Сандаков Никита Сергеевич

Младший научный сотрудник (Лаборатория полупроводников и полуметаллов)

Статьи

1) Magnetotransport in high-mobility metamorphic InGaAs/InAlAs heterostructures with high InAs content / N.S. Sandakov¹, S.V. Gudina¹, V.N. Neverov¹, M.V. Yakunin¹, S.D. Popov¹, A.S. Bogoliubskii¹, K.V. Turutkin¹, I.S. Vasil’evskii⁰, A.N. Vinichenko⁰. – Текст: непосредственный // Journal of Applied Physics. — 2026. — V. 139 – No. 9. — P. 95705—95717.

2) Temperature dependence of the electron quantum lifetime in InGaAs/GaAs double quantum well: Fukuyama-Abrahams mechanism / S.V. Gudina¹, Yu.G. Arapov¹, V.N. Neverov¹, A.P. Savelyev¹, N.S. Sandakov¹, N.G. Shelushinina¹, M.V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Physica E. — 2025. — V. 165. — P. 116113—116121.

Доклады

1) В.Н.Неверов. Универсальность критических индексов в режиме квантового эффекта Холла в зависимости от типа потенциала беспорядка / В.Н.Неверов, С.В.Гудина, Н.С.Сандаков, Н.Г.Шелушинина // XXX Симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), 09.03-13.03.2026, Тезисы докладов, Нижний Новгород, 2026. – P.374 – Текст: непосредственный.

2) Н.С.Сандаков. Спин-орбитальное расщепление и спин-зависимое рассеяние в симметрично-легированных квантовых ямах HgCdTe/CdHgTe / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, М.В.Якунин, С.Д.Попов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, В.Я.Алешкин, Н.Н.Михайлов // XXX Симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), 09.03-13.03.2026, Тезисы докладов, Нижний Новгород, 2026. – P.405 – Текст: непосредственный.

3) С.Д.Попов. Влияние типа потенциального контакта образца на возникновение пиков напряжения в режиме квантового эффекта Холла при отсутствии тока через образец / С.Д.Попов, В.Н.Неверов, С.В.Гудина, Н.С.Сандаков, К.В.Туруткин, Н.Б.Груздев, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXX Симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), 09.03-13.03.2026, Тезисы докладов, Нижний Новгород, 2026. – P.388 – Текст: непосредственный.

Показать еще доклады

4) С.Д.Попов. Влияние типа контакта провод-образец на возникновение пиков напряжения в режиме квантового эффекта Холла / С.Д.Попов, В.Н.Неверов, С.В.Гудина, Н.С.Сандаков, К.В.Туруткин, Н.Б.Груздев, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXVI Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2026), Екатеринбург (Россия), 16.02-20.02.2026, ISBN 978-5-6052052-1-Сборник тезисов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2026. – P.140 – Текст: непосредственный.

5) В.Н.Неверов. Механизмы сбоя фазы для одиночных и двойных гетеропереходов в квантовых фазовых переходах плато-плато квантового эффекта Холла / В.Н.Неверов, С.В.Гудина, Н.Г.Шелушинина, Н.С.Сандаков, С.Д.Попов, М.В.Якунин // XXVI Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2026), Екатеринбург (Россия), 16.02-20.02.2026, ISBN 978-5-6052052-1-Сборник тезисов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2026. – P.86 – Текст: непосредственный.

6) Н.С.Сандаков. Спин-зависимое рассеяние в квантовых ямах HgCdTe с высокой электронной концентрацией / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, М.В.Якунин, С.Д.Попов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, В.Я.Алешкин, Н.Н.Михайлов // XXVI Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2026), Екатеринбург (Россия), 16.02-20.02.2026, ISBN 978-5-6052052-1-Сборник тезисов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2026. – P.116 – Текст: непосредственный.

7) С.Д.Попов. Возникновение разности потенциалов в отсутствие тока через образец в режиме квантового эффекта Холла в образце со случайной неэквивалентностью контактов / С.Д.Попов, В.Н.Неверов, С.В.Гудина, К.В.Туруткин, Н.С.Сандаков, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXIV Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-24), посвященная 100-летию со дня рождения Е.А. Турова, Екатеринбург (Россия), 14.03-20.03.2025, ISBN 978-5-6052052-0-3, Тезисы докладов, г. Екатеринбург: ИФМ УрО РАН, 2025. – P.115 – Текст: непосредственный.

8) С.В.Гудина. Проводимость двумерных систем с квантовыми ямами на основе теллурила ртути с заданной структурной асимметрией / С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.С.Сандаков, М.В.Якунин, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, С.Д.Попов, Н.Н.Михайлов // XXIX Симп. «Нанофизика и наноэлектроника» , Нижний Новгород (Россия), 10.03-14.03.2025, Тезисы докладов, Нижний Новгород, 2025. – P.382 – Текст: непосредственный.

