4) Temperature dependence of the electron quantum lifetime in InGaAs/GaAs double quantum well: Fukuyama-Abrahams mechanism / S.V. Gudina¹, Yu.G. Arapov¹, V.N. Neverov¹, A.P. Savelyev¹, N.S. Sandakov¹, N.G. Shelushinina¹, M.V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Physica E. — 2025. — V. 165. — P. 116113—116121.

5) Магнитосопротивление двойной квантовой ямы HgTe/CdHgTe в параллельном магнитном поле / М. В. Якунин¹, В. Я. Алешкин⁰, В. Н. Неверов¹, М. Р. Попов¹, Н. Н. Михайлов⁰, С. А. Дворецкий⁰. – Текст: непосредственный // Письма в ЖЭТФ. — 2023. — V. 118 – No. 12. — P. 896—901.

6) Magnetoresistance in a HgTe/CdHgTe Double Quantum Well in an In-Plane Magnetic Field / M.V. Yakunin¹, V.Ya. Aleshkin⁰, V.N. Neverov¹, M.R. Popov¹, N.N. Mikhailov⁰, S.A. Dvoretsky⁰. – Текст: непосредственный // JETP Letters. — 2023. — V. 118 – No. 12. — P. 899—904.

7) Quantum Oscillations of Magnetoresistance in HgCdTe/HgTe/HgCdTe Heterostructures with Inverted Band Spectrum / A. S. Bogoliubskii¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, K. V. Turutkin¹, S. M. Podgornykh¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹, N. N. Mikhailov⁰, and S. A. Dvoretsky⁰. – Текст: непосредственный // Physics of the Solid State. — 2022. — V. 64 – No. 3. — P. 107—117.

8) Features of Magnetotransport in a HgTe/CdHgTe Double Quantum Well with an Intermediate Degree of Band Inversion / M. V. Yakunin¹, V. Ya. Aleshkin⁰, S. M. Podgornykh¹, V. N. Neverov¹, M. R. Popov¹, N. N. Mikhailov⁰, S. A. Dvoretsky⁰. – Текст: непосредственный // JETP Letters. — 2022. — V. 116 – No. 6. — P. 385—393.

9) Особенности магнитотранспорта в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe с промежуточной степенью инверсии зон / М.В. Якунин¹, В.Я. Алешкин⁰, С.М. Подгорных¹, В.Н. Неверов¹, М.Р. Попов¹, Н.Н. Михайлов⁰, С.А. Дворецкий⁰. – Текст: непосредственный // Письма в ЖЭТФ. — 2022. — V. 116 – No. 6. — P. 378—387.

10) Rashba Spin Splitting in HgCdTe Quantum Wells with Inverted and Normal Band Structures / Svetlana V. Gudina¹, Vladimir N. Neverov¹, Mikhail R. Popov¹, Konstantin V. Turutkin¹, Sergey M. Podgornykh¹, Nina G. Shelushinina¹, Mikhail V. Yakunin¹, Nikolay N. Mikhailov⁰, Sergey A. Dvoretsky⁰. – Текст: непосредственный // Nanomaterials . — 2022. — V. 12 – No. 7. — P. 1238—1252.

11) Quasiclassical calculations of Landau level spectrum for 20.5-nm-wide HgTe quantum well: “extremum loop” model and effects of cubic symmetry / S. V. Gudina¹, A. S. Bogolubskiy¹, V. N. Neverov¹, K. V. Turutkin⁰, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2021. — V. 47 – No. 1. — P. 11—17.

12) Квантовые осцилляции магнетосопротивления в гетероструктурах HgCdTe/HgTe/HgCdTe с инвертированным зонным спектром / Боголюбский А.С.¹, Гудина С.В.¹, Неверов В.Н.¹, Туруткин К.В.⁰, Подгорных С.М.¹, Шелушинина Н.Г.¹, Якунин М.В.¹, Михайлов Н.Н.⁰, Дворецкий C.А.⁰. – Текст: непосредственный // Физика твёрдого тела. — 2021. — V. 63 – No. 12. — P. 1983—1994.

13) Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures / A. P. Savelyev¹, Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2021. — V. 47 – No. 1. — P. 14—19.

