4) СПИНОВАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ В ТУННЕЛЬНЫХ КОНТАКТАХ Co0.9Fe0.1/MgO/InSb / Н.А. Виглин¹, В.М. Цвелиховская¹, А.О. Шориков², Т.Н. Павлов¹, В.В. Проглядо¹. – Текст: непосредственный // Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 2024. — V. 166 – No. 3. — P. 374—382.

5) Синтез тонкопленочных магнитных структур для спин-орбитроники / А. В. Телегин¹, В. Д. Бессонов¹, В. С. Теплов¹, В. М. Цвелиховская¹. – Текст: непосредственный // Известия вузов. Электроника.. — 2024. — V. 27 – No. 1. — P. 100—209.

6) Spin Transport in InSb Semiconductors with Different Electron Gas Concentrations / N. A. Viglin¹, Yu. V. Nikulin⁰, V. M. Tsvelikhovskaya¹, T. N. Pavlov¹, V. V. Proglyado¹. – Текст: непосредственный // Journal Of Experimental And Theoretical Physics. — 2022. — V. 134 – No. 6. — P. 736—742.

7) Спиновый транспорт в полупроводниках InSb с различной плотностью электронного газа / Виглин Н.А.¹, Никулин Ю.В.⁰, Цвелиховская В.М.¹, Павлов Т.Н.¹, Проглядо В.В.¹. – Текст: непосредственный // Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 2022. — V. 134 – No. 6. — P. 866—873.

8) Semiconductor Lateral Spin Device with Half-Metallic Ferromagnet Electrodes / N. A. Viglin¹, V. M. Tsvelikhovskaya¹, S. V. Naumov¹, A. O. Shorikov², T. N. Pavlov¹. – Текст: непосредственный // Physics of the Solid State. — 2020. — V. 62 – No. 12. — P. 2301—2304.

9) Полупроводниковое латеральное спиновое устройство с электродами из полуметаллического ферромагнетика / Виглин Н.А.¹, Цвелиховская В.М.¹, Наумов С.В.¹, Шориков А.О.², Павлов Т.Н.¹. – Текст: непосредственный // Физика твёрдого тела. — 2020. — V. 62 – No. 12. — P. 2055—2060.

10) Oxide Removal from the InSb Plate Surface to Produce Lateral Spin Valves / N. A. Viglin¹, I. V. Gribov¹, V. M. Tsvelikhovskaya⁰, E. I. Patrakov¹. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2019. — V. 53 – No. 2. — P. 264—267.

11) Effective Injection of Spins from a Ferromagnetic Metal to the InSb Semiconductor / N.A.Viglin¹, V.M.Tsvelikhovskaya¹, N.A.Kulesh⁰, T.N.Pavlov¹. – Текст: непосредственный // JETP Letters. — 2019. — V. 110 – No. 4. — P. 273—278.

12) Technology features of creating InSb-based spin-valve / V. M. Tsvelikhovskaya¹, N. A. Viglin¹, E. I. Patrakov¹, I. Y. Kamenskii¹, I. K.Maksimova¹. – Текст: непосредственный // Journal of Physics: Conference Series. — 2019. — V. 1389. — P. 12143—12147.

13) Electric measurement and magnetic control of spin transport in InSb-based lateral spin devices / N. A. Viglin¹, V. V. Ustinov¹, S. O. Demokritov¹, A. O. Shorikov¹, N. G. Bebenin¹, V. M. Tsvelikhovskaya¹, T. N. Pavlov¹, E.I.Patrakov¹. – Текст: непосредственный // Physical Review B. — 2017. — V. 96 – No. 23. — P. 235303—235312.

14)

15)

16)

4)