Личная карточка

Савельев Александр Павлович

Научный сотрудник (Лаборатория полупроводников и полуметаллов)

Контактная информация:
Тел.: 378-35-63,
внутренний тел.: 35-63
Корпус А, комната 305
Электронный адрес: sasha.savelev@gmail.com

Наукометрические данные (по состоянию на 20.08.2024г):
Web of Science: h-index - 2; Sum of the Times Cited - 15
Scopus: h-index - 3; Sum of the Times Cited - 19
РИНЦ (SCIENCE INDEX): Индекс Хирша - 3; Цитируемость - 33
Личные страницы автора в системах: WoS, Scopus ID, ORCID, РИНЦ, База публикаций ИФМ

Статьи

1) Temperature dependence of the electron quantum lifetime in InGaAs/GaAs double quantum well: Fukuyama-Abrahams mechanism / S.V. Gudina¹, Yu.G. Arapov¹, V.N. Neverov¹, A.P. Savelyev¹, N.S. Sandakov¹, N.G. Shelushinina¹, M.V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Physica E. — 2024. — V. 165. — P. 116113—116118.

2) Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures / A. P. Savelyev¹, Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2021. — V. 47 – No. 1. — P. 14—19.

3) Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures / A. P. Savelyev¹, Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2021. — V. 47 – No. 1. — P. 18—23.

Показать еще статьи

4) Annealing stability of the domain structure in periodically poled MgO doped lithium niobate single crystals / Saveliev E.D.⁰, Saveliev A.P.¹, Akhmatkhanov A.R.⁰, Baturin I.S.⁰, Ya. Shur V.⁰. – Текст: непосредственный // Ferroelectrics. — 2019. — V. 542 – No. 1. — P. 45—51.

5) Quantum Hall transitions in the presence of Landau levels mixing in n-InGaAs/InAlAs structures / S V Gudina¹, Yu G Arapov¹, E V Ilchenko¹, V N Neverov¹, A P Savelyev¹, S M Podgornykh¹, N G Shelushinina¹, M V Yakunin¹, I S Vasil'evskii⁰, A N Vinichenko⁰. – Текст: непосредственный // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. — 2019. — V. 475 – No. 1. — P. 12029—12036.

6) Effect of exchange electron-electron interaction on conductivity of InGaAs single and double quantum wells / Gudina S.V.¹, Arapov Y.G.¹, Neverov V.N.¹, Savelyev A.P.¹, Podgornykh S.M.², Shelushinina N.G.¹, Yakunin M.V.². – Текст: непосредственный // Physica E. — 2019. — V. 113. — P. 14—20.

7) К вопросу о природе перехода в фазу квантового эффекта Холла / Савельев А.П.¹, Арапов Ю.Г.¹, Гудина С.В.¹, Шелушинина Н.Г.¹, Якунин М.В.¹. – Текст: непосредственный // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. — 2018. — V. - – No. 12/2. — P. 209—216.

8) Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures / S. V. Gudina¹, Yu. G. Arapov¹, E. I. Ilchenko¹, V. N. Neverov¹, A. P. Savelyev¹, S. M. Podgornykh², N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin², I. S. Vasil’evskii⁰, A. N. Vinichenko⁰. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2018. — V. 52 – No. 12. — P. 1551—1558.

9) Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs / Гудина С.В.¹, Арапов Ю.Г.¹, Ильченко Е.В.¹, Неверов В.Н.¹, Савельев А.П.¹, Подгорных С.М.², Шелушинина Н.Г.¹, Якунин М.В.², Васильевский И.С.⁰, Виниченко А.Н.⁰. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2018. — V. 52 – No. 12. — P. 1447—1455.

10) Quantum Hall effect in n-InGaAs/InAlAs metamorphic nanoheterostructures with high InAs content / Svetlana Gudina¹, Yurii Arapov¹, Alexander Savelyev¹, Vladimir Neverov¹, Sergey Podgornykh¹, Nina Shelushinina¹, Michail Yakunin¹, Krzysztof Rogacki¹, Ivan Vasil'evskii¹, Alexander Vinichenko¹. – Текст: непосредственный // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. — 2017. — V. 440. — P. 10—12.

