Направления исследований:

  • Исследование закономерностей изменения электронной структуры в широком диапазоне давлений, включающем структурные фазовые переходы
    • фазовые переходы «полупроводник-металл»
    • электронные и структурные переходы
    • исследование параметров носителей заряда и зондирование электронной структуры материалов
  • Термоэлектрические исследования
    • поиск путей улучшения термоэлектрической эффективности и добротности материалов
    • поиск новых фаз и состояний с высокими термоэлектрическими параметрами

 

Наиболее значительные результаты, полученные в лаборатории (с 2010 г.)

  • В оксидах обнаружены новые электронные и структурные состояния при высоком давлении
  • В сегнетоэлектриках типа M2P2X6 (M-Sn, Pb; X-S,Se) под давлением обнаружен переход «полупроводник-металл»
  • Создан и испытан термоэлемент высокого давления, представляющий собой миниатюрную камеру высокого давления с наковальнями типа Бриджмена из изолирующего материала – нитрида бора, ветви р-типа и n-типа которого изготовлены из образцов Bi0.5Sb1.5Te3 и Bi2Te2.73Se0.27

 

Выполняемые проекты (с 2010 г.)

  • Проект Президиума РАН № 09-П-2-1020 «Влияние высокого давления, химического замещения и облучения высокоэнергетическими частицами на атомную, электронную и фононную подсистемы s-p и f-d материалов» 2009-2011 г.
  • Проект РФФИ №10-08-00945_а «Материалы, фазы и состояния с улучшенными термоэлектрическими свойствами при сверхсильном сжатии», 2010-2012 г.
  • Молодежный инновационный проект УрО РАН № И-2 «Термоэлектрический элемент высокого давления с улучшенными параметрами» 2012 г.
  • Проект Президиума РАН №12-П-2-1004 «Закономерности изменения электронной структуры s-p и f-d материалов при высоком давлении до 30 ГПа» 2012-2014 г.
  • Проект по Программе ориентированных фундаментальных исследований № 13-2-032-ЯЦ «Исследование материалов и состояний с сильными термоэлектрическими (термомагнитными) эффектами при высоком давлении» 2013-2015 г.
  • Проект РФФИ № 14-02-00622_а «Функциональные материалы при высоком давлении: модификация электрофизических свойств, новые фазовые и электронные переходы, и новые перспективы для применения» 2014-2016 г.
  • Проект РФФИ № 14-02-31142 мол_а «Экспериментальные и теоретические исследования d- и f- электронных систем при высоких давлениях» 2014-2015 г.
  • Проект РФФИ № 14-08-31023 мол_а «Разработка модели термоэлектрических элементов с улучшенными ТЭ параметрами с использованием эффектов высокого давления» 2014-2015 г.

 

Участие в международных конференциях (с 2010 г.)

  • 14th HPSP International Conference on High Pressure Semiconductor Physics, Changchun, China (2010)
  • 12th International symposium on physics of materials (ISPMA 12), Prague, Czech Republic (2011)
  • SPIE Smart Structures/NDE Conference, San Diego, USA (2011)
  • XIV International Forum on Thermoelectricity, Moscow, Russia (2011)
  • XXIII AIRAPT International Conference on High Pressure Science and Technology, Mumbai, India (2011)
  • 49th EHPRG Intl. Conference on High-Pressure Research, Budapest, Hungary (2011)
  • 50-я юбилейная Международная научная студенческая конференция «Студенты и научно-технический прогресс», Новосибирск, Россия (2012)
  • The 31st International & 10th European Conference on Thermoelectrics, Aalborg, Denmark (2012)
  • 15th International Conference on High Pressure Semiconductor Physics, Montpellier, France (2012)
  • 50th Meeting of the European High Pressure Research Group, Thessaloniki, Greece (2012)
  • XV International Forum on thermoelectricity, Tallinn, Estonia (2013)
  • Sixteenth International Conference on High Pressure in Semiconductor Physics, Mexico City, Mexico (2014)
  • 52nd European High Pressure Research Group International Meeting, Lyon, France (2014)
  • 3rd Joint Workshop on High Pressure, Planetary and Plasma Physics, Rostock, Germany (2014)
  • Joint AIRAPT-25th & EHPRG-53rd International Conference on High Pressure Science and Technology, Madrid, Spain (2015)

 

Диссертации доктора наук сотрудников лаборатории полупроводников и полуметаллов

  • Соколов В.И. «Спектроскопия экситонов, связанных с примесями 3d-элементов, в полупроводниках A2B6» (1988).
  • Ляпилин И.И. «Явления переноса в узкощелевых полумагнитных полупроводниках» (1989).
  • Пономарев А.И. «Электронные кинетические явления в полупроводниковых и ВТСП соединениях с примесями замещения и собственными дефектами» (1998).
  • Якунин М.В. «Квантовые гальваномагнитные явления в полупроводниках с вырожденным энергетическим спектром носителей тока» (2001).

