Фоминых Богдан Михайлович

Младший научный сотрудник (Лаборатория низких температур)


Наукометрические данные (по состоянию на 18.08.2025г):
Web of Science: h-index - 3; Sum of the Times Cited - 16
Scopus: h-index - 3; Sum of the Times Cited - 19
РИНЦ (SCIENCE INDEX): Индекс Хирша - 3; Цитируемость - 22
Личные страницы автора в системах: WoS, Scopus ID, ORCID, РИНЦ, База публикаций ИФМ


Статьи

1) Влияние термо- и механоциклирования на термоупругие мартенситные превращения, микроструктуру и свойства (α+β)-сплава Cu–39.5 мас.% Zn с эффектами памяти формы / А.Э. Свирид1, Н.Н. Куранова1, В.В. Марченков1, В.Г. Пушин1, Д.Ю. Распосиенко1, Б.М. Фоминых1, С.В. Афанасьев1. – Текст: непосредственный // Физика металлов и металловедение. — 2025. — V. 126 – No. 5. — P. 589—597.

2) Electronic transport and Fermi surface of Weyl semimetal WTe2: Quantum oscillations and first-principles study / B.M. Fominykh1, A.N. Perevalova1, S.T. Baidak1, A.V. Lukoyanov2, S.V. Naumov1, E.B. Marchenkova1, V.V. Marchenkov2. – Текст: непосредственный // Journal of Alloys and Compounds. — 2025. — V. 1039. — P. 182966—182976.

3) INFLUENCE OF THERMO- AND MECHANOCYCLING OF THERMOELASTIC MARTENSITIC TRANSFORMATIONS ON THE MICROSTRUCTURE AND PROPERTIES OF METASTABLE α+β COPPER-ZINC-BASED SHAPE MEMORY ALLOYS / N.N. Kuranova1, V.V. Marchenkov1, V.G. Pushin1, D.Yu. Rasposienko1, A.E. Svirid1, B.M. Fominykh1, S.V. Afanasyev1. – Текст: непосредственный // Chelyabinsk Physical and Mathematical Journal. — 2025. — V. 10 – No. 2. — P. 275—285.


Доклады

1) А.Н.Перевалова. СИНТЕЗ, СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛА ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА BI2SE3 / А.Н.Перевалова, Б.М.Фоминых, Д.Ю.Гаврилов, С.В.Наумов, Е.Б.Марченкова, В.В.Марченков // XII Межд. молодежная научная конф. «Физика. Технологии. Инновации» (ФТИ-2025), Екатеринбург (Россия), 19.05-23.05.2025, Тезисы докладов, Екатеринбург: УрФУ, 2025,. – P.117 – Текст: непосредственный.

2) D.V.Beliaev. EFFECT OF IRRADIATION ON ELECTRONIC PROPERTIES AND OPTICAL PROPERTIES OF Bi1.985V0.015Te2.4Se0.6 / D.V.Beliaev, B.M.Fominykh, M.N.Sarychev, E.I.Patrakov, E.I.Shreder, Yu.V.Korkh, V.Yu.Ivanov, K.A.Kokh, V.V.Marchenkov, O.E.Tereshchenko, T.V.Kuznetsova // IX Euro-Asian Symp. “Trends in MAGnetism” (EASTMAG-2025), Yuzhno-Sakhalinsk (Russia), 13.09-17.09.2025, ISBN 978-5-88811-673-9, Symposium Book of Abstracts, Yuzhno-Sakhalinsk, Editorial and publishing center, Sakhalin State University, 2025.. – P.164 – Текст: непосредственный.

3) A.N.Perevalova. The effect of argon ion irradiation on the electrical resistivity and magnetotransport properties of topological Weyl semimetal WTe2 / A.N.Perevalova, B.M.Fominykh, S.V.Naumov, K.V.Shalomov, E.B.Marchenkova, N.V.Gushchina, V.V.Ovchinnikov, V.V.Marchenkov // VI Intern. Baltic Conf. on Magnetism 2025 (IBCM-2025), Kaliningrad (Russia), 17.08-21.08.2025, Книга тезисов, Kaliningrad: IKBFU 2025. – P.52 – Текст: непосредственный.


Результаты интеллектуальной деятельности

1) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2025687556 Российская Федерация. Определение эффективной массы носителей заряда в формализме Лифшица-Косевича: № 2025687181: заявл. 13.10.2025: опубликовано 13.10.2025 / В.В.Чистяков, В.В.Марченков, Б.М.Фоминых, А.Н.Перевалова; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

2) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2025685013 Российская Федерация. Определение фазы Берри для поверхностных состояний топологических изоляторов по квантовым осцилляциям с учетом эффективной массы и эффекта Зеемана: № 2025684535: заявл. 19.09.2025: опубликовано 19.09.2025 / В.В.Чистяков, Б.М.Фоминых, В.В.Марченков, В.Ю.Ирхин; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

3) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2025685012 Российская Федерация. Применение двухзонной модели для анализа электронной проводимости топологических материалов: № 2025684534: заявл. 19.09.2025: опубликовано 19.09.2025 / В.В.Чистяков, Б.М.Фоминых, В.В.Марченков, А.Н.Перевалова; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.