Савельев Александр Павлович

Научный сотрудник (Лаборатория полупроводников и полуметаллов)


Контактная информация:
Тел.: 378-35-63,
внутренний тел.: 35-63
Корпус А, комната 305
Электронный адрес: sasha.savelev@gmail.com

Наукометрические данные (по состоянию на 15.04.2022г):
Web of Science: h-index - 2; Sum of the Times Cited - 12
Scopus: h-index - 2; Sum of the Times Cited - 15
РИНЦ (SCIENCE INDEX): Индекс Хирша - 3; Цитируемость - 26
Личные страницы автора в системах: Researcher ID, Scopus ID, ORCID, РИНЦ, База публикаций ИФМ


Статьи

1) Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures / A. P. Savelyev1, Yu. G. Arapov1, S. V. Gudina1, V. N. Neverov1, S. M. Podgornykh1, N. G. Shelushinina1, M. V. Yakunin1. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2021. — V. 47. — P. 14—19.

2) Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures / A. P. Savelyev1, Yu. G. Arapov1, S. V. Gudina1, V. N. Neverov1, S. M. Podgornykh1, N. G. Shelushinina1, M. V. Yakunin1. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2021. — V. 47. — P. 18—23.

3) Annealing stability of the domain structure in periodically poled MgO doped lithium niobate single crystals / Saveliev E.D.0, Saveliev A.P.1, Akhmatkhanov A.R.0, Baturin I.S.0, Ya. Shur V.0. – Текст: непосредственный // Ferroelectrics. — 2019. — V. 542. — P. 45—51.


Доклады

1) С.В.Гудина. Критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs: крупномасштабный примесный потенциал [Текст] / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, К.В.Туруткин, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 14-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», Москва, 25.05.2023, ISBN: 978-5-7262-2958-4, Сборник трудов, М.: НИЯУ МИФИ, 2023.- 15 c.

2) А.П.Савельев. Исследование механизмов рассеяния в двойных квантовых ямах InGaAs/GaAs в параллельном магнитном поле [Текст] / А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2022), Екатеринбург, 14-19 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 164 c.

3) С.В.Гудина. Эффективный g-фактор в квантовых ямах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.С.Сандаков, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // Международный семинар «Фазовые переходы и неоднородные состояния в оксидах» International Workshop PTISO22, Казань, 4-8 июля, ISBN: Тез.докл.-Казань:Орг.ком..- 84 c.