14) Quasiclassical calculations of Landau level spectrum for 20.5-nm-wide H gTe quantum well: “extremum loop” model and effects of cubic symmetry / S. V. Gudina¹, A. S. Bogolubskiy¹, V. N. Neverov¹, K. V. Turutkin¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin². – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2021. — V. 47 – No. 1. — P. 7—14.

15) Anomalous phase shift of magneto-oscillations in HgTe quantum well with inverted energy spectrum / Svetlana V.Gudina¹, Andrei S.Bogoliubskii¹, Anna S.Klepikova¹, Vladimir N.Neverov¹, Konstantin V.Turutkin¹, Sergey M.Podgornykh¹, Nina G.Shelushinina¹, Mikhail V.Yakunin¹, Nikolay N.Mikhailov⁰, Sergey A.Dvoretsky⁰. – Текст: непосредственный // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. — 2021. — V. 524. — P. 167655—167660.

16) Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures / A. P. Savelyev¹, Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2021. — V. 47 – No. 1. — P. 18—23.

17) Effective Mass and g-Factor of Two-Dimentional HgTe Γ8-Band Electrons: Shubnikov-de Haas Oscillations / Neverov V.N.¹, Bogolubskii A.S.¹, Gudina S.V.¹, Podgornykh S.M.², Turutkin K.V.¹, Popov M.R.¹, Shelushinina N.G.¹, Yakunin M.V.², Mikhailov N.N.⁰, Dvoretsky S.A.⁰. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2020. — V. 54 – No. 8. — P. 982—990.

18) Unconventional reentrant quantum Hall effect in a HgTe/CdHgTe double quantum well / M. V. Yakunin¹, S. S. Krishtopenko⁰, W. Desrat⁰, S. M. Podgornykh¹, M. R. Popov¹, V. N. Neverov¹, S. A. Dvoretsky⁰, N. N. Mikhailov⁰, F. Teppe⁰, B. Jouault⁰. – Текст: непосредственный // Physical Review B. — 2020. — V. 102 – No. 16. — P. 165305—165314.

19) Effective Mass and g-Factor of two-dimentional HgTe _8-band electrons: Shubnikov-de Haas oscillations / Neverov V.N.¹, Bogolubskii A.S.¹, Gudina S.V.¹, Podgornykh S.M.², Turutkin K.V.¹, Popov M.R.¹, Shelushinina N.G.¹, Yakunin M.V.², Mikhailov N.N.⁰, Dvoretsky S.A.⁰. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2020. — V. 54 – No. 8. — P. 830—833.

20) On the issue of universality of critical exponents in the quantum Hall effect mode / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, E. V. Deryushkina¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin². – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2019. — V. 45 – No. 2. — P. 181—188.

21) Температурная активация электронов проводимости в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe p-типа проводимости со слоями HgTe критической толщины / С.М. Подгорных², М.В. Якунин², С.С. Криштопенко¹, М.Р. Попов¹, Н.Н. Михайлов¹, С.А. Дворецкий¹. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2019. — V. 53 – No. 7. — P. 935—940.

22) On the Thermal Activation of Conductivity Electrons in a p-Type HgTe/CdHgTe Double Quantum Well with HgTe Layers of Critical Width / S. M. Podgornykh², M. V. Yakunin², S. S. Krishtopenko¹, M. R. Popov¹, N. N. Mikhailov¹, S. A. Dvoretskii¹. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2019. — V. 53 – No. 7. — P. 919—922.

23) Effect of exchange electron-electron interaction on conductivity of InGaAs single and double quantum wells / Gudina S.V.¹, Arapov Y.G.¹, Neverov V.N.¹, Savelyev A.P.¹, Podgornykh S.M.², Shelushinina N.G.¹, Yakunin M.V.². – Текст: непосредственный // Physica E. — 2019. — V. 113. — P. 14—20.

24) HgTe quantum wells with inverted band structure: Quantum Hall effect and the large-scale impurity potential / S. V. Gudina¹, Yu. G. Arapov¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, M. R. Popov¹, E. V. Deriushkina¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹, N. N. Mikhailov⁰, S. A. Dvoretsky⁰. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2019. — V. 45 – No. 4. — P. 412—418.

25) HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential / S.V. Gudina¹, Yu.G. Arapov¹, V.N. Neverov¹, S.M. Podgornykh¹, M.R. Popov¹, E.V. Deriushkina⁰, N.G. Shelushinina¹, M.V. Yakunin¹, N.N. Mikhailov⁰, S.A. Dvoretsky⁰. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2019. — V. 45 – No. 4. — P. 476—483.

