Перевалова Александра Николаевна

Кандидат физико-математических наук

Научный сотрудник (Лаборатория низких температур)


Контактная информация:

Внутренний тел.: 36-17
Корпус А, комната 251
Электронный адрес: domozhirova@imp.uran.ru

Наукометрические данные (по состоянию на 18.08.2025г):
Web of Science: h-index - 5; Sum of the Times Cited - 82
Scopus: h-index - 6; Sum of the Times Cited - 117
РИНЦ (SCIENCE INDEX): Индекс Хирша - 6; Цитируемость - 153
Личные страницы автора в системах: WoS, Scopus ID, ORCID, РИНЦ, База публикаций ИФМ


Статьи

1) Heavy ion irradiation-induced modifications in magnetotransport of the topological insulator Bi2Se3 / B.M. Fominykh1, A.N. Perevalova1, V.Yu. Irkhin1, S.V. Naumov1, K.V. Shalomov0, N.V. Gushchina0, E.B. Marchenkova1, V.V. Marchenkov1. – Текст: непосредственный // Radiation Physics and Chemistry. — 2026. — V. 242. — P. 113645—113656.

2) Tuning the electrical and optical properties of topological insulator Bi2Se3 by Ar+ ion irradiation / B.M. Fominykh1, A.N. Perevalova1, E.I. Shreder1, S.V. Naumov1, K.V. Shalomov0, E.B. Marchenkova1, N.V. Gushchina0, V.V. Ovchinnikov0, V.V. Marchenkov1. – Текст: непосредственный // Materials Letters. — 2025. — V. 387. — P. 138263—138268.

3) Effect of argon ion irradiation on the electrical transport and electronic characteristics of Bi2Se3 single crystals / V.V. Marchenkov1, B.M. Fominykh1, A.N. Perevalova1, A.E. Stepanov1, S.V. Naumov1, E.B. Marchenkova1, A.M. Bartashevich1, K.V. Shalomov0, N.V. Gushchina0, V.V. Ovchinnikov0. – Текст: непосредственный // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B. — 2025. — V. 561. — P. 165633—165638.


Доклады

1) A.N.Perevalova. The effect of argon ion irradiation on the electrical resistivity and magnetotransport properties of topological Weyl semimetal WTe2 / A.N.Perevalova, B.M.Fominykh, S.V.Naumov, K.V.Shalomov, E.B.Marchenkova, N.V.Gushchina, V.V.Ovchinnikov, V.V.Marchenkov // VI Intern. Baltic Conf. on Magnetism 2025 (IBCM-2025), Kaliningrad (Russia), 17.08-21.08.2025, Книга тезисов, Kaliningrad: IKBFU 2025. – P.52 – Текст: непосредственный.

2) Б.М.Фоминых. Влияние облучения ионами аргона на электрические и оптические свойства топологического изолятора Bi2Se3 / Б.М.Фоминых, А.Н.Перевалова, Е.И.Шредер, С.В.Наумов, К.В.Шаломов, Е.Б.Марченкова, Н.В.Гущина, В.В.Овчинников, В.В.Марченков // XXXII Межд. научная конф. студентов, аспирантов и молодых ученых «Ломоносов-2025», Москва (Россия), 11.04-25.04.2025, ISBN 978-5-317-07418-Материалы, М.: МАКС Пресс 2025. – P.1 – Текст: непосредственный.

3) А.Н.Перевалова. СИНТЕЗ, СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛА ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА BI2SE3 / А.Н.Перевалова, Б.М.Фоминых, Д.Ю.Гаврилов, С.В.Наумов, Е.Б.Марченкова, В.В.Марченков // XII Межд. молодежная научная конф. «Физика. Технологии. Инновации» (ФТИ-2025), Екатеринбург (Россия), 19.05-23.05.2025, Тезисы докладов, Екатеринбург: УрФУ, 2025,. – P.117 – Текст: непосредственный.


Результаты интеллектуальной деятельности

1) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2025687556 Российская Федерация. Определение эффективной массы носителей заряда в формализме Лифшица-Косевича: № 2025687181: заявл. 13.10.2025: опубликовано 13.10.2025 / В.В.Чистяков, В.В.Марченков, Б.М.Фоминых, А.Н.Перевалова; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

2) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2025685012 Российская Федерация. Применение двухзонной модели для анализа электронной проводимости топологических материалов: № 2025684534: заявл. 19.09.2025: опубликовано 19.09.2025 / В.В.Чистяков, Б.М.Фоминых, В.В.Марченков, А.Н.Перевалова; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

3) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2024685098 Российская Федерация. Оценка вкладов от поверхности и объема в электросопротивление топологических изоляторов и вейлевских полуметаллов: № 2024684610: заявл. 24.10.2024: опубликовано 24.10.2024 / В.В.Чистяков, А.Н.Перевалова, Б.М.Фоминых, В.В.Марченков; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН . - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.