11) Insulator-quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures / A. P. Savelyev¹, S. V. Gudina¹, Yu. G. Arapov¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgonykh¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2017. — V. 43 – No. 4. — P. 491—494.

12) Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs / А.П. Савельев¹, С.В. Гудина¹, Ю.Г. Арапов¹, В.Н. Неверов¹, С.М. Подгорных¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2017. — V. 43 – No. 4. — P. 612—617.

13) Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs / С.В. Гудина¹, Ю.Г. Арапов¹, А.П. Савельев¹, В.Н. Неверов¹, С.М. Подгорных¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹, И.С. Васильевский¹, А.Н. Виниченко¹. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2016. — V. 50 – No. 12. — P. 1669—1675.

14) Quantum Hall Effect and Hopping Conductivity in n-InGaAs/InAlAs Nanoheterostructures / S. V. Gudina¹, Yu. G. Arapov¹, A. P. Saveliev¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹, I. S. Vasil’evskii¹, A. N. Vinichenko¹. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2016. — V. 50 – No. 12. — P. 1641—1646.

15) Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения / Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, В.Н. Неверов¹, С.М. Подгорных¹, А.П. Савельев¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2015. — V. 41. — P. 289—303.

16) Quantum magnetotransport in n-InGaAs/GaAs structures with electron density changes caused by infrared radiation / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, A. P. Saveliev¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2015. — V. 41. — P. 221—232.

17) ПЕРЕХОД ИЗОЛЯТОР – КВАНТОВО-ХОЛЛОВСКАЯ ЖИДКОСТЬ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ N-INGAAS/GAAS / Савельев А.П.¹, Арапов Ю.Г.¹, Гудина С.В.¹, Неверов В.Н.¹, Подгорных С.М.¹, Якунин М.В.¹. – Текст: непосредственный // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. — 2015. — V. 12 – No. 3. — P. 439—443.

18) Интерференция спиновых и туннельных щелей в квантовом магнитотранспорте двойной квантовой ямы n-InGaAs/GaAs / М.В. Якунин¹, С.М. Подгорных¹, В.Н. Неверов¹, А.П. Савельев¹, А. де Виссер¹, Дж. Галисту¹. – Текст: непосредственный // Труды московского физико-технического института. — 2014. — V. 6 – No. 1(21). — P. 33—38.

19) ЭВОЛЮЦИЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ ДВОЙНОЙ КВАНТОВОЙ ЯМЫ N-INGAAS/GAAS В НАКЛОННЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ / Савельев А.П.¹, Якунин М.В.¹, Подгорных С.М.¹, Гудина С.В.¹. – Текст: непосредственный // Известия Российской Академии наук. Серия физическая. — 2014. — V. 78. — P. 1171—1175.

20) Evolution of the energy structure of n-InGaAs/GaAs double quantum wells in tilted magnetic fields / A. P. Savelyev¹, M. V. Yakunin¹, S. M. Podgornykh¹, S. V. Gudina¹. – Текст: непосредственный // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. — 2014. — V. 78. — P. 927—931.

Доклады

1) С.В.Гудина. Электрон-электронное взаимодействие в структурах InGaAs/GaAs / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XVI Росс. конф. по физике полупроводников, Россия (Санкт-Петербург), 07.10-11.10.2024, ISBN 978-5-93634-074-5, Тезисы докладов, СПб.: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2024. – P.170 – Текст: непосредственный.

2) С.В.Гудина. Исследование механизмов рассеяния в двойных квантовых ямах InGaAs/GaAs в параллельном магнитном поле / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, А.Н.Титов, Т.В.Кузнецова // XXVIII Межд. симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), 11.03-15.03.2024, Труды, Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024, ISBN 978-5-8048-0124-4. – P.625 – Текст: непосредственный.

3) С.В.Гудина. Магнитосопротивление в двойных квантовых ямах InGaAs/GaAs в параллельном магнитном поле: исследование механизмов рассеяния / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XXV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2024), Екатеринбург (Россия), 12.02-17.02.2024, Тезисы докладов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2024, ISBN 978-5-6045774-9-3. – P.135 – Текст: непосредственный.

Показать еще доклады

4) С.В.Гудина. Критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs: крупномасштабный примесный потенциал / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, К.В.Туруткин, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 14-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», Москва (Россия), 24.05-25.05.2023, ISBN 978-5-7262-2958-4, Сборник трудов, М.: НИЯУ МИФИ, 2023. – P.15 – Текст: непосредственный.