26) Quantum Hall transitions in the presence of Landau levels mixing in n-InGaAs/InAlAs structures / S V Gudina¹, Yu G Arapov¹, E V Ilchenko¹, V N Neverov¹, A P Savelyev¹, S M Podgornykh¹, N G Shelushinina¹, M V Yakunin¹, I S Vasil'evskii⁰, A N Vinichenko⁰. – Текст: непосредственный // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. — 2019. — V. 475 – No. 1. — P. 12029—12036.

27) Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential / S.V. Gudina¹, A.S. Klepikova¹, V.N. Neverov¹, N.G. Shelushinina¹, M.V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2019. — V. 45 – No. 2. — P. 204—209.

28) Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential / S. V. Gudina¹, A. S. Klepikova¹, V. N. Neverov¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2019. — V. 45 – No. 2. — P. 176—180.

29) К вопросу об универсальности критических индексов в режиме квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, Е.В. Дерюшкина¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2019. — V. 45 – No. 2. — P. 210—218.

30) Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs / Гудина С.В.¹, Арапов Ю.Г.¹, Ильченко Е.В.¹, Неверов В.Н.¹, Савельев А.П.¹, Подгорных С.М.², Шелушинина Н.Г.¹, Якунин М.В.², Васильевский И.С.⁰, Виниченко А.Н.⁰. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2018. — V. 52 – No. 12. — P. 1447—1455.

31) К вопросу о природе перехода в фазу квантового эффекта Холла / Савельев А.П.¹, Арапов Ю.Г.¹, Гудина С.В.¹, Шелушинина Н.Г.¹, Якунин М.В.¹. – Текст: непосредственный // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. — 2018. — V. - – No. 12/2. — P. 209—216.

32) “Extremum Loop” Model for the Valence-Band Spectrum of a HgTe/HgCdTe Quantum Well with an Inverted Band Structure in the Semimetallic Phase / S. V. Gudina¹, A. S. Bogolyubskii¹, V. N. Neverov¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin². – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2018. — V. 52 – No. 11. — P. 1403—1406.

33) Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures / S. V. Gudina¹, Yu. G. Arapov¹, E. I. Ilchenko¹, V. N. Neverov¹, A. P. Savelyev¹, S. M. Podgornykh², N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin², I. S. Vasil’evskii⁰, A. N. Vinichenko⁰. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2018. — V. 52 – No. 12. — P. 1551—1558.

34) Модель петли экстремумов" для спектра валентной зоны квантовой ямы HgTe/HgCdTe с инвертированной зонной структурой в полуметаллической фазе / С.В. Гудина¹, А.С. Боголюбский¹, В.Н. Неверов¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин². – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2018. — V. 52 – No. 11. — P. 1291—1294.

35) Electron Effective Mass and g Factor in Wide HgTe Quantum Wells / S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, E. V. Ilchenko¹, A. S. Bogolubskii¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, S. M. Podgornykh¹, M. V. Yakunin¹, N. N. Mikhailov¹, S. A. Dvoretsky¹. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2018. — V. 52 – No. 1. — P. 12—18.

36) Эффективная масса и g-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути / С.В. Гудина¹, В.Н. Неверов¹, Е.В. Ильченко¹, А.С. Боголюбский¹, Г.И. Харус¹, Н.Г. Шелушинина¹, С.М. Подгорных², М.В. Якунин², Н.Н. Михайлов⁰, С.А. Дворецкий⁰. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2018. — V. 52 – No. 1. — P. 16—22.

37) Антисимметричный вклад в магнитосопротивление гетероструктур в параллельном магнитном поле / А.С. Боголюбский¹, С.В. Гудина¹, В.Н. Неверов¹, С.Г. Новокшонов¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2017. — V. 43 – No. 4. — P. 618—622.

38)

39)

40)

41)

42) Quantum Hall effect in n-InGaAs/InAlAs metamorphic nanoheterostructures with high InAs content / Svetlana Gudina¹, Yurii Arapov¹, Alexander Savelyev¹, Vladimir Neverov¹, Sergey Podgornykh¹, Nina Shelushinina¹, Michail Yakunin¹, Krzysztof Rogacki¹, Ivan Vasil'evskii¹, Alexander Vinichenko¹. – Текст: непосредственный // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. — 2017. — V. 440. — P. 10—12.

43) Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure / S.V. Gudina¹, V.N. Neverov¹, E.G. Novik¹, E.V. Ilchenko¹, G.I. Harus¹, N.G. Shelushinina¹, S.M. Podgornykh¹, M.V. Yakunin¹, N.N. Mikhailov¹, S.A. Dvoretsky¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2017. — V. 43 – No. 4. — P. 605—611.

44) The Temperature Dependence of the Conductivity Peak Values in the Single and the Double Quantum Well Nanostructures n-InGaAs/GaAs After IR-illumination / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, A. S. Klepikova¹, V. N. Neverov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2017. — V. 51 – No. 2. — P. 281—281.

45) The Temperature Dependence of the Conductivity Peak Values in the Single and the Double Quantum Well Nanostructures n-InGaAs/GaAs After IR-illumination / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, A. S. Klepikova¹, V. N. Neverov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2017. — V. 51 – No. 2. — P. 272—278.

46) Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия / А.С. Клепикова¹, Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, В.Н. Неверов¹, Г.И. Харус¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹, Б.Н. Звонков¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2017. — V. 43 – No. 4. — P. 596—604.

47) Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs / А.П. Савельев¹, С.В. Гудина¹, Ю.Г. Арапов¹, В.Н. Неверов¹, С.М. Подгорных¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2017. — V. 43 – No. 4. — P. 612—617.

48)

49)

50)

51)

52)

53)

54) Magnetotransport in double quantum well with inverted energy spectrum: HgTe/CdHgTe / Yakunin M.V.¹, Suslov A.V.¹, Popov M.R.¹, Novik E.G.¹, Dvoretsky S.A.¹, Mikhailov N.N.¹. – Текст: непосредственный // Physical Review B. — 2016. — V. 93 – No. 8. — P. 85308—85321.

55)

56)

57)

58)

59)

60)

61)

62)

63)

64)

65)

66)

67)

68)

69)

70)

71)

72)

73)

74)

75)

76)

77)

78)

79)

80)

81)

82)

83)

84)

85)

86)

87)

88)

89)

90)

91)

92)

93)

94)

95)

96)

97)

98)

99)

100)

101)

102)

103)

104)

105)

106)

107)

108)

109)

110)

111)

112)

113)

114)

115)

116)

117)

118)

119)

120)

121)

122)

123)

124)

125)

126)

127)

128)

129)

4) А.А.Брусникова. Скейлинг в режиме квантового эффекта Холла в структуре HgTe/CdHgTe с двойной квантовой ямой / А.А.Брусникова, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XXVI Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2026), Екатеринбург (Россия), 16.02-20.02.2026, ISBN 978-5-6052052-1-Сборник тезисов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2026. – P.90 – Текст: непосредственный.

5) В.Н.Неверов. Механизмы сбоя фазы для одиночных и двойных гетеропереходов в квантовых фазовых переходах плато-плато квантового эффекта Холла / В.Н.Неверов, С.В.Гудина, Н.Г.Шелушинина, Н.С.Сандаков, С.Д.Попов, М.В.Якунин // XXVI Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2026), Екатеринбург (Россия), 16.02-20.02.2026, ISBN 978-5-6052052-1-Сборник тезисов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2026. – P.86 – Текст: непосредственный.

6) А.П.Савельев. Электрон-электронное взаимодействие в проводимости гетероструктур InGaAs/GaAs / А.П.Савельев, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XXVI Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2026), Екатеринбург (Россия), 16.02-20.02.2026, ISBN 978-5-6052052-1-Сборник тезисов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2026. – P.101 – Текст: непосредственный.

7) Н.С.Сандаков. Спин-зависимое рассеяние в квантовых ямах HgCdTe с высокой электронной концентрацией / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, М.В.Якунин, С.Д.Попов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, В.Я.Алешкин, Н.Н.Михайлов // XXVI Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2026), Екатеринбург (Россия), 16.02-20.02.2026, ISBN 978-5-6052052-1-Сборник тезисов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2026. – P.116 – Текст: непосредственный.

