4) Features of Magnetotransport in a HgTe/CdHgTe Double Quantum Well with an Intermediate Degree of Band Inversion / M. V. Yakunin1, V. Ya. Aleshkin0, S. M. Podgornykh1, V. N. Neverov1, M. R. Popov1, N. N. Mikhailov0, S. A. Dvoretsky0. – Текст: непосредственный // JETP Letters. — 2022. — V. 116 – No. 6. — P. 385—393.
5) Особенности магнитотранспорта в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe с промежуточной степенью инверсии зон / М.В. Якунин1, В.Я. Алешкин0, С.М. Подгорных1, В.Н. Неверов1, М.Р. Попов1, Н.Н. Михайлов0, С.А. Дворецкий0. – Текст: непосредственный // Письма в ЖЭТФ. — 2022. — V. 116 – No. 6. — P. 378—387.
6) Quantum Oscillations of Magnetoresistance in HgCdTe/HgTe/HgCdTe Heterostructures with Inverted Band Spectrum / A. S. Bogoliubskii1, S. V. Gudina1, V. N. Neverov1, K. V. Turutkin1, S. M. Podgornykh1, N. G. Shelushinina1, M. V. Yakunin1, N. N. Mikhailov0, and S. A. Dvoretsky0. – Текст: непосредственный // Physics of the Solid State. — 2022. — V. 64 – No. 3. — P. 107—117.
7) Rashba Spin Splitting in HgCdTe Quantum Wells with Inverted and Normal Band Structures / Svetlana V. Gudina1, Vladimir N. Neverov1, Mikhail R. Popov1, Konstantin V. Turutkin1, Sergey M. Podgornykh1, Nina G. Shelushinina1, Mikhail V. Yakunin1, Nikolay N. Mikhailov0, Sergey A. Dvoretsky0. – Текст: непосредственный // Nanomaterials . — 2022. — V. 12 – No. 7. — P. 1238—1252.
8) Features of the electronic transport of topological semimetal PtSn4 and WTe2 single crystals / A. N. Perevalova1, S. V. Naumov1, S. M. Podgornykh1, E. B. Marchenkova1, V. V. Chistyakov1, J. C. A. Huang0, V. V. Marchenkov2. – Текст: непосредственный // AIP Advances. — 2022. — V. 12 – No. 3. — P. 35225—35228.
9) Peculiarities of electronic transport in WTe2 single crystal / V.V. Marchenkov2, A.N. Perevalova Domozhirova1, S.V. Naumov1, S.M. Podgornykh1, E.B. Marchenkova1, V.V. Chistyakov1, J.C.A. Huang0. – Текст: непосредственный // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. — 2022. — V. 549. — P. 168985—168988.
10) Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures
/ A. P. Savelyev1, Yu. G. Arapov1, S. V. Gudina1, V. N. Neverov1, S. M. Podgornykh1, N. G. Shelushinina1, M. V. Yakunin1. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2021. — V. 47 – No. 1. — P. 14—19.
11) Квантовые осцилляции магнетосопротивления в гетероструктурах HgCdTe/HgTe/HgCdTe с инвертированным зонным спектром / Боголюбский А.С.1, Гудина С.В.1, Неверов В.Н.1, Туруткин К.В.0, Подгорных С.М.1, Шелушинина Н.Г.1, Якунин М.В.1, Михайлов Н.Н.0, Дворецкий C.А.0. – Текст: непосредственный // Физика твёрдого тела. — 2021. — V. 63 – No. 12. — P. 1983—1994.
12) Electro- and magnetotransport properties of a WTe2 single crystal / A.N. Domozhirova1, S.V. Naumov1, S.M. Podgornykh1, E.B. Marchenkova1, V.V. Chistyakov1, A.A. Semiannikova1, J.C.A. Huang0, V.V. Marchenkov2. – Текст: непосредственный // Journal of Physics: Conference Series. — 2021. — V. 1851. — P. 12023—12026.
13) Peculiarities of the electro- and magnetoresistivity of WTe2 and MoTe2 single crystals before and after quenching / A. N. Domozhirova1, S. V. Naumov1, S. M. Podgornykh1, E. B. Marchenkova1, V. V. Chistyakov1, J. C. A. Huang0, V. V. Marchenkov2. – Текст: непосредственный // AIP Advances. — 2021. — V. 11. — P. 15226—15229.
14) Anomalous phase shift of magneto-oscillations in HgTe quantum well with inverted energy spectrum / Svetlana V.Gudina1, Andrei S.Bogoliubskii1, Anna S.Klepikova1, Vladimir N.Neverov1, Konstantin V.Turutkin1, Sergey M.Podgornykh1, Nina G.Shelushinina1, Mikhail V.Yakunin1, Nikolay N.Mikhailov0, Sergey A.Dvoretsky0. – Текст: непосредственный // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. — 2021. — V. 524. — P. 167655—167660.
15) Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures / A. P. Savelyev1, Yu. G. Arapov1, S. V. Gudina1, V. N. Neverov1, S. M. Podgornykh1, N. G. Shelushinina1, M. V. Yakunin1. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2021. — V. 47 – No. 1. — P. 18—23.
16) Unconventional reentrant quantum Hall effect in a HgTe/CdHgTe double quantum well / M. V. Yakunin1, S. S. Krishtopenko0, W. Desrat0, S. M. Podgornykh1, M. R. Popov1, V. N. Neverov1, S. A. Dvoretsky0, N. N. Mikhailov0, F. Teppe0, B. Jouault0. – Текст: непосредственный // Physical Review B. — 2020. — V. 102 – No. 16. — P. 165305—165314.
17) Effective Mass and g-Factor of two-dimentional HgTe _8-band electrons: Shubnikov-de Haas oscillations / Neverov V.N.1, Bogolubskii A.S.1, Gudina S.V.1, Podgornykh S.M.2, Turutkin K.V.1, Popov M.R.1, Shelushinina N.G.1, Yakunin M.V.2, Mikhailov N.N.0, Dvoretsky S.A.0. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2020. — V. 54 – No. 8. — P. 830—833.
18) Effective Mass and g-Factor of Two-Dimentional HgTe Γ8-Band Electrons: Shubnikov-de Haas Oscillations / Neverov V.N.1, Bogolubskii A.S.1, Gudina S.V.1, Podgornykh S.M.2, Turutkin K.V.1, Popov M.R.1, Shelushinina N.G.1, Yakunin M.V.2, Mikhailov N.N.0, Dvoretsky S.A.0. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2020. — V. 54 – No. 8. — P. 982—990.
19) Electronic transport features of MoTe2 caused by quenching / V V Marchenkov2, A N Domozhirova1, S V Naumov1, S M Podgornykh1, V V Chistyakov1, P S Korenistov1, J C A Huang0. – Текст: непосредственный // Journal of Physics: Conference Series. — 2020. — V. 1695. — P. 12144—12149.
20) Effect of exchange electron-electron interaction on conductivity of InGaAs single and double quantum wells / Gudina S.V.1, Arapov Y.G.1, Neverov V.N.1, Savelyev A.P.1, Podgornykh S.M.2, Shelushinina N.G.1, Yakunin M.V.2. – Текст: непосредственный // Physica E. — 2019. — V. 113. — P. 14—20.
21) HgTe quantum wells with inverted band structure: Quantum Hall effect and the large-scale impurity potential / S. V. Gudina1, Yu. G. Arapov1, V. N. Neverov1, S. M. Podgornykh1, M. R. Popov1, E. V. Deriushkina1, N. G. Shelushinina1, M. V. Yakunin1, N. N. Mikhailov0, S. A. Dvoretsky0. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2019. — V. 45 – No. 4. — P. 412—418.
22) HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential / S.V. Gudina1, Yu.G. Arapov1, V.N. Neverov1, S.M. Podgornykh1, M.R. Popov1, E.V. Deriushkina0, N.G. Shelushinina1, M.V. Yakunin1, N.N. Mikhailov0, S.A. Dvoretsky0. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2019. — V. 45 – No. 4. — P. 476—483.
23) Quantum Hall transitions in the presence of Landau levels mixing in n-InGaAs/InAlAs structures / S V Gudina1, Yu G Arapov1, E V Ilchenko1, V N Neverov1, A P Savelyev1, S M Podgornykh1, N G Shelushinina1, M V Yakunin1, I S Vasil'evskii0, A N Vinichenko0. – Текст: непосредственный // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. — 2019. — V. 475 – No. 1. — P. 12029—12036.
24) Температурная активация электронов проводимости в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe p-типа проводимости со слоями HgTe критической толщины / С.М. Подгорных2, М.В. Якунин2, С.С. Криштопенко1, М.Р. Попов1, Н.Н. Михайлов1, С.А. Дворецкий1. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2019. — V. 53 – No. 7. — P. 935—940.
25) On the Thermal Activation of Conductivity Electrons in a p-Type HgTe/CdHgTe Double Quantum Well with HgTe Layers of Critical Width / S. M. Podgornykh2, M. V. Yakunin2, S. S. Krishtopenko1, M. R. Popov1, N. N. Mikhailov1, S. A. Dvoretskii1. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2019. — V. 53 – No. 7. — P. 919—922.
