Говоркова Татьяна Евгеньевна
Кандидат физико-математических наук
Старший научный сотрудник (Лаборатория полупроводников и полуметаллов)
Контактная информация:
Тел.: 378-37-90,
внутренний тел.: 37-90
Корпус А, комната 350б
Электронный адрес: Govorkova@imp.uran.ru
Наукометрические данные (по состоянию на 18.08.2025г):
Web of Science: h-index - 7; Sum of the Times Cited - 155
Scopus: h-index - 8; Sum of the Times Cited - 207
РИНЦ (SCIENCE INDEX): Индекс Хирша - 10; Цитируемость - 320
Личные страницы автора в системах: WoS, Scopus ID, ORCID, РИНЦ, База публикаций ИФМ
Кандидатская диссертация: Эффекты гибридизации электронных состояний примесей переходных металлов в низкотемпературных свойствах селенида ртути (2010)
Статьи
1) Structural phase transition in crystalline HgSe: Low-temperature and high-pressure Raman spectroscopic investigation / N. Kumar0, Swayam Kesari0, S.N. Krylova0, Rekha Rao0, N.V. Surovtsev0, D.V. Ishchenko0, S.V. Pryanichnikov0, T.E. Govorkova1, S.B. Bobin1, A.T. Lonchakov1, V.A. Golyashov0, O.E. Tereshchenko0. – Текст: непосредственный // Journal of Physics and Chemistry of Solids. — 2025. — V. 207. — P. 112977—112987.
2) Температурная стабильность ферромагнетизма нового типа в бесщелевом разбавленном магнитном полупроводнике Hg1−xFexSe (x = 0.009 at.%) с экстремально низкой концентрацией примесей железа / Т.Е. Говоркова1, А.А. Ваулин1, М.Р. Попов1, В.И. Окулов1. – Текст: непосредственный // Физика твёрдого тела. — 2024. — V. 66 – No. 12. — P. 2236—2246.
3) Critical thickness and stresses of HgTe layers on HgxCd1−xTe substrates / S.A. Dvoretsky0, N.N. Mikhailov0, R.V. Menshikov0, V.I. Okulov1, T.E. Govorkova1. – Текст: непосредственный // Physics of the Solid State. — 2024. — V. 66 – No. 2. — P. 197—202.
Доклады
1) Т.Е.Говоркова. Высокотемпературный ферромагнетизм нового типа в разбавленных магнитных полупроводниках: роль гибридизации примесных электронных состояний / Т.Е.Говоркова, В.И.Окулов, А.А.Ваулин, В.С.Гавико, В.Т.Суриков // XVI Росс. конф. по физике полупроводников, Россия (Санкт-Петербург), 07.10-11.10.2024, ISBN 978-5-93634-074-5, Тезисы докладов, СПб.: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2024. – P.238 – Текст: непосредственный.
2) С.А.Дворецкий. Критическая толщина и напряжения слоев HgTe на подложках (013)Cd1-xHgxTe/ZnTe/GaAs / С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, Р.В.Меньщиков, В.И.Окулов, Т.Е.Говоркова, Е.А.Кравцов, В.О.Васьковский // XXVIII Межд. симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), 11.03-15.03.2024 – Текст: непосредственный.
3) С.А.Дворецкий. Критическая толщина и напряжения слоев HgTe на подложках (013) HgxCd1-xTe/ZnTe/GaAs / С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, Р.В.Меньщиков, В.И.Окулов, Т.Е.Говоркова // XXV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2024), Екатеринбург (Россия), 12.02-17.02.2024, Тезисы докладов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2024, ISBN 978-5-6045774-9-3. – P.206 – Текст: непосредственный.