8) С.В.Гудина. Критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структуре HgTe/CdHgTe с двойной квантовой ямой / С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.А.Брусникова, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XXIX Симп. «Нанофизика и наноэлектроника» , Нижний Новгород (Россия), 10.03-14.03.2025, Тезисы докладов, Нижний Новгород, 2025. – P.281 – Текст: непосредственный.

9) А.А.Брусникова. КРИТИЧЕСКОЕ ПОВЕДЕНИЕ ПРОВОДИМОСТИ В РЕЖИМЕ КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В СТРУКТУРЕ HGTE/CDHGTE С ДВОЙНОЙ КВАНТОВОЙ ЯМОЙ / А.А.Брусникова, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XII Межд. молодежная научная конф. «Физика. Технологии. Инновации» (ФТИ-2025), Екатеринбург (Россия), 19.05-23.05.2025, Тезисы докладов, Екатеринбург: УрФУ, 2025,. – P.105 – Текст: непосредственный.

10) А.А.Брусникова. Критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структуре HgTe/CdHgTe с двойной квантовой ямой / А.А.Брусникова, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XXIV Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-24), посвященная 100-летию со дня рождения Е.А. Турова, Екатеринбург (Россия), 14.03-20.03.2025, ISBN 978-5-6052052-0-3, Тезисы докладов, г. Екатеринбург: ИФМ УрО РАН, 2025. – P.111 – Текст: непосредственный.

11) С.В.Гудина. Проводимость двумерных систем с квантовыми ямами на основе теллурила ртути с заданной структурной асимметрией / С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.С.Сандаков, М.В.Якунин, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, С.Д.Попов, Н.Н.Михайлов // XXIX Симп. «Нанофизика и наноэлектроника» , Нижний Новгород (Россия), 10.03-14.03.2025, Тезисы докладов, Нижний Новгород, 2025. – P.382 – Текст: непосредственный.

12) М.В.Якунин. Магнитосопротивление двойной квантовой ямы HgTe/CdHgTe в параллельном магнитном поле / М.В.Якунин, В.Я.Алешкин, В.Н.Неверов, М.Р.Попов, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XXVIII Межд. симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), 11.03-15.03.2024, Труды, Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024, ISBN 978-5-8048-0124-4. – P.881 – Текст: непосредственный.

13) М.В.Якунин. Туннельная связь между слоями гетеросистемы HgTe/CdHgTe и ее исследования из магнитотранспорта / М.В.Якунин, В.Я.Алешкин, В.Н.Неверов, М.Р.Попов, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XXXIX Межд. конф. «Совещание по физике низких температур» (ФНТ-2024), Черноголовка (Россия), 03.06-07.06.2024, ISBN 978-5-6045956-5-7, Сборник тезисов, под ред. Б.Б. Страумала. – Черноголовка, 166 с. 2024. – P.160 – Текст: непосредственный.

14) С.В.Гудина. Электрон-электронное взаимодействие в структурах InGaAs/GaAs / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XVI Росс. конф. по физике полупроводников, Россия (Санкт-Петербург), 07.10-11.10.2024, ISBN 978-5-93634-074-5, Тезисы докладов, СПб.: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2024. – P.170 – Текст: непосредственный.

15) Н.С.Сандаков. Магнитотранспортные явления в метаморфных гетероструктурах с квантовой ямой InGaAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XVI Росс. конф. по физике полупроводников, Россия (Санкт-Петербург), 07.10-11.10.2024, ISBN 978-5-93634-074-5, Тезисы докладов, СПб.: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2024. – P.142 – Текст: непосредственный.

16) М.В.Якунин. Двойная квантовая яма p-HgTe/CdHgTe в параллельном магнитном поле / М.В.Якунин, В.Я.Алешкин, В.Н.Неверов, М.Р.Попов, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XVI Росс. конф. по физике полупроводников, Россия (Санкт-Петербург), 07.10-11.10.2024, ISBN 978-5-93634-074-5, Тезисы докладов, СПб.: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2024. – P.138 – Текст: непосредственный.

17) С.В.Гудина. Исследование механизмов рассеяния в двойных квантовых ямах InGaAs/GaAs в параллельном магнитном поле / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, А.Н.Титов, Т.В.Кузнецова // XXVIII Межд. симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), 11.03-15.03.2024, Труды, Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024, ISBN 978-5-8048-0124-4. – P.625 – Текст: непосредственный.