 

Диссертации кандидата наук сотрудников лаборатории полупроводников и полуметаллов

  • Давыдов А.Б. «Электропроводность n-Ge и n-Si в сильных СВЧ полях» (1967).
  • Поморцев Р.В. «Электропроводность полупроводников в сильных электрических и магнитных полях» (1968).
  • Аксельрод М.М. «Магнитофононный резонанс в антимониде индия» (1970).
  • Глузман Н.Г. «Термогальваномагнитные явления в электронном германии в сильных магнитных полях» (1971).
  • Харус Г.И. «Продольное магнитосопротивление полупроводников в квантующих магнитных полях» (1971).
  • Пономарев А.И. «Квантовые гальваномагнитные явления в некоторых полупроводниках со структурой сфалерита» (1971).
  • Доманская Л.И. «Термомагнитные эффекты в условиях сильного легирования и электрон-фононного увлечения» (1972).
  • Шелушинина Н.Г. «Кинетические явления в разбавленных немагнитных сплавах» (1972).
  • Соколов Вл.И. «Исследование явлений переноса в сильных магнитных полях в n-Ge, n-InAs и n-GaAs» (1972).
  • Матвеев Г.А. «Исследование примесной проводимости в электронном германии в сильных магнитных полях» (1976).
  • Демчук К.М. «Исследование явлений переноса в антимониде и арсениде индия под давлением» (1977).
  • Суркова Т.П. «Природа проводимости и оптические свойства легированных пленок двуокиси олова» (1977).
  • Константинов В.Л. «Оптические исследования окислов и сульфидов редкоземельных элементов» (1978).
  • Потапов Г.А. «Исследование осцилляций Шубникова – де Гааза в узкощелевых полупроводниках» (1980).
  • Поникаров Б.Б. «Исследование кинетических свойств бесщелевых полупроводников Hg1-xMnxTe» (1981).
  • Нейфельд Э.А. «Гальваномагнитные эффекты в HgTe и Hg1-xCdxTe в сильных магнитных полях» (1982).
  • Сабирзянова Л.Д. «Особенности эффекта Шубникова – де Гааза в узкощелевых полупроводниках» (1982).
  • Арапов Ю.Г. «Акцепторные состояния и особенности гальваномагнитных явлений в бесщелевых полупроводниках Hg1-xCdxTe» (1982).
  • Черняев В.В. «Экситоны, связанные с изоэлектронными примесями, в полупроводниках со структурой цинковой обманки» (1983).
  • Щенников В.В. «Влияние высокого давления на кинетические эффекты в халькогенидах ртути и кадмия» (1984).
  • Захаров В.А. «Поверхностные волны в полупроводниках» (1985).
  • Жебелев С.И. «Разогрев электронов в кремнии на сверхвысоких частотах» (1985).
  • Якунин М.В. «Магнитофононный резонанс на дырках в германии» (1985).
  • Штрапенин Г.Л. «Магнитоплазменные явления и фотопроводимость в узкощелевых полупроводниках на СВЧ» (1986).
  • Мамедов А.Н. «Экситоны, связанные с примесями переходных металлов, в полупроводниках A2B6» (1986).
  • Городилов Н.А. «Влияние особенностей электронного спектра и примесных состояний на термо- и гальваномагнитные эффекты в бесщелевых кристаллах HgTe, Hg1-xCdxTe и Hg1-xMnxTe» (1988).
  • Лончаков А.Т. «Особенности явлений переноса в n-Ge вблизи перехода металл- диэлектрик» (1989).
  • Зверева М.Л. «Переход металл-диэлектрик, индуцированный магнитным полем в неоднородных кристаллах n-Hg0.8Cd0.2Te» (1989).
  • Крылов К.Р. «Кинетические явления в высокотемпературных сверхпроводниках» (1993)
  • Чарикова Т.Б. «Термогальваномагнитные эффекты и релаксационные явления в высокотемпературных сверхпроводниках» (1995).
  • Неверов В.Н. «Эффекты локализации и квантовый эффект Холла в гетероструктурах p-Ge/GeSi» (1998).
  • Игнатенков А.Н. «Гальваномагнитные эффекты в смешанном и нормальном состояниях ВТСП кристаллов Nd2-xCexCuO4-δ» (1999).
  • Альшанский Г.А. «Энергетический спектр и подвижность носителей заряда в двумерных полупроводниковых структурах» (2002).
  • Ташлыков А.О. ««Электронные кинетические явления в ВТСП соединениях с примесями замещения и нестехиометрическими дефектами» (2008).