Чистяков Василий Владимирович

Научный сотрудник (Лаборатория низких температур)

Наукометрические данные (по состоянию на 18.08.2025г):
Web of Science: h-index - 5; Sum of the Times Cited - 79
Scopus: h-index - 7; Sum of the Times Cited - 110
РИНЦ (SCIENCE INDEX): Индекс Хирша - 6; Цитируемость - 129
Личные страницы автора в системах: WoS, Scopus ID, ORCID, РИНЦ, База публикаций ИФМ

Статьи

1) Electrical Resistivity and Electronic Structure of (Cu1 – xCox)2MnAl Heusler Alloys upon Transition from the Cu2MnAl Ferromagnet to the Topological Co2MnAl Semimetal / Yu.A. Perevozchikova¹, E.D. Chernov¹, A.V. Lukoyanov¹, P.B. Terentev¹, P.S. Korenistov¹, V.V. Chistyakov¹, E.B. Marchenkova¹, V.V. Marchenkov¹. – Текст: непосредственный // Physics of Metals and Metallography (english only). — 2025. — V. 126 – No. 14. — P. 1745—1751.

2) Особенности магнитотранспортных свойств монокристаллов MoxW1-xTe2 (x = 0; 0.7) / А. Н. Перевалова¹, Б. М. Фоминых¹, В. В. Чистяков¹, В. В. Марченков¹. – Текст: непосредственный // Chelyabinsk Physical and Mathematical Journal. — 2024. — V. 9 – No. 4. — P. 658—669.

3) Debye temperature, electron-phonon coupling constant, and three-dome shape of crystalline strain as a function of pressure in highly compressed La3Ni2O7−δ / E.F. Talantsev¹, V.V. Chistyakov¹. – Текст: непосредственный // Letters on Materials. — 2024. — V. 14 – No. 3. — P. 262—268.

Показать еще статьи

4) Role of bulk and surface current carriers in resistivity of thin films of the topological insulator Bi2Se3 / A. N. Perevalova¹, B. M. Fominykh¹, V. V. Chistyakov¹, V. V. Marchenkov¹. – Текст: непосредственный // Nanosystems-physics chemistry mathematics. — 2024. — V. 15 – No. 4. — P. 465—468.

5) The A-15-type superconducting hydride La4H23: a nanograined structure with low strain, strong electron-phonon interaction, and a moderate level of nonadiabaticity / E.F. Talantsev², V.V. Chistyakov². – Текст: непосредственный // Superconductor Science and Technology. — 2024. — V. 37 – No. 9. — P. 95016—95035.

6) Hall effect and quantum oscillations of magnetoresistivity in the topological insulator Bi2Se3. The role of bulk and surface carriers / B.M. Fominykh¹, A.N. Perevalova¹, S.V. Naumov¹, V.V. Chistyakov¹, V.V. Marchenkov¹. – Текст: непосредственный // Physics of the Solid State. — 2024. — V. 66 – No. 5. — P. 641—646.

7) Эффект Холла и квантовые осцилляции магнитосопротивления в топологическом изоляторе Bi2Se3. Роль объемных и поверхностных носителей / Б.М. Фоминых¹, А.Н. Перевалова¹, С.В. Наумов¹, В.В. Чистяков¹, В.В. Марченков¹. – Текст: непосредственный // Физика твёрдого тела. — 2024. — V. 66 – No. 5. — P. 661—666.

8) Electrical Resistance of the Alloy Ni45Mn46In9 / N. V. Volkova¹, V. V. Chistyakov¹, E. I. Patrakov¹, S. M. Emelyanova¹. – Текст: непосредственный // High Temperature. — 2023. — V. 61 – No. 2. — P. 173—177.

9) Hall Effect in “size” topological insulators Bi2Se3 / V.V. Chistyakov², A.N. Perevalova¹, В.M. Fominykh², J.C.A. Huang⁰, V.V. Marchenkov². – Текст: непосредственный // St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. — 2023. — V. 16 – No. 3.1. — P. 16—20.

10) Электросопротивление сплава Ni45Mn46In9 / Н. В. Волкова¹, В. В. Чистяков¹, Е. И. Патраков¹, С. М. Емельянова¹. – Текст: непосредственный // Теплофизика высоких температур. — 2023. — V. 61 – No. 2. — P. 193—197.

11) Magnetoresistivity and Hall effect in Weyl semimetal WTe2 / A.N. Perevalova¹, B. M. Fominykh², V.V. Chistyakov¹, S.V. Naumov¹, V.N. Neverov¹, V.V. Marchenkov². – Текст: непосредственный // St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. — 2023. — V. 16 – No. 1.3. — P. 26—32.

12) Kinetic Properties of a Topological Semimetal WTe2 Single Crystal / A. N. Perevalova¹, S. V. Naumov¹, S. M. Podgornykh¹, V. V. Chistyakov¹, E. B. Marchenkova¹, B. M. Fominykh², V. V. Marchenkov². – Текст: непосредственный // Physics of Metals and Metallography. — 2022. — V. 123 – No. 11. — P. 1061—1067.

13) Electrical resistance of Ni42+xMn47−xSn11 alloys / N.V. Volkova¹, V.V. Chistyakov¹, E.I. Patrakov¹, P.S. Korenistov¹, A.N. Perevalova¹, S.M. Emelyanova¹. – Текст: непосредственный // Physics of the Solid State. — 2022. — V. 64 – No. 3. — P. 298—301.

14) Precursor synthesis and properties of iron and lithium co-doped cadmium oxide / V. Krasil'nikov⁰, V. Zhukov⁰, E. Chulkov⁰, A. Tyutyunnik⁰, T. Dyachkova⁰, I. Baklanova⁰, O. Gyrdasova⁰, N. Zhuravlev⁰, V. Chistyakov¹, T. Gao⁰, M. Eisterer⁰, V. Marchenkov². – Текст: непосредственный // Journal of Electroceramics. — 2022. — V. 48 – No. 3. — P. 127—142.

15) Features of the electronic transport of topological semimetal PtSn4 and WTe2 single crystals / A. N. Perevalova¹, S. V. Naumov¹, S. M. Podgornykh¹, E. B. Marchenkova¹, V. V. Chistyakov¹, J. C. A. Huang⁰, V. V. Marchenkov². – Текст: непосредственный // AIP Advances. — 2022. — V. 12 – No. 3. — P. 35225—35228.

16) Peculiarities of electronic transport in WTe2 single crystal / V.V. Marchenkov², A.N. Perevalova Domozhirova¹, S.V. Naumov¹, S.M. Podgornykh¹, E.B. Marchenkova¹, V.V. Chistyakov¹, J.C.A. Huang⁰. – Текст: непосредственный // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. — 2022. — V. 549. — P. 168985—168988.

