Список публикаций

Арапов Юрий Григорьевич


  


1) А.П.Савельев. Сопротивление гетероструктур n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в параллельном плоскости структуры магнитном поле: механизмы рассеяния носителей заряда [Текст] / А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина // XX Юбилейная Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-20), Екатеринбург, 21-29 ноября , 2019: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 124 c.

2) С.В.Гудина. Вклад от обменного электрон-электронного взаимодействия в проводимость структур InGaAs/GaAs с одиночными и двойными квантовыми ямами [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIV Российская конференция по физике полупроводников, Новосибирск, 9-13 сентября, 2019: Тез. докл.-М. Издательство Перо.- 219 c.

3) С.В.Гудина. Активационная проводимость в режиме квантового эффекта Холла в квантовых ямах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, Е.В.Дерюшкина, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 10-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения» , Москва, 15-16 мая, 2019: Труды конф.-Москва:НИЯУ МИФИ.- 11 c.

4) Effect of exchange electron-electron interaction on conductivity of InGaAs single and double quantum wells [Текст] / Gudina S.V., Arapov Y.G., Neverov V.N., Savelyev A.P., Podgornykh S.M., Shelushinina N.G., Yakunin M.V. // Physica E. — 2019. — V. 113. — P. 14—20.

5) HgTe quantum wells with inverted band structure: Quantum Hall effect and the large-scale impurity potential [Текст] / S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, M. R. Popov, E. V. Deriushkina, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky // Low temperature physics. — 2019. — V. 45. — P. 412—418.

6) HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential [Текст] / S.V. Gudina, Yu.G. Arapov, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, M.R. Popov, E.V. Deriushkina, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky // Физика низких температур. — 2019. — V. 45. — P. 476—483.

7) Quantum Hall transitions in the presence of Landau levels mixing in n-InGaAs/InAlAs structures [Текст] / S V Gudina, Yu G Arapov, E V Ilchenko, V N Neverov, A P Savelyev, S M Podgornykh, N G Shelushinina, M V Yakunin, I S Vasil'evskii, A N Vinichenko // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. — 2019. — V. 475. — P. 12029—12036.

8) On the issue of universality of critical exponents in the quantum Hall effect mode [Текст] / Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, E. V. Deryushkina, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin // Low temperature physics. — 2019. — V. 45. — P. 181—188.

9) К вопросу об универсальности критических индексов в режиме квантового эффекта Холла [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, Е.В. Дерюшкина, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2019. — V. 45. — P. 210—218.

10) К вопросу о природе перехода в фазу квантового эффекта Холла [Текст] / Савельев А.П., Арапов Ю.Г., Гудина С.В., Шелушинина Н.Г., Якунин М.В. // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. — 2018. — V. -. — P. 209—216.

11) С.В.Гудина, Роль спин-орбитального взаимодействия в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // poster, : XXII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (2018:Нижний Новгород). XXII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 12-15 марта, Труды конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского госун-та-ISBN 978-5-91326-446-6, 59/45,3 усл.печ.л, 507/389 с., 350 экз., 2018. - стр. 576-577

12) Ю.Г.Арапов. Эффекты электрон-электронного взаимодействия в температурной зависимости проводимости одиночной и двойных квантовых ям InGaAs [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIX Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-19) , Екатеринбург, 15-22 ноября, 2018: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 112 c.

13) Ю.Г.Арапов. Аномалии квантового эффекта Холла при перекрытии уровней Ландау в структурах n-In0,90Ga0,10As/In0,81Al0,48As с сильным спин-орбитальным взаимодействием [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), Москва-Ростов-на-Дону-Шепси, 17-22 сентября, 2018: Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования.- 132 c.

14) Е.В.Ильченко. Влияние спин-орбитального взаимодействия на критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAiAs [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), Москва-Ростов-на-Дону-Шепси, 17-22 сентября, 2018: Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования.- 94 c.

15) С.В.Гудина. Роль спин-орбитального взаимодействия в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018: Труды конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского госун-та.- 576 c.

Показать все публикации