5) С.В.Гудина. Эффективный g-фактор в квантовых ямах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.С.Сандаков, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // Международный семинар «Фазовые переходы и неоднородные состояния в оксидах» International Workshop PTISO22, Казань (Россия), -4-8 июля.2022, Тез.докл.-Казань:Орг.ком. 2022. – P.84 – Текст: непосредственный.

6) С.В.Гудина. Слабая локализация и время фазовой когерентности в структурах InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // 13-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения», Москва (Россия), -25-26 мая.2022, Сб.трудов-Москва:НИЯУ МИФИ 2022. – P.58 – Текст: непосредственный.

7) А.П.Савельев. Исследование механизмов рассеяния в двойных квантовых ямах InGaAs/GaAs в параллельном магнитном поле / А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2022), Екатеринбург (Россия), -14-19 февраля.2022, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2022. – P.164 – Текст: непосредственный.

8) С.В.Гудина. Квантовый эффект Холла в квантовых ямах InGaAs: активационная проводимость / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, К.В.Туруткин, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // Международная конференция «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах», XIV Межд. семинар молодых ученых «Магнитные фазовые переходы» \rnull, Махачкала (Россия), -12-17 сентября.2021, Тез.не изд. 2021. – P.294 – Текст: непосредственный.

9) С.В.Гудина. Электрон-электронное взаимодействие в структурах InGaAs/GaAs / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // 2-я Конференция «Физика Конденсированных Состояний», посвященная 90-летию со дня рождения акад. Ю.А. Осипьяна\rnull, Черноголовка (Россия), -31 мая – 4 июня.2021, Тез.докл.-Черноголовка:ИФТТ РАН 2021. – P.13 – Текст: непосредственный.

10) С.В.Гудина. Крупномасштабный примесный потенциал в структурах InGaAs/InAlAs: квантовый эффект Холла / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 12-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения» \rnull, Москва (Россия), -19-20 мая.2021, Сб.трудов.- М.: НИЯУ МИФИ 2021. – P.55 – Текст: непосредственный.

11) А.П.Савельев. Крупномасштабный примесный потенциал в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs / А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина // XXI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-21)\rnull, Екатеринбург (Россия), -18-25 марта.2021, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2021. – P.172 – Текст: непосредственный.

12) С.В.Гудина. Квантовое время жизни и электрон-электронное взаимодействие в структурах InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // XXV Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), -9-12 марта.2021, Труды симпозиума-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та 2021. – P.626 – Текст: непосредственный.

13) С.В.Гудина. Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // 11-я Межд. Научно-практич. конф. по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения» \rnull, Москва (Россия), -28 октября .2020, Сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ 2020. – P.11 – Текст: непосредственный.

14) С.В.Гудина. Эффекты обменного взаимодействия в проводимости гетероструктур InGaAs/GaAs / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // XXIII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2020)\rnull, Екатеринбург-Алапаевск (Россия), -17-22 февраля .2020, Тез.докл.-Екатеринбург, Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН 2020. – P.66 – Текст: непосредственный.

15) С.В.Гудина. Интерференционный вклад от обменного электрон-электронного взаимодействия в проводимость гетероструктур InGaAs/GaAS / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // XXIV Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» , Нижний Новгород (Россия), -10-13 марта .2020, "Труды симпозиума.-Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета" 2020. – P.543 – Текст: непосредственный.

16) С.В.Гудина. Вклад от обменного электрон-электронного взаимодействия в проводимость структур InGaAs/GaAs с одиночными и двойными квантовыми ямами / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIV Российская конференция по физике полупроводников, Новосибирск (Россия), -9-13 сентября.2019, Тез. докл.-М. Издательство Перо 2019. – P.219 – Текст: непосредственный.

17) А.П.Савельев. Сопротивление гетероструктур n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в параллельном плоскости структуры магнитном поле: механизмы рассеяния носителей заряда / А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина // XX Юбилейная Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-20), Екатеринбург (Россия), -21-29 ноября.2019, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2019. – P.124 – Текст: непосредственный.