9) Н.С.Сандаков. Эффективные масса и g-фактор электронов в квантовой яме InGaAs с высоким содержанием InAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин // XXVIII Межд. симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), 11.03-15.03.2024, Труды, Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024, ISBN 978-5-8048-0124-4. – P.812 – Текст: непосредственный.

10) Н.С.Сандаков. Магнитотранспортные явления в метаморфных гетероструктурах с квантовой ямой InGaAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XVI Росс. конф. по физике полупроводников, Россия (Санкт-Петербург), 07.10-11.10.2024, ISBN 978-5-93634-074-5, Тезисы докладов, СПб.: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2024. – P.142 – Текст: непосредственный.

11) Н.С.Сандаков. Параметры энергетического спектра электронов в квантующих магнитных полях в метаморфных гетероструктурах InGaAs/InAlAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // Молодежная конференция по физике полупроводников «Зимняя школа 2024», Зеленогорск (Россия), 29.02-04.03.2024, Тезисы докладов, СПб.: ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2024, ISBN 978-5-7422-8466-6. – P.92 – Текст: непосредственный.

12) Н.С.Сандаков. Параметры электронного энергетического спектра в квантующих магнитных полях в метаморфных гетероструктурах InGaAs/InAlAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2024), Екатеринбург (Россия), 12.02-17.02.2024, Тезисы докладов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2024, ISBN 978-5-6045774-9-3. – P.117 – Текст: непосредственный.

13) Н.С.Сандаков. Обменное усиление g-фактора электронов в метаморфных гетероструктурах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // X Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации» (ФТИ-2023), Екатеринбург (Россия), 15.05-19.05.2023, ISBN 978-5-6050040-2-8, Тезисы докладов, Екатеринбург : УрФУ, ИЗДАТЕЛЬСВО АМБ, 2023.. – P.300 – Текст: непосредственный.

14) Н.С.Сандаков. Циклотронная эффективная масса и g*-фактор электронов в метаморфных гетероструктурах с квантовой ямой InGaAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXIII Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-23), Екатеринбург (Россия), 23.11-30.11.2023, ISBN 978-5-6045774-8-6, Тезисы докладов, Екатеринбург: ИФМ УрО РАН, 2023. – P.129 – Текст: непосредственный.

15) Н.С.Сандаков. Эффективный g-фактор в метаморфных гетеро- структурах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 14-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», Москва (Россия), 24.05-25.05.2023, ISBN 978-5-7262-2958-4, Сборник трудов, М.: НИЯУ МИФИ, 2023. – P.19 – Текст: непосредственный.

16) Н.С.Сандаков. Параметры электронного энергетического спектра в квантующих магнитных полях в метаморфных гетероструктурах с квантовой ямой InGaAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXV Всеросс. молодежная конф. по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто-и наноэлектронике, Санкт-Петербург (Россия), 27.11-01.12.2023, ISBN 978-5-7422-8329-4, Тезисы докладов, СПб. : ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2023. – P.55 – Текст: непосредственный.

17) Н.С.Сандаков. Усиление эффективного g-фактора в метаморфных гетероструктурах InGaAs/InAlAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 65-я Всероссийская научная конфеенция МФТИ , Москва (Россия), 03.04-08.04.2023 – Текст: непосредственный.

18) С.В.Гудина. Эффективный g-фактор в квантовых ямах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.С.Сандаков, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // Международный семинар «Фазовые переходы и неоднородные состояния в оксидах» International Workshop PTISO22, Казань (Россия), -4-8 июля.2022, Тез.докл.-Казань:Орг.ком. 2022. – P.84 – Текст: непосредственный.

19) Н.С.Сандаков. Определение эффективного g -фактора в метаморфных гетероструктурах InGaAs{InAlAs с высоким содержанием InAs в наклонных магнитных полях / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин // XXII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-22) памяти М.И. Куркина, Екатеринбург (Россия), -24 ноября – 1 декабря.2022, Тезисы докладов, г. Екатеринбург: ИФМ УрО РАН, 2022. – P.163 – Текст: непосредственный.

Наукометрические данные ИФМ УрО РАН по состоянию на 25.06.2025 г.
	WoS	РИНЦ
Всего статей	-	20481
Индекс Хирша	-	126
Цитируемость
суммарно	-	187598
на статью	-	9,16

Адрес:	620108, г. Екатеринбург,
	ул. Софьи Ковалевской, 18
	Фактические индексы: 620077, 620066
Email:	physics@imp.uran.ru
Телефон:	(343) 374-02-30
Факс:	(343) 374-52-44
Схема проезда

Вы здесь