Дерюшкин Всеволод Владимирович

Младший научный сотрудник (Лаборатория полупроводников и полуметаллов)


Контактная информация:
Тел.: 378-36-03,
внутренний тел.: 36-03
Корпус А, комната 309
Электронный адрес: Deryushkin@imp.uran.ru

Наукометрические данные (по состоянию на 18.08.2025г):
Web of Science: h-index - 2; Sum of the Times Cited - 7
Scopus: h-index - 0; Sum of the Times Cited - 0
РИНЦ (SCIENCE INDEX): Индекс Хирша - 3; Цитируемость - 30
Личные страницы автора в системах: WoS, Scopus ID, ORCID, База публикаций ИФМ


Статьи

1) Nontrivial topology of bulk HgSe from the study of cyclotron effective mass, electron mobility and phase shift of Shubnikov–de Haas oscillations / S B Bobin1, A T Lonchakov1, V V Deryushkin1, V N Neverov1. – Текст: непосредственный // Journal of Physics: Condensed Matter. — 2019. — V. 31 – No. 11. — P. 115701—115706.

2) Observation of quantum topological Hall effect in the Weyl semimetal candidate HgSe / A.T. Lonchakov1, S.B. Bobin1, V.V. Deryushkin1, V.N. Neverov1. – Текст: непосредственный // Journal of Physics: Condensed Matter. — 2019. — V. 31 – No. 40. — P. 405706—405717.

3) Peculiar behavior of magnetoresistance in HgSe single crystal with low electron concentration / A. T. Lonchakov1, S. B. Bobin1, V. V. Deryushkin1, V. I. Okulov1, T. E. Govorkova1, V. N. Neverov1. – Текст: непосредственный // Applied Physics Letters. — 2018. — V. 112 – No. 8. — P. 82101—82106.


Доклады

1)

2)

3)