26) Эффективная масса и g-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути / С.В. Гудина1, В.Н. Неверов1, Е.В. Ильченко1, А.С. Боголюбский1, Г.И. Харус1, Н.Г. Шелушинина1, С.М. Подгорных2, М.В. Якунин2, Н.Н. Михайлов0, С.А. Дворецкий0. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2018. — V. 52 – No. 1. — P. 16—22.
27) Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs / Гудина С.В.1, Арапов Ю.Г.1, Ильченко Е.В.1, Неверов В.Н.1, Савельев А.П.1, Подгорных С.М.2, Шелушинина Н.Г.1, Якунин М.В.2, Васильевский И.С.0, Виниченко А.Н.0. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2018. — V. 52 – No. 12. — P. 1447—1455.
28) Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures / S. V. Gudina1, Yu. G. Arapov1, E. I. Ilchenko1, V. N. Neverov1, A. P. Savelyev1, S. M. Podgornykh2, N. G. Shelushinina1, M. V. Yakunin2, I. S. Vasil’evskii0, A. N. Vinichenko0. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2018. — V. 52 – No. 12. — P. 1551—1558.
29) Electron Effective Mass and g Factor in Wide HgTe Quantum Wells / S. V. Gudina1, V. N. Neverov1, E. V. Ilchenko1, A. S. Bogolubskii1, G. I. Harus1, N. G. Shelushinina1, S. M. Podgornykh1, M. V. Yakunin1, N. N. Mikhailov1, S. A. Dvoretsky1. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2018. — V. 52 – No. 1. — P. 12—18.
30) Закономерности проявлений магнитного упорядочения в аномалиях эффекта холла и магнитосопротивления сплавов Fе-V-Al вблизи стехиометрического состава / Окулов В.И.1, Марченков В.В.1, Говоркова Т.Е.1, Лончаков А.Т.1, Усик А.Ю.1, Подгорных С.М.1, Жевстовских И.В.1, Окулова К.А.1, Бобин С.Б.1, Дерюшкин В.В.1. – Текст: непосредственный // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. — 2017. — V. 10 – No. 2. — P. 218—220.
31)
32)
33) New data and developments pertaining to ideas about the electron system of hybridized states of cobalt impurity atoms in a mercury selenide crystal / T.E.Govorkova1, I.V.Zhevstovskikh1, A.T.Lonchakov1, V.I.Okulov1, K.A.Okulova1, S.M.Podgornykh1, S.B.Bobin1, V.V.Deryushkin1, L.D.Paranchich1. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2017. — V. 43 – No. 4. — P. 508—514.
34) Quantum Hall effect in n-InGaAs/InAlAs metamorphic nanoheterostructures with high InAs content / Svetlana Gudina1, Yurii Arapov1, Alexander Savelyev1, Vladimir Neverov1, Sergey Podgornykh1, Nina Shelushinina1, Michail Yakunin1, Krzysztof Rogacki1, Ivan Vasil'evskii1, Alexander Vinichenko1. – Текст: непосредственный // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. — 2017. — V. 440. — P. 10—12.
35) Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure / S.V. Gudina1, V.N. Neverov1, E.G. Novik1, E.V. Ilchenko1, G.I. Harus1, N.G. Shelushinina1, S.M. Podgornykh1, M.V. Yakunin1, N.N. Mikhailov1, S.A. Dvoretsky1. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2017. — V. 43 – No. 4. — P. 605—611.
36) Новые данные и развитие представлений об электронной системе гибридизированных состояний примесных атомов кобальта в кристалле селенида ртути / Т.Е. Говоркова1, И.В. Жевстовских1, А.Т. Лончаков1, В.И. Окулов1, К.А. Окулова1, С.М. Подгорных1, С.Б. Бобин1, В.В. Дерюшкин1, Л.Д. Паранчич1. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2017. — V. 43 – No. 4. — P. 634—642.
37) Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs / А.П. Савельев1, С.В. Гудина1, Ю.Г. Арапов1, В.Н. Неверов1, С.М. Подгорных1, М.В. Якунин1. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2017. — V. 43 – No. 4. — P. 612—617.
38)
39)
40)
41)
42)
43)
44)
45)
46)
47)
48)
49)
50)
51)
52)
53)
54)
55)
56)
57)
58)
59)
60)
61)
62)
63)
64)
65)
66)
67)
68)
69)
70)
71)
72)
73)
74)
75)
76)
77)
78)
79)
80)
81)
82)
83)
84)
85)
86)
87)
88)
89)
90)
91)
92)
93)
94)
95)
96)
97)
98)
99)
100)
101)
102)
103)
104)
105)
106)
107)
108)
109)
110)
111)
112)
113)
114)
115)
116)
117)