17) Galvanomagnetic and optical properties of type-II Weyl semimetal candidate WTe2 / A.N. Domozhirova¹, S.V. Naumov¹, A.A. Makhnev¹, E.I. Shreder¹, S.M. Podgornykh¹, E.B. Marchenkova¹, V.V. Chistyakov¹, J.C.A. Huang⁰, V.V. Marchenkov². – Текст: непосредственный // IEEE Transactions on Magnetics. — 2022. — V. 58 – No. 2 ч.1. — P. 2600305—2600309.

18) Электросопротивление сплавов Ni42+xMn47-xSn11 / Волкова Н.В.¹, Чистяков В.В.¹, Патраков Е.И.¹, Коренистов П.С.¹, Перевалова А.Н.¹, Емельянова С.М.¹. – Текст: непосредственный // Физика твёрдого тела. — 2022. — V. 64 – No. 3. — P. 309—313.

19) Electro- and magnetotransport properties of a WTe2 single crystal / A.N. Domozhirova¹, S.V. Naumov¹, S.M. Podgornykh¹, E.B. Marchenkova¹, V.V. Chistyakov¹, A.A. Semiannikova¹, J.C.A. Huang⁰, V.V. Marchenkov². – Текст: непосредственный // Journal of Physics: Conference Series. — 2021. — V. 1851. — P. 12023—12026.

20) Peculiarities of the electro- and magnetoresistivity of WTe2 and MoTe2 single crystals before and after quenching / A. N. Domozhirova¹, S. V. Naumov¹, S. M. Podgornykh¹, E. B. Marchenkova¹, V. V. Chistyakov¹, J. C. A. Huang⁰, V. V. Marchenkov². – Текст: непосредственный // AIP Advances. — 2021. — V. 11. — P. 15226—15229.

21) Effect of quenching on the electrical and optical properties of MoTe2 / V.V. Marchenkov², A.N. Domozhirova¹, R.A. Parulin⁰, S.V. Naumov¹, A.A. Makhnev¹, E.I. Shreder¹, E.I. Patrakov¹, V.V. Chistyakov¹, A.D. Ivanov⁰, J.C.A. Huang⁰. – Текст: непосредственный // Journal of Physics: Conference Series. — 2020. — V. 1482. — P. 12004—12008.

22) Electronic transport features of MoTe2 caused by quenching / V V Marchenkov², A N Domozhirova¹, S V Naumov¹, S M Podgornykh¹, V V Chistyakov¹, P S Korenistov¹, J C A Huang⁰. – Текст: непосредственный // Journal of Physics: Conference Series. — 2020. — V. 1695. — P. 12144—12149.

23) Size effect in the kinetic properties in / V.V. Chistyakov¹, A.N. Domozhirova¹, J.C.A Huang⁰, V.V. Marchenkov². – Текст: непосредственный // Journal of Physics: Conference Series. — 2020. — V. 1695. — P. 12147—12151.

24) Electronic transport and optical properties of Mo0.5W0.5Te2 single crystal / V. V. Marchenkov², A. N. Domozhirova¹, A. A. Makhnev¹, E. I. Shreder¹, S. V. Naumov¹, V. V. Chistyakov¹, J.C. A. Huang⁰, M. Eisterer⁰. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2019. — V. 45 – No. 2. — P. 241—246.

25) Электронные транспортные и оптические свойства монокристалла Mo0,5W0,5Te2 / В.В. Марченков², А.Н. Доможирова¹, А.А. Махнев¹, Е.И. Шредер¹, С.В. Наумов¹, В.В. Чистяков¹, J.C.A. Huang⁰, M. Eisterer⁰. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2019. — V. 45 – No. 2. — P. 278—282.

26) Electrical and optical properties of a PtSn4 single crystal / V.V. Marchenkov², A.N. Domozhirova¹, A.A. Semiannikova¹, A.A. Makhnev¹, E.I. Shreder¹, S.V. Naumov¹, V.V. Chistyakov¹, E.I. Patrakov¹, Yu.A. Perevozchikova¹, E.B. Marchenkova¹, J.C.A. Huang⁰, M. Eisterer⁰. – Текст: непосредственный // Journal of Physics: Conference Series. — 2019. — V. 1199. — P. 12037—12042.

27) Электронная структура и электронные свойства монокристалла PtSn4 / Марченков В.В.², Доможирова А.Н.¹, Махнев А.А.¹, Шредер Е.И.¹, Лукоянов А.В.², Наумов С.В.¹, Чистяков В.В.¹, Марченкова Е.Б.¹, Huang C.A.⁰, Eisterer M.⁰. – Текст: непосредственный // Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 2019. — V. 155 – No. 6. — P. 1107—1114.

28) Магнитные свойства топологического изолятора Bi2Se3,легированного железом / Е.В. Шевченко⁰, А.Ш. Хачатрян⁰, А.О. Антоненко⁰, Е.В. Чарная⁰, С.В. Наумов¹, В.В. Марченков², В.В. Чистяков¹, M.K. Lee⁰, L.-J. Chang⁰. – Текст: непосредственный // Физика твёрдого тела. — 2019. — V. 61 – No. 6. — P. 1114—1119.

29) Magnetic Properties of Iron-Doped Bi2Se3, a Topological Insulator / E. V. Shevchenko⁰, A. Sh. Khachatryan⁰, A. O. Antonenko⁰, E. V. Charnaya⁰, S. V. Naumov¹, V. V. Marchenkov², V. V. Chistyakov¹, M. K. Lee⁰, L.-J. Chang⁰. – Текст: непосредственный // Physics of the Solid State. — 2019. — V. 61 – No. 6. — P. 1037—1042.

30) Размерный эффект в электропроводимости тонких пленок топологического изолятора Bi2Se3 / В.В. Чистяков¹, А.Н. Доможирова¹, Дж.Ч.Э. Хуанг⁰, В.В. Марченков². – Текст: непосредственный // Известия Российской Академии наук. Серия физическая. — 2019. — V. 83 – No. 7. — P. 921—923.

31) Electronic Structure and Electronic Properties of PtSn4 Single Crystal / V.V. Marchenkov², A.N. Domozhirova¹, A.A. Makhnev¹, E.I. Shreder¹, A.V. Lukoyanov², S.V. Naumov¹, V.V. Chistyakov¹, E.B. Marchenkova¹, J.C.A. Huang⁰, M. Eisterer⁰. – Текст: непосредственный // Journal Of Experimental And Theoretical Physics. — 2019. — V. 128 – No. 6. — P. 939—945.

32) Size Effect in the Electrical Conductivity of Thin Films of Topological Insulator Bi2Se3 / V.V. Chistyakov¹, A.N. Domozhirova¹, J.C.A. Huang⁰, V.V. Marchenkov². – Текст: непосредственный // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. — 2019. — V. 83 – No. 7. — P. 838—840.