18) Н.С.Сандаков. Эффективные масса и g-фактор электронов в квантовой яме InGaAs с высоким содержанием InAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин // XXVIII Межд. симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), 11.03-15.03.2024, Труды, Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024, ISBN 978-5-8048-0124-4. – P.812 – Текст: непосредственный.

19) С.В.Гудина. Магнитосопротивление в двойных квантовых ямах InGaAs/GaAs в параллельном магнитном поле: исследование механизмов рассеяния / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XXV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2024), Екатеринбург (Россия), 12.02-17.02.2024, Тезисы докладов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2024, ISBN 978-5-6045774-9-3. – P.135 – Текст: непосредственный.

20) Т.Б.Чарикова. Вольт-амперные характеристики внутренних джозефсоновских переходов в сверхпроводнике Nd2-xCexCuO4 / Т.Б.Чарикова, Д.И.Девятериков, В.Н.Неверов, М.Р.Попов, Н.Г.Шелушинина, А.А.Иванов, М.В.Якунин // XXVIII Межд. симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), 11.03-15.03.2024, Труды, Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024, ISBN 978-5-8048-0124-4. – P.92 – Текст: непосредственный.

21) Н.С.Сандаков. Параметры энергетического спектра электронов в квантующих магнитных полях в метаморфных гетероструктурах InGaAs/InAlAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // Молодежная конференция по физике полупроводников «Зимняя школа 2024», Зеленогорск (Россия), 29.02-04.03.2024, Тезисы докладов, СПб.: ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2024, ISBN 978-5-7422-8466-6. – P.92 – Текст: непосредственный.

22) М.В.Якунин. Магнитосопротивление двойной квантовой ямы HgTe/CdHgTe в параллельном магнитном поле / М.В.Якунин, В.Я.Алешкин, М.Р.Попов, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XXV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2024), Екатеринбург (Россия), 12.02-17.02.2024, Тезисы докладов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2024, ISBN 978-5-6045774-9-3. – P.121 – Текст: непосредственный.

23) С.Д.Попов. Изучение влияния параллельного магнитного поля на двойные квантовые ямы в гетеросистеме HgTe/CdHgTe / С.Д.Попов, М.В.Якунин, В.Я.Алешкин, В.Н.Неверов, М.Р.Попов, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XXV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2024), Екатеринбург (Россия), 12.02-17.02.2024, Тезисы докладов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2024, ISBN 978-5-6045774-9-3. – P.89 – Текст: непосредственный.

24) Н.С.Сандаков. Параметры электронного энергетического спектра в квантующих магнитных полях в метаморфных гетероструктурах InGaAs/InAlAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2024), Екатеринбург (Россия), 12.02-17.02.2024, Тезисы докладов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2024, ISBN 978-5-6045774-9-3. – P.117 – Текст: непосредственный.

25) С.В.Гудина. Гигантское спин-орбитальное расщепление Рашбы в квантовых ямах 3HgCdTe с нормальным и инвертированным зонным спектром / С.В.Гудина, В.Н.Неверов, К.В.Туруткин, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // 4-й Межд. научный Семинар «Дни калорики в Дагестане: функциональные материалы и их приложения» (DCD-2023), Дербент (Россия), 27.05-31.05.2023, ISBN 978-5-7271-1896-2, Сборник тезисов, Челябинск : Изд-во Челяб. гос. ун-та, 2023. – P.48 – Текст: непосредственный.

26) С.В.Гудина. Критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs: крупномасштабный примесный потенциал / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, К.В.Туруткин, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 14-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», Москва (Россия), 24.05-25.05.2023, ISBN 978-5-7262-2958-4, Сборник трудов, М.: НИЯУ МИФИ, 2023. – P.15 – Текст: непосредственный.

27) Н.С.Сандаков. Эффективный g-фактор в метаморфных гетеро- структурах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 14-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», Москва (Россия), 24.05-25.05.2023, ISBN 978-5-7262-2958-4, Сборник трудов, М.: НИЯУ МИФИ, 2023. – P.19 – Текст: непосредственный.

28) Н.С.Сандаков. Обменное усиление g-фактора электронов в метаморфных гетероструктурах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // X Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации» (ФТИ-2023), Екатеринбург (Россия), 15.05-19.05.2023, ISBN 978-5-6050040-2-8, Тезисы докладов, Екатеринбург : УрФУ, ИЗДАТЕЛЬСВО АМБ, 2023.. – P.300 – Текст: непосредственный.

