Байдак Семен Тимофеевич

Младший научный сотрудник (Лаборатория оптики металлов)


Наукометрические данные (по состоянию на 20.08.2024г):
Web of Science: h-index - 3; Sum of the Times Cited - 12
Scopus: h-index - 3; Sum of the Times Cited - 15
РИНЦ (SCIENCE INDEX): Индекс Хирша - 3; Цитируемость - 23
Личные страницы автора в системах: WoS, Scopus ID, ORCID, РИНЦ, База публикаций ИФМ


Статьи

1) Narrow gap semiconductor to metal transition in GdNiSb under pressure / R.D. Mukhachev1, S.T. Baidak1, A.V. Lukoyanov3. – Текст: непосредственный // Ceramics International. — 2025. — V. 51 – No. 10. — P. 12330—12336.

2) Formation of semiconductor state in oxysulfostibnites RSbS2O with R = Dy, Ho, Er / S.T. Baidak2, A.V. Lukoyanov2. – Текст: непосредственный // Journal Of Experimental And Theoretical Physics. — 2024. — V. 09. — P. 1—9.

3) Формирование полупроводникового состояния в оксисульфостибнитах RSbS2O при R = Dy, Ho, Er / С.Т. Байдак2, А.В. Лукоянов2. – Текст: непосредственный // Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 2024. — V. 166 – No. 3. — P. 403—408.


Доклады

1) A.V.Lukoyanov. Magnetic properties and topological features of band structure of Gd-Sb compound with strong electron correlations / A.V.Lukoyanov, S.T. Baidak, R.D.Mukhachev, Yu.V.Knyazev, Yu.I.Kuzmin, K.G.Suresh // Intern. Union of Materials Research Societies – Intern. Conf. in Asia (IUMRS-ICA) 2024, Indore (India), 03.12-06.12.2024, Book of abstracts 2024. – P.37 – Текст: непосредственный.

2) S.T.Baidak. Formation of a semiconductor state in oxysulfostibnites RSbS2O with R = Gd, Dy, Ho, Er / S.T.Baidak, A.V.Lukoyanov // The 4th Intern. Online Conf. on Crystals (IOCC 2024), Россия (on-line), 18.09-20.09.2024, Book of abstracts 2024. – P.56 – Текст: непосредственный.

3) S.T.Baidak. Electronic structure and transport properties of topological insulators Bi2Te3 and Bi2Se3 / S.T.Baidak, B.M.Fominykh, A.V.Lukoyanov, A.N.Perevalova, S.V.Naumov, E.B.Marchenkova, V.V.Marchenkov // 9th Intern. Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE 2024). 6th Intern. Conf. on New Materials and High Technologies (6th NMHT), Russia (Tomsk), 16.09-21.09.2024, ISBN 978-5-6052421-8-5, Abstracts, Tomsk : Academizdat Publishing, 2024. – P.545 – Текст: непосредственный.