33) Магнитные и гальваномагнитные свойства полуметаллических ферромагнетиков Co2VSi и Co2MnSi / Ю.А. Перевозчикова¹, А.А. Семянникова¹, А.Н. Доможирова¹, П.С. Коренистов², В.В. Чистяков¹, С.М. Емельянова¹, В.В. Марченков². – Текст: непосредственный // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. — 2019. — V. 10. — P. 198—201.

34) Electronic properties of WTe2 and MoTe2 single crystals / A.N. Domozhirova¹, A.A. Makhnev¹, E.I. Shreder¹, S.V. Naumov¹, A.V. Lukoyanov², V.V. Chistyakov¹, J.C.A. Huang⁰, A.A. Semiannikova¹, P.S. Korenistov², V.V. Marchenkov². – Текст: непосредственный // Journal of Physics: Conference Series. — 2019. — V. 1389. — P. 12149—12154.

35) Thickness dependence of conductivity in Bi2Se3 topological insulator / V.V. Chistyakov¹, A.N. Domozhirova¹, J.C.A. Huang⁰, V.V. Marchenkov². – Текст: непосредственный // Journal of Physics: Conference Series. — 2019. — V. 1389. — P. 12051—12055.

36) Charge carrier concentration and structural transition temperatures in Heusler alloys Ni50Mn36Sb14-xZx (Z = Al, Ge; x = 0; 1; 2; 3; 4) / S.M. Emelyanova¹, T.V. Dyachkova⁰, A.P. Tyutyunnik⁰, V.V. Chistyakov¹, A.N. Domozhirova¹, F. Sauerzopf⁰, R.L. Wang⁰, C. Yang⁰, V.V. Marchenkov². – Текст: непосредственный // Journal of Physics: Conference Series. — 2019. — V. 1389. — P. 12090—12096.

37) Peculiarities of the electronic transport in topological materials of Bi2Se3 and MoxW1-xTe2 (x = 0; 0.5; 1) / V.V. Chistyakov¹, A.N. Domozhirova¹, J.C.A. Huang⁰, S.V. Naumov¹, V.V. Marchenkov². – Текст: непосредственный // Journal of Physics: Conference Series. — 2019. — V. 1410. — P. 12199—12203.

38) Магнитокалорический эффект в сплавах Гейслера Ni50Mn36Sb14-xZx (Z = Al, Ge; x = 0, 2) / С. М. Емельянова¹, Н. Г. Бебенин¹, В. П. Дякинa¹, В. В. Чистяков¹, Т. В. Дьячкова¹, А. П. Тютюнник¹, R. L. Wang¹, C. P. Yang¹, F. Sauerzopf¹, В. В. Марченков¹. – Текст: непосредственный // Физика металлов и металловедение. — 2018. — V. 119 – No. 2. — P. 130—137.

39) Size effect in the electronic transport of thin films of Bi2Se3 / V.V. Marchenkov², V.V. Chistyakov¹, J.C.A. Huang⁰, Y.A. Perevozchikova¹, A.N. Domozhirova², M. Eisterer⁰. – Текст: непосредственный // EPJ Web of Conferences. — 2018. — V. 185. — P. 1002—1004.

40) Электрические и магнитные свойства полуметаллического ферромагнетика Co2FeSi / Ю.А. Перевозчикова¹, А.А. Семянникова¹, А.Н. Доможирова¹, В.В. Чистяков¹, С.М. Емельянова¹, В.В. Марченков². – Текст: непосредственный // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. — 2018. — V. 10. — P. 38—42.

41) Magnetocaloric Effect in Ni50Mn36Sb14–xZ x (Z = Al, Ge; x = 0, 2) Heusler Alloys / S. M. Emelyanova¹, N. G. Bebenin¹, V. P. Dyakina¹, V. V. Chistyakov¹, T. V. Dyachkova⁰, A. P. Tyutyunnik⁰, R. L. Wang⁰, C. P. Yang⁰, F. Sauerzopf⁰, V. V. Marchenkov². – Текст: непосредственный // Physics of Metals and Metallography. — 2018. — V. 119 – No. 2. — P. 121—126.

42) NMR Study of Topological Insulator Bi2Te3 in a Wide Temperature Range / A.O. Antonenko¹, E.V. Charnaya¹, D.Yu. Nefedov¹, D.Yu. Podorozhkin¹, A.V. Uskov¹, A.S. Bugaev¹, M.K. Lee¹, L.J. Chang¹, S.V. Naumov¹, Yu.A. Perevozchikova¹, V.V. Chistyakov¹, J.C.A. Huang¹, V.V. Marchenkov¹. – Текст: непосредственный // Physics of the Solid State. — 2017. — V. 59 – No. 12. — P. 2331—2339.

43) Исследования топологического изолятора Bi2Te3 методом ЯМР в широком температурном диапазоне / А.О. Антоненко¹, Е.В. Чарная¹, Д.Ю. Нефедов¹, Д.Ю. Подорожкин¹, А.В. Усков¹, А.С. Бугаев¹, M.K. Lee¹, L.J. Chang¹, С.В. Наумов¹, Ю.А. Перевозчикова¹, В.В. Чистяков¹, J.C.A. Huang¹, В.В. Марченков¹. – Текст: непосредственный // Физика твёрдого тела. — 2017. — V. 59 – No. 12. — P. 2308—2316.

44) Электрические и гальваномагнитные свойства монокристалла топологического изолятора Bi2Te3 / Чистяков В.В.¹, Вишняков А.А.¹, Емельянова С.М.¹, Перевозчикова Ю.А.¹, Доможирова А.Н.¹, Дякина В.П.¹, Марченкова Е.Б.¹, Марченков В.В.¹. – Текст: непосредственный // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. — 2017. — V. 5 – No. 2. — P. 240—242.

45) NMR Studies of Single Crystals of the Topological Insulator Bi2Te3 at Low Temperatures / A.O. Antonenko¹, E.V. Charnaya¹, D.Yu. Nefedov¹, D.Yu. Podorozhkin¹, A.V. Uskov¹, A.S. Bugaev¹, M.K. Lee¹, L.J. Chang¹, S.V. Naumov¹, Yu.A. Perevozchikova¹, V.V. Chistyakov¹, E.B. Marchenkova¹, H.W. Weber¹, J.C.A. Huang¹, V.V. Marchenkov¹. – Текст: непосредственный // Physics of the Solid State. — 2017. — V. 59 – No. 5. — P. 855—859.