18) С.В.Гудина. Активационная проводимость в режиме квантового эффекта Холла в квантовых ямах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, Е.В.Дерюшкина, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 10-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», Москва (Россия), -15-16 мая.2019, Труды конф.-Москва:НИЯУ МИФИ 2019. – P.11 – Текст: непосредственный.

19) Е.В.Ильченко. Влияние спин-орбитального взаимодействия на критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAiAs / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), Москва-Ростов-на-Дону-Шепси (Россия), -17-22 сентября.2018, Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования 2018. – P.94 – Текст: непосредственный.

20) Ю.Г.Арапов. Эффекты электрон-электронного взаимодействия в температурной зависимости проводимости одиночной и двойных квантовых ям InGaAs / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIX Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-19), Екатеринбург (Россия), -15-22 ноября.2018, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2018. – P.112 – Текст: непосредственный.

21) Е.В.Ильченко. Квантовый эффект Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs: роль спин-орбитального взаимодействия / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), Екатеринбург-Алапаевск (Россия), -19-24 февраля.2018, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2018. – P.112 – Текст: непосредственный.

22) С.В.Гудина. Роль спин-орбитального взаимодействия в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), -12-15 марта.2018, Труды конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского госун-та 2018. – P.576 – Текст: непосредственный.

23) Ю.Г.Арапов. Квантовые фазовые переходы в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs со спин-вырожденными уровнями Ландау / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург (Россия), -2-6 октября.2017, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2017. – P.165 – Текст: непосредственный.

24) Е.В.Ильченко. Ширина полосы делокализованных состояний в режиме квантового эффекта Холла в структурах n-InGaAs/AlInAs со спин-вырожденными уровнями Ландау / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XVIII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-18), Екатеринбург (Россия), -16-23 ноября.2017, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2017. – P.95 – Текст: непосредственный.

25) С.В.Гудина. Квантовые фазовые переходы в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs со спин-вырожденными уровнями Ландау / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», Москва (Россия), -24 мая.2017, Сб.трудов-Москва:НИЯУ МИФИ 2017. – P.14 – Текст: непосредственный.

26) С.В.Гудина. Переходы плато-плато квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург (Россия), -2-6 октября.2017, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2017. – P.209 – Текст: непосредственный.

27) С.В. Гудина. Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, А.П. Савельев, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко // XX Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), -14-18 марта.2016, Матер. Конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та 2016. – P.551 – Текст: непосредственный.

28) А.П. Савельев. Магнитотранспорт в 2D структурах In-GaAs/GaAs в области перехода изолятор – квантовохолловская жидкость / А.П. Савельев, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), Алапаевск (Россия), -15-20 февраля.2016, Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН 2016. – P.92 – Текст: непосредственный.

29) А.С. Клепикова. Переходы плато-плато квантового эффекта Холла в полупроводниковых гетероструктурах на основе арсенида галлия / А.С. Клепикова, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, А.П. Савельев, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Научная сессия Института физики металлов УрО РАН по итогам 2015 года, Екатеринбург (Россия), -28 марта – 1 апреля.2016, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2016. – P.20 – Текст: непосредственный.

30) С.В. Гудина. Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в метаморфных наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, А.П. Савельев, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.М. Подгорных, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко // 7-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», Москва (Россия), -25 мая.2016, Сб.трудов-Москва:НИЯУ МИФИ 2016. – P.25 – Текст: непосредственный.

31) С.В. Гудина. Универсальность критических индексов в квантовом эффекте Холла в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, А.П. Савельев, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), Алапаевск (Россия), -15-20 февраля.2016, Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН 2016. – P.124 – Текст: непосредственный.

32) Ю.Г.Арапов. Токовый скейлинг и универсальность критических индексов в квантовом эффекте Холла в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.П.Савельев, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Винниченко // XIX Международный сипозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), -10-14 марта.2015, Труды.- Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та 2015. – P.469 – Текст: непосредственный.

33) Ю.Г. Арапов. Переход изолятор – квантово-холловская жидкость в слабых магнитных полях в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, А.П. Савельев, М.В. Якунин // 11-я летняя межрегиональная школа физиков (ЛМШФ-11), Красноярск-БАМ-Владивосток (Россия), -14 июля – 9 августа.2015 – Текст: непосредственный.