29) Н.С.Сандаков. Усиление эффективного g-фактора в метаморфных гетероструктурах InGaAs/InAlAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 65-я Всероссийская научная конфеенция МФТИ , Москва (Россия), 03.04-08.04.2023 – Текст: непосредственный.

30) М.В.Якунин. Необычный квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме со слоями HgTe шириной 8,5 нм / М.В.Якунин, В.Я.Алешкин, С.М.Подгорных, М.Р.Попов, В.Н.Неверов, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XXVII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), 13.03-16.03.2023, Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума. Том 2.: Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2023. ISBN: ISBN 978-5-8048-0120-6. – P.816 – Текст: непосредственный.

31) С.В.Гудина. Квантовые осцилляции магнетосопротивления в квантовых ямах HgTe с инвертированным зонным спектром / С.В.Гудина, А.С.Боголюбский, В.Н.Неверов, К.В.Туруткин, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // XXVII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), 13.03-16.03.2023, Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума. Том 2.: Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2023. ISBN: ISBN 978-5-8048-0120-6. – P.558 – Текст: непосредственный.

32) Н.С.Сандаков. Параметры электронного энергетического спектра в квантующих магнитных полях в метаморфных гетероструктурах с квантовой ямой InGaAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXV Всеросс. молодежная конф. по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто-и наноэлектронике, Санкт-Петербург (Россия), 27.11-01.12.2023, ISBN 978-5-7422-8329-4, Тезисы докладов, СПб. : ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2023. – P.55 – Текст: непосредственный.

33) Н.С.Сандаков. Циклотронная эффективная масса и g*-фактор электронов в метаморфных гетероструктурах с квантовой ямой InGaAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXIII Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-23), Екатеринбург (Россия), 23.11-30.11.2023, ISBN 978-5-6045774-8-6, Тезисы докладов, Екатеринбург: ИФМ УрО РАН, 2023. – P.129 – Текст: непосредственный.

34) М.В.Якунин. Магнитосопротивление двойной квантовой ямы HgTe/CdHgTe в параллельном магнитном поле / М.В.Якунин, В.Я.Алешкин, М.Р.Попов, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // Росс. конф. и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) «ФОТОНИКА-2023», Новосибирск (Россия), 04.09-08.09.2023, ISBN 978-5-00218-581-8, Тезисы докладов, ИФП СО РАН. – М. : Издательство Перо, 2023. – P.98 – Текст: непосредственный.

35)

36)

37)

38)

39)

40)

41)

42)

43)

44)

45)

46)

47)

48)

49)

50)

51)

52)

53)

54)

55)

56)

57)

58)

59)

60)

61)

62)

63)

64)

65)

66)

67)

68)

69)

70)

71)

72)

73)

74)

75)

76)

77)

78)

79)

80)

81)

82)

83)

84)

85)

86)

87)

88)

89)

90)

91)

92)

93)

94)

95)

96)

97)

98)

99)

100)

101)

102)

103)

104)

105)

106)

107)

108)

109)

110)

111)

112)

113)

114)

115)

116)

117)

118)

119)

120)

121)

122)

123)

124)

125)

126)

127)

128)

129)

130)

131)

132)

133)

134)

135)

136)

137)

138)

139)

140)

141)

142)

143)

144)

145)

146)

147)

148)

149)

150)

151)

152)

153)

154)

155)

156)

157)

158)

159)

160)

161)

162)

163)

164)

165)

166)

167)

168)

169)

170)

171)

172)

173)

174)

175)

176)

177)

178)

179)

180)

181)

182)

183)

184)

185)

186)

187)

188)

189)

190)

191)

192)

193)

194)

195)

196)

197)

198)

199)

200)

201)

202)

203)

204)

205)

206)

207)

208)

209)

210)

211)

212)

213)

214)

215)

216)

217)

218)

219)

220)

221)

222)

223)

224)

225)

226)

227)

228)

229)

230)

231)

232)

233)

234)

235)

236)

237)

238)

239)

240)

241)

242)

243)

244)

245)

246)

247)

248)

249)

250)

251)

252)

253)

254)

255)

256)

257)

258)

259)

260)

261)