46) ЯМР-исследования монокристаллов топологического изолятора Bi2Te3 при низких температурах / Антоненко А.О.¹, Чарная Е.В.¹, Нефедов Д.Ю.¹, Подорожкин Д.Ю.¹, Усков А.В.¹, Бугаев А.С.¹, Lee M.K.¹, Chang L.J.¹, Наумов С.В.¹, Перевозчикова Ю.А.¹, Чистяков В.В.¹, Марченкова Е.Б.¹, Weber H.W.¹, Huang J.C.A.¹, Марченков В.В.¹. – Текст: непосредственный // Физика твёрдого тела. — 2017. — V. 59 – No. 5. — P. 836—840.

47) Электрические свойства полуметаллических ферромагнитных сплавов гейслера Co2YZ (Y=Cr, Ti, V; Z=Al, Ga) / Перевозчикова Ю.А.¹, Коуров Н.И.¹, Емельянова С.М.¹, Белозерова К.А.¹, Дякина В.П.¹, Марченкова Е.Б.¹, Чистяков В.В.¹, Вишняков А.А.¹, Марченков В.В.¹. – Текст: непосредственный // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. — 2016. — V. 3-4. — P. 539—542.

Доклады

1) Ю.А.Перевозчикова. Электронные свойства сплавов Гейслера (Cu1-xCox)2MnAl при переходе от ферромагнетика Cu2MnAl к топологическому полуметаллу Co2MnAl / Ю.А.Перевозчикова, Е.Д.Чернов, А.В.Лукоянов, А.А.Семянникова, П.Б.Терентьев, П.С.Коренистов, В.В.Чистяков, Е.Б.Марченкова, В.В.Марченков // XIII Межд. молодежная научная конф. «Физика. Технологии. Инновации» (ФТИ-2026), Екатеринбург (Россия), 18.05-22.05.2026, Тезисы докладов, Екатеринбург: УрФУ, 2026. – P.187 – Текст: непосредственный.

2) V.V.Chistyakov. Galvanomagnetic properties in “size” topological insulators Bi2Se3 / V.V.Chistyakov, A.N.Perevalova, B.M.Fominykh, V.V.Marchenkov // Школа-конференция с межд. участием по оптоэлектронике, фотонике и нанобиоструктурам “Saint Petersburg OPEN 2023”, Санкт-Петербург (Россия), 23.05-26.05.2023, Book of Abstracts, HSE University - St. Petersburg 2023. – P.181 – Текст: непосредственный.

3) Б.М.Фоминых. Электрические и гальваномагнитные свойства полуметалла Вейля WTe2 / Б.М.Фоминых, А.Н.Перевалова, С.В.Наумов, С.М.Подгорных, В.В.Чистяков, Е.Б.Марченкова, В.В.Марченков // XXII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-22) памяти М.И. Куркина, Екатеринбург (Россия), -24 ноября – 1 декабря.2022, Тезисы докладов, г. Екатеринбург, ИФМ УрО РАН 2022. – P.167 – Текст: непосредственный.

Показать еще доклады

4) A.N.Perevalova. Galvanomagnetic and optical properties of molybdenum and tungsten ditellurides / A.N.Perevalova, S.V.Naumov, E.I.Shreder, V.V.Chistyakov, E.B.Marchenkova, S.M.Podgornykh, J.C.A.Huang, V.V.Marchenkov // VIII Euro-Asian Symposium Trends in MAGnetism (EASTMAG-2022), Kazan (Россия), -22-26 августа.2022, Тез.докл.-Kazan:Zavoisky Physical-Technical Institute FRC Kazan SC RAS 2022. – P.460 – Текст: непосредственный.

5) А.Н.Перевалова. Электронные транспортные свойства монокристаллов MoxW1-xTe2 (x = 0: 0.7: 1) / А.Н.Перевалова, С.В.Наумов, Е.Б.Марченкова, В.В.Чистяков, С.М.Подгорных, Дж.Ч.А.Хуан, В.В.Марченков // XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2022), Екатеринбург (Россия), -14-19 февраля.2022, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2022. – P.273 – Текст: непосредственный.

6) A.Perevalova. Features of the Electronic Properties of Topological Semimetal PtSn4 and WTe2 Single Crystals / A.Perevalova, S.V.Naumov, A.A.Makhnev, E.I.Shreder, S.M.Podgornykh, E.B.Marchenkova, V.V.Chistyakov, J.C.A.Huang, V.V.Marchenkov // 15th Joint MMM-Intermag Conference (2022 Joint), New Orleans, LA (USA), -10-14 января.2022, Тез.докл.-New Orleans, LA, USA:Org.com 2022. – P.46 – Текст: непосредственный.

7) A.N.Domozhirova. Electrical resistivity, galvanomagnetic and optical properties of WTe2 single crystal / A.N.Domozhirova, S.V.Naumov, A.A.Makhnev, E.I.Shreder, S.M.Podgornykh, E.B.Marchenkova, V.V.Chistyakov, J.C.A.Huang, V.V.Marchenkov // IEEE Intern. Magnetic Virtual Conf. (INTERMAG 2021), Lyon (France), -26-30 апреля.2021, тез. не издавались 2021. – P.1022 – Текст: непосредственный.

8) V.V.Marchenkov. Electronic transport and optical properties of WTe2 single crystal / V.V.Marchenkov, A.N.Domozhirova, S.V.Naumov, A.A.Makhnev, E.I.Shreder, S.M.Podgornykh, E.B.Marchenkova, V.V.Chistyakov, J.C.A.Huang // The European Conf. Physics of Magnetism 2021 (PM’21), Poznan (Poland), -28 июня-2 июля.2021, Тез.докл.-Poznan, Poland:Org.com. 2021. – P.140 – Текст: непосредственный.

9) A.N.Domozhirova. Electronic structure and properties of topological Weyl semimetal MoTe2 and WTe2 single crystals / A.N.Domozhirova, S.V.Naumov, A.A.Makhnev, E.I.Shreder, A.V.Lukoyanov, S.M.Podgornykh, E.B.Marchenkova, V.V.Chistyakov, J.C.A.Huang, V.V.Marchenkov // International Conference “Functional Materials” (ICFM-2021), Alushta, Crimea (Россия), -4-8 октября.2021, Тез.докл.-Alushta, Crimea:Org.com. 2021. – P.276 – Текст: непосредственный.

10) А.Н.Доможирова. Электро- и магнитосопротивление монокристаллов MoTe2 и WTe2 до и после закалки / А.Н.Доможирова, С.В.Наумов, С.М.Подгорных, В.В.Чистяков, Е.Б.Марченкова, Дж.Ч.А.Хуан, В.В.Марченков // XXI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-21)\rnull, Екатеринбург (Россия), -18-25 марта.2021, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2021. – P.168 – Текст: непосредственный.

