов, М.В. Якунин, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, С.М. Подгорных, Б.Н. Звонков // 34-е совещание по физике низких температур (НТ-34), Ростов-на-Дону (), -9.2006, 2006. – P. – Текст: непосредственный.

110) М.В. Якунин. Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs в наклонных магнитных полях / М.В. Якунин, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Н.Г. Шелушинина, Г.И. Харус, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // 34-е совещание по физике низких температур (НТ-34), Ростов-на-Дону (), -9.2006, 2006. – P. – Текст: непосредственный.

111) M.V. Yakunin. Spin effect in stereoscopic pictures of the n-InxGa1-xAs/GaAs double quantum well magnetoresistance dependencies on the perpendicular and parallel field components / M.V. Yakunin, Yu.G. Arapov, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, N.G. Shelushinina, G.I. Harus, B.N. Zvonkov, E.A. Uskova // X Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (), -3.2006, 2006. – P. – Текст: непосредственный.

112) M.V. Yakunin. Spin effect in stereoscopic pictures of the n-InxGa1-xAs/GaAs double quantum well magnetoresistance dependencies on the perpendicular and parallel field components / M.V. Yakunin, Yu.G. Arapov, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, N.G. Shelushinina, G.I. Harus, B.N. Zvonkov, E.A. Uskova // 14th International Symposium “Nanostructures: Physics and technology”, С-Петербург (), -6.2006, 2006. – P. – Текст: непосредственный.

113) M.V. Yakunin. Stereoscopic oscillations of the InxGa1-xAs/GaAs double quantum well magnetoresistance under tilted magnetic fields / M.V. Yakunin, Yu.G. Arapov, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, N.G. Shelushinina, G.I. Harus, B.N. Zvonkov, E.A. Uskova // 17th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics (HMF-17), Germany, Wurzburg (), -7.2006, 2006. – P. – Текст: непосредственный.

114) Yu.G. Arapov. Transport properties of 2D-electron gas in InGaAs/GaAs DQW in a vicinity of low-magnetic-field-induced Hall insulator-quantum Hall liquid transition / Yu.G. Arapov, M.V. Yakunin, S.V. Gudina, G.I. Harus, V.N. Neverov, N.G. Shelushinina, S.M. Podgornykh, B.N. Zvonkov, E.A. Uskova // 28th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-28), Austria, Vienna (), -7.2006, 2006. – P. – Текст: непосредственный.

115) Yu.G.Arapov. Transport properties of 2D-electron gas in InGaAs/GaAs DQW in a vicinity of the Hall insulator-quantum Hall liquid transition / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, G.I..Harus, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin, S.M.Podgornykh, E.A..Uskova, B.N.Zvonkov // 13th International Symposium ??Nanostructures: Physics and Technology??, St-Petersburg,Russia (), -June, 2005.2005, 2005. – P. – Текст: непосредственный.

116) И.В.Карсканов. Разделение вкладов электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge1-хSix / И.В.Карсканов, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // VI Молодежный семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества, Екатеринбург, Россия (), -28 .11 - 4.12, 2005.2005, 2005. – P. – Текст: непосредственный.

117) М.А. Гигс. Квантовый эффект Холла в гетероструктурах p-Ge/Ge1-xSix с низкой подвижностью дырок / М.А. Гигс, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // VI Молодежный семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества, Екатеринбург, Россия (), -28 .11 - 4.12, 2005.2005, 2005. – P. – Текст: непосредственный.

118) Ю.Г. Арапов. Транспортные свойства 2D-электронного газа в InGaAs/GaAs DQW в окрестности перехода ??холловский изолятор??-??квантовая жидкость?? / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, Г.И. Харус, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.М. Подгорных, Е.А. Ускова, Б.Н. Звонков // 13-й Международный симпозиум ??Наноструктуры: физика и технология??, С.-Петербург, Россия (), -.2005, 2005. – P. – Текст: непосредственный.

119) Ю.Г.Арапов. Квантовые поправки к продольной и Холловской проводимости 2D-электронного газа в двойных квантовых ямах GaAs/n-InGaAs/GaAs в области перехода от диффузионного к баллистическому режиму / Ю.Г.Арапов, C.B.Гудина, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.М.Подгорных, Б.Н.Звонков, Е.А.Ускова // IX-й симпозиум ??Нанофизика и наноэлектроника??, Нижний Новгород, Россия (), -март, 2005.2005, 2005. – P. – Текст: непосредственный.

120) М.В.Якунин. Осциллирующие зависимости магнитосопротивления от параллельной компоненты магнитного поля в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs / М.В.Якунин, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М. Подгорных, Б.Н.Звонков, Е.А.Ускова // IX-й симпозиум ??Нанофизика и наноэлектроника??, Нижний Новгород, Россия (), -март, 2005.2005, 2005. – P. – Текст: непосредственный.

121) М.В.Якунин. Осциллирующие зависимости магнитосопротивления от параллельной компоненты магнитного поля в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs / М.В.Якунин, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М. Подгорных, Б.Н.Звонков, Е.А.Ускова // 7-я Российская конференция по физике полупроводников, Москва (), -18-23 .09, 2005.2005, 2005. – P. – Текст: непосредственный.

122) Ю.Г.Арапов. Квантовые поправки к продольной и холловской проводимости 2D-электронного газа в двойных квантовых ямах GaAs/n-In xGa1-xAs в области перехода от диффузионного к баллистическому режиму / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.М.Подгорных, Б.Н.Звонков, Е.А.Ускова // Симпозиум ??Нанофизика и наноэлектроника??, Нижний Новгород, Россия (), -25 - 29 .03, 2005.2005, 2005. – P. – Текст: непосредственный.

123) М.В.Якунин. Осциллирующие зависимости магнитосопротивления от параллельной компоненты магнитного поля в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs / М.В.Якунин, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Б.Н.Звонков, Е.А.Ускова // Симпозиум ??Нанофизика и наноэлектроника??, Нижний Новгород, Россия (), -25 - 29 .03, 2005.2005, 2005. – P. – Текст: непосредственный.

124) Ю.Г.Арапов. Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гтероструктур p-Ge/GeSi / Ю.Г.Арапов, С.В. Гудина, В.Н.Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина // 7-я Российская конференция по физике полупроводников, Москва (), -18-23 .09, 2005.2005, 2005. – P. – Текст: непосредственный.

125) М.В.Якунин. Осциллирующие зависимости магнитосопротивления от параллельной компоненты магнитного поля в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs / М.В.Якунин, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Б.Н.Звонков, Е А.Ускова // 7-я Российская конференция по физике полупроводников, Москва (), -18-23 .09, 2005.2005, 2005. – P. – Текст: непосредственный.

126) Д.В.Перов. сверхдлиннопериодных сейсмических осцилляций / Д.В.Перов, A.Б.Ринкевич, О.А.Кусонский // XVI сессии Российского акустического общества, Москва (), -.2005, 2005. – P. – Текст: непосредственный.