34) А.П. Савельев. Особенности квантового магнитотранспорта в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs в области перехода изолятор – квантово-холловская жидкость / А.П. Савельев, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // XVI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-16), Екатеринбург (Россия), -12-19 ноября.2015, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2015. – P.97 – Текст: непосредственный.

35) А.П.Савельев. Изменения энергетической структуры двойной квантовой ямы n-InGaAs/GaAs с наклоном магнитного поля / А.П.Савельев, М.В.Якунин, С.М.Подгорных, С.В.Гудина // XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS 2014), Новоуральск (Россия), -17-22 февраля.2014, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2014. – P.118 – Текст: непосредственный.

36) Ю.Г.Арапов. Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs до и после инфракрасного освещения / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, А.П.Савельев, М.В.Якунин // XV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-15), Екатеринбург (Россия), -13-20 ноября.2014, Тез.докл.-Екатеринбург: 2014. – P.209 – Текст: непосредственный.

37) M.V. Yakunin. Quantum Magnetotransport in the HgTe Double Quantum Well with Inverted Energy Spectrum. / M.V. Yakunin, A.V. Suslov, S.M. Podgornykh, A.P. Savelyev, S.A. Dvoretsky, N.N.Mikhailov // 20th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional System (EP2DS-20), Wroclaw ( Poland), -1-5 июля.2013, Тез.докл.-Wroclaw, Poland: 2013. – P.249 – Текст: непосредственный.

38) М.В.Якунин. Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме HgTe с инвертированным энергетическим спектром. / М.В.Якунин, А.В.Суслов, С.М.Подгорных, А.П.Спвельев , С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // XI Российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2013), С.-Петербург (Россия), -16-20 сентября.2013, Тез.докл.-С.-Петербург:ФТИ 2013. – P.95 – Текст: непосредственный.

39) Ю.Г.Арапов. Аномальная зависимость эффекта Холла в структурах с двойной квантовой ямой в параллельных магнитных полях / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XI Российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2013), С.-Петербург (Россия), -16-20 сентября.2013, Тез.докл.-С.-Петербург:ФТИ 2013. – P.266 – Текст: непосредственный.

40) Ю.Г.Арапов. Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.Г.Новокшонов, С.М.Подгорных, А.П.Савельев, М.В.Якунин // XI Российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2013), С.-Петербург (Россия), -16-20 сентября.2013, Тез.докл.-С.-Петербург:ФТИ 2013. – P.232 – Текст: непосредственный.

41) М.В.Якунин. Интерференция спиновых и туннельных щелей в квантовом магнитотранспорте двойной квантовой ямы n-InGaAs/GaAs / М.В.Якунин, С.М.Подгорных, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, А. де Виссер, Дж.Галисту // XIV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-14), Екатеринбург (Россия), -20-26 ноября.2013, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2013. – P.243 – Текст: непосредственный.

42) М.В.Якунин. Спиновая поляризация и псевдоспиновый ферромагнетизм в режиме квантового эффекта Холла в квантовой яме HgTe / М.В.Якунин, А.В.Суслов, С.М.Подгорных, А.П.Савельев, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // XVI Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), -12-16 марта.2012, Тр.конф./Нижний Новгород:Ин-т физики микроструктур РАН 2012. – P.449 – Текст: непосредственный.

43) М.В.Якунин. Интерференция спиновых и псевдоспиновых щелей в квантовом магнитотранспорте двойной квантовой ямы n-InGaAs/GaAs / М.В.Якунин, С.М.Подгорных, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, А.де Виссер, Дж.Галисту // XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Новоуральск (Россия), -20-25 февраля.2012, Сб.тез.:Екатеринбург-Новоуральск:УрО РАН 2012. – P.108 – Текст: непосредственный.

44) М.В.Якунин. Интерференция спиновых и псевдоспиновых щелей в квантовом магнитотранспорте двойной квантовой ямы n-InGaAs/GaAs / М.В.Якунин, С.М.Подгорных, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, А.де Виссер, Дж.Галисту // XXXVI Международная конференция «Совещание по физике низких температур», С.-Петербург (Россия), -2-6 июля.2012, Тез.докл./С.-Петербург:ФТИ им.А.Ф.Иоффе 2012. – P.176 – Текст: непосредственный.