11) V.V.Marchenkov. Electronic transport features of MoTe2 caused by quenching / V.V.Marchenkov, A.N.Domozhirova, S.V.Naumov, S.M.Podgornykh, V.V.Chistyakov, P.S.Korenistov, J.C.A.Huang // 7th Intern. School and Conf. “Saint Petersburg OPEN 2020” on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures \rnull, Saint Petersburg (Россия), -27-30 апреля .2020, Тез.не изд. 2020. – P.402 – Текст: непосредственный.

12) A.Domozhirova. Peculiarities of the electro- and magnetoresistivity of WTe2 and MoTe2 single crystals / A.Domozhirova, S.V.Naumov, S.M.Podgornykh, V.Chistyakov, J.A.Huang, V.Marchenkov // 65th Annual (Virtual) Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM 2020) \rnull, Florida (USA), -2-6 ноября .2020, Тез.докл.-AIP Publ. 2020. – P.290 – Текст: непосредственный.

13) V.Chistyakov. Size effect in the kinetic properties in thin films of Bi2Se3 topological insulator / V.Chistyakov, A.Domozhirova, J.A.Huang, V.Marchenkov // 65th Annual (Virtual) Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM 2020) \rnull, Florida (USA), -2-6 ноября .2020, Тез.докл.-AIP Publ. 2020. – P.317 – Текст: непосредственный.

14) А.Н.Доможирова. Сильные изменения электронных свойств MoTe2после закалки / А.Н.Доможирова, А.А.Махнев, Е.А.Шредер, С.В.Наумов, Е.И.Патраков, В.В.Чистяков, J.C.A.Huang, В.В.Марченков // XXIII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2020)\rnull, Екатеринбург-Алапаевск (Россия), -17-22 февраля .2020, Тез.докл.-Екатеринбург, Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН 2020. – P.155 – Текст: непосредственный.

15) V.V.Chistyakov. Size effect in the kinetic properties in “sized” films of Bi2Se3 topological insulator / V.V.Chistyakov, A.N.Domozhirova, J.C.A.Huang, V.V.Marchenkov // 7th Intern. School and Conf. “Saint Petersburg OPEN 2020” on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures \rnull, Saint Petersburg (Россия), -27-30 апреля .2020, Тез.не изд. 2020. – P.410 – Текст: непосредственный.

16) А.Н.Доможирова. Электронные свойства монокристалла WTe2 / А.Н.Доможирова, А.А.Махнев, Е.И.Шредер, С.В.Наумов, Е.И.Патраков, В.В.Чистяков, Е.Б.Марченкова, Дж.Ч.А.Хуан // Двадцать пятая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-25), Крым, Симферополь, Севастополь (Россия), -19-26 апреля.2019, Матер.конф.- Севастополь,Республика Крым 2019. – P.74 – Текст: непосредственный.

17) A.N.Domozhirova. Electronic properties of WTe2 and MoTe2 single crystals / A.N.Domozhirova, A.A.Makhnev, E.I.Shreder, S.V.Naumov, A.V.Lukoyanov, V.V.Chistyakov, J.C.A.Huang, A.A.Semiannikova, P.S.Korenistov, E.B.Marchenkova, V.V.Marchenkov // VII Euro-Asian Symp. «Trends in MAGnetism» (EASTMAG-2019), Ekaterinburg (Россия), -8-13 сентября.2019, 2019. – P.97 – Текст: непосредственный.

18) V.V.Chistyakov. Size effect in the electronic transport properties of Bi2Se3 / V.V.Chistyakov, A.N.Domozhirova, J.C.A.Huang, V.V.Marchenkov // 6th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures «Saint Petersburg OPEN 2019», St. Petersburg (Россия), -22-25 апреля.2019 – Текст: непосредственный.

19) V.V.Chistyakov. Thickness dependency of conductivity in TI Bi2Se3 / V.V.Chistyakov, A.N.Domozhirova, J.C.A.Huang, M.Eisterer, V.V.Marchenkov // VII Euro-Asian Symp. «Trends in MAGnetism» (EASTMAG-2019), Ekaterinburg (Россия), -8-13 сентября.2019, 2019. – P.352 – Текст: непосредственный.

20) S.M.Emelyanova. Hall effect in Heusler alloys Ni50Mn36Sb14-xMex (Me = Al, Ge: x = 0: 1: 2: 3) / S.M.Emelyanova, T.V.Dyachkova, A.P.Tyutyunnik, V.V.Chistyakov, A.N.Domozhirova, F.Sauerzopf, R.L.Wang, C.P.Yang, V.V.Marchenkov // VII Euro-Asian Symp. «Trends in MAGnetism» (EASTMAG-2019), Ekaterinburg (Россия), -8-13 сентября.2019, 2019. – P.492 – Текст: непосредственный.

21) А.Н.Доможирова. Магнитные и гальваномагнитные свойства полуметаллических ферромагннетиков Co2VSi и Co2MnSi / А.Н.Доможирова, Ю.А.Перевозчикова, А.А.Семянникова, П.Б.Терентьев, В.В.Чистяков, П.С.Коренистов, В.В.Марченков // XX Юбилейная Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-20), Екатеринбург (Россия), -21-29 ноября.2019, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2019. – P.110 – Текст: непосредственный.

22) В.В.Чистяков. Электронные транспортные свойства полуметаллического ферромагнетика Co2FeSi: от монокристалла до тонкой пленки / В.В.Чистяков, Ю.А.Перевозчикова, А.А.Семянникова, С.В.Наумов, А.Н.Доможирова, П.С.Коренистов, В.В.Марченков // XX Юбилейная Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-20), Екатеринбург (Россия), -21-29 ноября.2019, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2019. – P.129 – Текст: непосредственный.

23) Ю.А.Перевозчикова. Кинетические свойства сплавов Гейслера Mn2YAl / Ю.А.Перевозчикова, А.А.Семянникова, В.Ю.Ирхин, П.Б.Терентьев, А.Н.Доможирова, В.В.Чистяков, П.С.Коренистов, В.В.Марченков // XX Юбилейная Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-20), Екатеринбург (Россия), -21-29 ноября.2019, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2019. – P.120 – Текст: непосредственный.

24) А.Н.Доможирова. Электрические и оптические свойства монокристаллов MoxW1-xTe2 (x=0: 0,7:1) / А.Н.Доможирова, А.А.Махнев, Е.И.Шредер, С.В.Наумов, Е.И.Патраков, С.М.Подгорных, В.В.Чистяков, Ю.А.Перевозчикова, Р.А.Парулин, А.Д.Иванов, Дж.Ч.А.Хуан, В.В.Марченков // XX Юбилейная Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-20), Екатеринбург (Россия), -21-29 ноября.2019, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2019. – P.111 – Текст: непосредственный.

