Формирование структурных фрагментов в твердых растворах замещения дихалькогенидов переходных металлов

А.С. Шкварин, А.И. Меренцов, М.С. Постников, Ю.М. Ярмошенко, Е.Г. Шкварина, Е.А. Суслов, А.Ю. Кузнецова, А.Н. Титов

Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург

 

Дихалькогениды переходных металлов – широкий класс материалов с различными физическими свойствами. Впервые обнаружено, что при замещении по подрешёткам как переходного металла, так и халькогена, формируются наномасштабные неоднородности. При этом материал сохраняет все признаки микроскопически однородного вещества. Выполнено систематическое исследование формирования неоднородностей при неизовалентном замещении по подрешётке переходного металла и при изовалентном замещении по подрешётке халькогена. Изучены кристаллическая и электронная структура. Показано, что такого рода материалы можно рассматривать как твёрдый коллоидный раствор.

 
 
Рис. 1. SPEM-изображения поверхности монокристалла Cr0.78Ti0.36Se2, полученные в контрасте по Se 3d (панель a), Ti 2p (панель b) и Cr 3p (панель c) остовным уровням.

 

  1. Electronic Structure of VxTi1–xSe2 Solid Solutions with the (V,Ti)Se2 Structural Fragments / A.S. Shkvarin, A.I. Merentsov, M.S. Postnikov, Yu.M. Yarmoshenko, E.G. Shkvarina, E.A. Suslov, A.Yu. Kuznetsova, I. Píš, S. Nappini, F. Bondino, P. Moras, P.M. Sheverdyaeva, E. Betz-Guttner, A.N. Titov // Journal of Physical Chemistry C. — 2022. — V. 126. — P. 7076 — 7085.
  2. Studying the heterogeneity of the CrxTi1-xCh2 (Ch = S, Se) single crystals using X-ray scanning photoemission microscopy / A.I. Merentsov, A.S. Shkvarin, M.S. Postnikov, L. Gregoratti, M. Amati, P. Zeller, P. Moras, A.N. Titov // Journal of Physics and Chemistry of Solids. — 2022. — V. 160. — P. 110309 — 110315.