25) А.Н.Доможирова. Синтез, электрические и оптические свойства монокристалла PtSn4 / А.Н.Доможирова, А.А.Махнев, В.В.Чистяков, Е.И.Патраков, Дж.С.А.Хуан, В.В.Марченков // XXIII Межд. конф. «Новое в магнетизме и магнитных материалах» (НМММ XXIII), Москва (Россия), -30 июня – 5 июля.2018, Сб.трудов-Москва:МИРЭА 2018. – P.92 – Текст: непосредственный.

26) А.Н.Доможирова. Электронные свойства монокристаллов PtSn4 и MoxW1-xTe2 (X=0,0,5, 1) / А.Н.Доможирова, А.А.Махнев, В.В.Чистяков, Е.И.Патраков, J.C.A Huang, Ю.А.Перевозчикова, Е.Б.Марченкова, В.В.Марченков // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), Москва-Ростов-на-Дону-Шепси (Россия), -17-22 сентября.2018, Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования 2018. – P.131 – Текст: непосредственный.

27) В.В.Чистяков. Размерный эффект в электронных свойствах тонких пленок Bi2Se3 / В.В.Чистяков, J.C.A Huang, С.В.Наумов, Ю.А.Перевозчикова, Е.Б.Марченкова, А.А.Доможирова, M.Eisterer, В.В.Марченков // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), Екатеринбург-Алапаевск (Россия), -19-24 февраля.2018, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2018. – P.164 – Текст: непосредственный.

28) А.Н.Доможирова. Структура поверхности, электросопротивление и гальваномагнитные свойства монокристалла PtSn4 / А.Н.Доможирова, В.В.Чистяков, С.В.Наумов, Е.И.Патраков, Е.Б.Марченкова, В.В.Марченков // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), Екатеринбург-Алапаевск (Россия), -19-24 февраля.2018, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2018. – P.224 – Текст: непосредственный.

29) А.Н.Доможирова. Электронный транспорт и оптические свойства монокристалла PtSn4 / А.Н.Доможирова, А.А.Махнев, В.В.Чистяков, Е.И.Патраков, Дж.С.А.Хуанг, В.В.Марченков // 52-я Школа ПИЯФ по Физике Конденсированного Состояния (Школа ФКС-2018), Санкт-Петербург (Россия), -12-17 марта.2018, Тез.докл.-Санкт-Петербург:НИЦ «Курчатовский институт» 2018. – P.99 – Текст: непосредственный.

30) А.Н.Доможирова. Размерный эффект в электросопротивлении тонких пленок Bi2Se3 / А.Н.Доможирова, В.В.Чистяков // XXV Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Ломоносов», Москва (Россия), -9-13 апреля.2018, Тез. докл.-Москва:Физический факультет МГУ 2018. – P.323 – Текст: непосредственный.

31) А.Н.Доможирова. Электрические и оптические свойства момнокристалла PtSn4 / А.Н.Доможирова, А.А.Махнев, В.В.Чистяков, Е.И.Патраков, J.C.A.Huang, В.В.Марченков // V Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации» (ФТИ-2018), Екатеринбург (Россия), -14-18 мая.2018, Тез.докл.-Екатеринбург:УРФУ 2018. – P.141 – Текст: непосредственный.

32) А.Н.Доможирова. Электросопротивление и гальваномагнитные свойства тонких плёнок Bi2Se3 / А.Н.Доможирова, В.В.Чистяков, J.C.A.Huang, В.В.Марченков // V Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации» (ФТИ-2018), Екатеринбург (Россия), -14-18 мая.2018, Тез.докл.-Екатеринбург:УРФУ 2018. – P.140 – Текст: непосредственный.

33) А.Н.Доможирова. Электронные транспортные и оптические свойства монокристалла Mo0.5W0.5Te2 / А.Н.Доможирова, А.А.Махнев, С.В.Наумов, В.В.Чистяков, Е.И.Патраков, Дж.Ч.А.Хуан, Ю.А.Перевозчикова, А.А.Семянникова, Е.Б.Марченкова, В.В.Марченков // XIX Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-19), Екатеринбург (Россия), -15-22 ноября.2018, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2018. – P.107 – Текст: непосредственный.

34) Ю.А.Перевозчикова. Электронный транспорт и магнитные свойства полуметаллического ферромагнетика Co2FeSi / Ю.А.Перевозчикова, В.В.Чистяков, А.А.Семянникова, А.Н.Доможирова, В.В.Марченков // XIX Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-19), Екатеринбург (Россия), -15-22 ноября.2018, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2018. – P.116 – Текст: непосредственный.

35) Ю.А.Перевозчикова. Магнитные и электронные транспортные свойства полуметаллических ферромагнитных сплавов Гейслера на основе Co / Ю.А.Перевозчикова, А.А.Семянникова, А.Н.Доможирова, В.В.Чистяков, П.Б.Терентьев, В.В.Марченков // XIX Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-19), Екатеринбург (Россия), -15-22 ноября.2018, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2018. – P.110 – Текст: непосредственный.

36) В.В.Чистяков. Размерный эффект в электронных транспортных свойствах Bi2Se3 / В.В.Чистяков, Дж.С.А.Хуан, С.В.Наумов, Ю.А.Перевозчикова, Е.Б.Марченкова, А.Н.Доможирова, В.В.Марченков // XXIII Межд. конф. «Новое в магнетизме и магнитных материалах» (НМММ XXIII), Москва (Россия), -30 июня – 5 июля.2018, Сб.трудов-Москва:МИРЭА 2018. – P.424 – Текст: непосредственный.

37) В.В.Чистяков. Размерный эффект в электронных транспортных свойствах пленок топологического изолятора Bi2Se3 / В.В.Чистяков, А.Н.Доможирова, J.C.A.Huang, В.В.Марченков // XIX Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-19), Екатеринбург (Россия), -15-22 ноября.2018, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2018. – P.115 – Текст: непосредственный.

38) А.Н.Доможирова. Получение, аттестация и электрические характеристики монокристалла вейлевского полуметалла PtSn4-нового материала для сверхбыстрой электроники / А.Н.Доможирова, В.В.Чистяков, С.В.Наумов, Е.И.Патраков, Е.Б.Марченкова, В.В.Марченков // XXX Уральская конференция «Физические методы неразрушающего контроля (Янусовские чтения) в рамках международного форума «Сварка и диагностика на транспорте», Екатеринбург (Россия), -14-15 ноября.2017, Тез.докл.-Екатеринбург:УрФУ 2017. – P.24 – Текст: непосредственный.

39) А.Н.Доможирова. Электрические и гальваномагнитные свойства монокристалла PtSn4 / А.Н.Доможирова, В.В.Чистяков, С.В.Наумов, Е.И.Патраков, Е.Б.Марченкова, В.В.Марченков // XVIII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-18), Екатеринбург (Россия), -16-23 ноября.2017, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2017. – P.94 – Текст: непосредственный.

40) Е.И.Патраков. Структура поверхности и электронный транспорт монокристалла PtSn4 / Е.И.Патраков, В.В.Чистяков, С.В.Наумов, Ю.А.Перевозчикова, С.М.Емельянова, Е.Б.Марченкова, А.Н.Доможирова, В.В.Марченков // 2-й Международный форум по электронно-лучевым технологиям для микроэлектроники «Техноюнити – ЭЛТМ 2017», Зеленоград (Россия), -9-12 октября.2017, Тез.докл.-М.,Зеленоград:ИПТМ РАН 2017. – P.169 – Текст: непосредственный.

41) А.Н.Доможирова. Электрические и гальваномагнитные свойства монокристалла PtSn4 / А.Н.Доможирова, В.В.Чистяков, С.В.Наумов, Е.И.Патраков, Е.Б.Марченкова, В.В.Марченков // ХXX Уральская конференция «Физические методы неразрушающего контроля (Янусовские чтения)», Екатеринбург (Россия), -14 ноября.2017, Тез.докл.-Екатеринбург:УрФУ 2017. – P.94 – Текст: непосредственный.

42) В.В.Чистяков. Электрические и гальваномагнитные свойства тонких пленок Bi2Se3 и монокристаллов PtSn4 / В.В.Чистяков, Дж.С.А.Хуан, С.В.Наумов, Ю.А.Перевозчикова, Е.Б.Марченкова, М.Айстерер, В.В.Марченков // XVIII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-18), Екатеринбург (Россия), -16-23 ноября.2017, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2017. – P.101 – Текст: непосредственный.

43) А.Н.Доможирова. Размерный эффект в электросопротивлении тонких пленок Bi2Se3 / А.Н.Доможирова, В.В.Чистяков, J.C.A.Huang, В.В.Марченков // IV Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации» (ФТИ-2017), Екатеринбург (Россия), -15-19 мая.2017, Тез.докл.-Екатеринбург:УРФУ 2017. – P.126 – Текст: непосредственный.

44) V.V.Marchenkov. Optical, electrical and galvanomagnetic properties of PtSn4 sin-gle crystals / V.V.Marchenkov, S.V.Naumov, A.A.Makhnev, V.V.Chistyakov, J.C.A.Huang, E.B.Marchenkova, M.Eisterer // 28th International Conference on Low Temperature Physics (LT28), Gothenburg (Sweden), -9-16 августа .2017, Тез.конф.-Gothenburg, Sweden:Org.com. 2017. – P.551 – Текст: непосредственный.

45) V.V.Marchenkov. Size effect in the electronic transport of thin films of Bi2Se3 and PtSn4 / V.V.Marchenkov, V.V.Chistyakov, J.C.A.Huang, S.V.Naumov, Yu.A.Perevozchikova, E.B.Marchenkova, M.Eisterer // Moscow International Symposium on Magnetism (MISM-2017), Moscow (Россия), -1-5 июля.2017, Тез.докл.-Moskow:Org.com.,Lomonosov Moskow State Univ. 2017. – P.160 – Текст: непосредственный.

46) В.В.Чистяков. Размерный эффект в электронном транспорте тонких пленок Bi2Se3 и PtSn4 / В.В.Чистяков, Дж.С.А.Хуанг, С.В.Наумов, Ю.А.Перевозчикова, С.М.Емельянова, Е.Б.Марченкова, А.А.Доможирова, М.Эйстерер, В.В.Марченков // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург (Россия), -2-6 октября.2017, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2017. – P.447 – Текст: непосредственный.

47) Н.А. Виглин. Структура, электрические и магнитные свойства пленок сплавов Гейслера Co2Cr0.6Fe0.4Al и Fe2NbSn / Н.А. Виглин, Е.И. Патраков, К.А. Белозерова, В.В. Чистяков, А.А. Вишняков, В.В. Марченков // XXVI по электронной микроскопии и 4-я Школа молодых ученых «Современные методы электронной и зондовой микроскопии в исследованиях наноструктур и наноматериалов» (РКЭМ-2016), Зеленоград (Россия), -30 мая – 3 июня.2016, Тез.докл. На съёмном носителе.-М.-Зеленоград:ИПТМ РАН 2016. – P.404 – Текст: непосредственный.

48) Н.А. Виглин. Структура, электрические и магнитные свойства сплавов Гейслера Co2Cr0.6Fe0.4Al и Fe2NbSn / Н.А. Виглин, В.В. Чистяков, Е.И. Патраков, К.А. Белозерова, А.А. Вишняков, Ю.А. Перевозчикова, В.В. Марченков // XX Менделеевский съезд по общей и прикладной химии (XX Mendeleev Congress on General and Applied Chemistry ), Екатеринбург (Россия), -26-30 сентября.2016, Тез.докл.-в 5 томах.-Екатеринбург:Орг.ком. 2016. – P.226 – Текст: непосредственный.

49) В.В. Чистяков. Электрические, гальваномагнитные свойства и ЯМР в монокристалле Bi2Te3 / В.В. Чистяков, Ю.А. Перевозчикова, Д.Ю. Подорожкин, Е.В. Чарная, А.О. Антоненко, Р.И. Мухамадьяров, С.В. Наумов, В.В. Марченков // XVII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-17), Екатеринбург (Россия), -15-22 ноября.2016, Тез.докл-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2016. – P.115 – Текст: непосредственный.

Результаты интеллектуальной деятельности

1) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2025687555 Российская Федерация. Анализ температурной зависимости электросопротивления и выделение аномальной составляющей Холловской проводимости в магнитоупорядоченных материалах: № 2025687180: заявл. 13.10.2025: опубликовано 13.10.2025 / В.В.Чистяков, В.В.Марченков; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

2) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2025687554 Российская Федерация. Анализ и выделение вклада аномального эффекта Холла в магнитоупорядоченных материалах: № 2025687179: заявл. 13.10.2025: опубликовано 13.10.2025 / В.В.Чистяков, В.В.Марченков; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

3) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2025687556 Российская Федерация. Определение эффективной массы носителей заряда в формализме Лифшица-Косевича: № 2025687181: заявл. 13.10.2025: опубликовано 13.10.2025 / В.В.Чистяков, В.В.Марченков, Б.М.Фоминых, А.Н.Перевалова; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

Показать еще РИД

4) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2025687553 Российская Федерация. Универсальный калькулятор расчета молярной массы сплавов и химических соединений: № 2025687175: заявл. 13.10.2025: опубликовано 13.10.2025 / В.В.Чистяков, В.В.Марченков; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

5) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2025685013 Российская Федерация. Определение фазы Берри для поверхностных состояний топологических изоляторов по квантовым осцилляциям с учетом эффективной массы и эффекта Зеемана: № 2025684535: заявл. 19.09.2025: опубликовано 19.09.2025 / В.В.Чистяков, Б.М.Фоминых, В.В.Марченков, В.Ю.Ирхин; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

6) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2025685012 Российская Федерация. Применение двухзонной модели для анализа электронной проводимости топологических материалов: № 2025684534: заявл. 19.09.2025: опубликовано 19.09.2025 / В.В.Чистяков, Б.М.Фоминых, В.В.Марченков, А.Н.Перевалова; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

7) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2025681466 Российская Федерация. Расчет величины магнитокалорического эффекта косвенным методом с помощью аппроксимирующих уравнений второго и третьего порядков: № 2025680654: заявл. 14.08.2025: опубликовано 14.08.2025 / В.В.Чистяков, В.В.Марченков, С.М.Емельянова; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

8) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2025681465 Российская Федерация. Определение температурной постоянной бета для материалов с высокими терморезистивными характеристиками: № 2025680653: заявл. 14.08.2025: опубликовано 14.08.2025 / В.В.Чистяков, В.В.Марченков, Ю.А.Перевозчикова; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

9) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2025681464 Российская Федерация. Универсальный кроссплатформенный контроллер автоматизированных измерений температурных зависимостей электросопротивления: № 2025680652: заявл. 14.08.2025: опубликовано 14.08.2025 / В.В.Чистяков, В.В.Марченков; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

10) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2025681463 Российская Федерация. Универсальный кроссплатформенный SCPI драйвер для автоматизации экспериментальных измерений: № 2025680651: заявл. 14.08.2025: опубликовано 14.08.2025 / В.В.Чистяков, В.В.Марченков; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

11) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2024685101 Российская Федерация. Выделение поверхностного и объемного вкладов в электросопротивлении топологических материалов и анализ их температурной зависимости: № 2024684612: заявл. 24.10.2024: опубликовано 24.10.2024 / В.В.Чистяков, В.В.Марченков; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

12) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2024685399 Российская Федерация. Анализ температурных зависимостей электросопротивления и оценка вкладов от различных механизмов рассеяния в сплавах Гейслера: № 2024685013: заявл. 29.10.2024: опубликовано 29.10.2024 / В.В.Чистяков, Ю.А.Перевозчикова, В.В.Марченков; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

13) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2024685398 Российская Федерация. Анализ и обработка экспериментальных данных по аномальному эффекту Холла в ферромагнетиках: № 2024685012: заявл. 29.10.2024: опубликовано 29.10.2024 / В.В.Чистяков, В.В.Марченков; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

14) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2024685098 Российская Федерация. Оценка вкладов от поверхности и объема в электросопротивление топологических изоляторов и вейлевских полуметаллов: № 2024684610: заявл. 24.10.2024: опубликовано 24.10.2024 / В.В.Чистяков, А.Н.Перевалова, Б.М.Фоминых, В.В.Марченков; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН . - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

15) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2024685097 Российская Федерация. Анализ и обработка экспериментальных данных по размерному эффекту в электросопротивлении топологических материалов: № 2024684609 : заявл. 24.10.2024: опубликовано 24.10.2024 / В.В.Чистяков, В.В.Марченков; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН . - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

16) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2024668191 Российская Федерация. Анализ и выделение топологического эффекта Холла в материалах со спиновой текстурой : № 2024667191: заявл. 23.07.2024: опубликовано 06.08.2024 / В.В.Чистяков, Ю.А.Перевозчикова, В.В.Марченков; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

17) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2024667275 Российская Федерация. Обработка результатов измерений гальваномагнитных свойств материалов, в которых наблюдается аномальный эффект Холла: № 2024666642 : заявл. 23.07.2024 : опубликовано 23.07.2024 / В.В.Марченков, В.В.Чистяков, Ю.А.Перевозчикова; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

18) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2024660499 Российская Федерация. Измерение электросопротивления топологических, полупроводниковых и металлических материалов при высоких температурах: № 07.05.2024: заявл. 2024619750: опубликовано 07.05.2024 / В.В.Марченков , В.В.Чистяков ; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

19) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2023668865 Российская Федерация. Применение модифицированной модели Блоха-Грюнайзера для анализа температурных зависимостей электросопротивления топологических материалов: № 2023668246: заявл. 05.09.2023: опубликовано 05.09.2023 / В.В.Чистяков; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

20) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2022660290 Российская Федерация. Применение двухзонной модели для анализа гальваномагнитных свойств топологических полуметаллов: № 2022619364: заявл. 23.05.2022: опубликовано 01.06.2022 / В.В.Чистяков, А.Н.Перевалова, В.В.Марченков; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

21) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2020616623 Российская Федерация. Измерение электронных транспортных свойств металлических и полупроводниковых материалов: № 2020615386: заявл. 29.05.2020: опубликовано 19.06.2020 / В.В.Чистяков, А.Н.Доможирова, А.А.Семянникова, В.В.Марченков; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

22) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № Российская Федерация. Программа ЭВМ «Интерполяция экспериментальных данных, полученных при измерении электронных транспортных свойств металлов, сплавов и соединений», патент № 2019618529: № : заявл. : опубликовано 02.07.2019 / А.Н.Доможирова, В.В.Чистяков, В.В.Марченков; заявитель и правообладатель . - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

23) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № Российская Федерация. Программа ЭВМ «Обработка результатов транспортных и магнитных измерений тонкопленочных и объемных образцов», патент N 2018615063: № : заявл. : опубликовано 23.04.2018 / В.В.Чистяков, Ю.А.Перевозчикова, В.В.Марченков; заявитель и правообладатель . - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

24) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № Российская Федерация. Программа ЭВМ Измерения температурных зависимостей электросопротивления тонкопленочных и объемных образцов, патент N 2018610036: № : заявл. : опубликовано 09.01.2018 / В.В.Чистяков, Ю.А.Перевозчикова, В.В.Марченков; заявитель и правообладатель . - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

25) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2015662259 Российская Федерация. Программа для расчета акустического импеданса многослойных композитных материалов (AcusticImpedanse): № 2015619261: заявл. 05.10.2015: опубликовано 20.12.2015 / В.В.Чистяков, А.Ф.Зацепин, Д.Ю.Бирюков; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

Наукометрические данные ИФМ УрО РАН по состоянию на 25.06.2025 г.
	WoS	РИНЦ
Всего статей	-	20481
Индекс Хирша	-	126
Цитируемость
суммарно	-	187598
на статью	-	9,16

Адрес:	620077, г. Екатеринбург,
	ул. Софьи Ковалевской, 18
Email:	physics@imp.uran.ru
Телефон:	(343) 374-02-30
Факс:	(343) 374-52-44
Схема проезда

Вы здесь