Publications

1) С.Б.Бобин. Линейное поперечное магнитосопротивление в монокристаллах селенида ртути, легированных примесью кобальта [Текст] / С.Б.Бобин, А.Т.Лончаков, В.В.Дерюшкин, Л.Д.Паранчич // XIV Российская конференция по физике полупроводников, Новосибирск, 9-13 сентября, ISBN: Тез. докл.-М. Издательство Перо.- 48 c.

2) Observation of quantum topological Hall effect in the Weyl semimetal candidate HgSe / A.T. Lonchakov¹, S.B. Bobin¹, V.V. Deryushkin¹, V.N. Neverov¹. – Текст: непосредственный // Journal of Physics: Condensed Matter. — 2019. — V. 31. — P. 405706—405717.

3) Nontrivial topology of bulk HgSe from the study of cyclotron effective mass, electron mobility and phase shift of Shubnikov–de Haas oscillations / S B Bobin¹, A T Lonchakov¹, V V Deryushkin¹, V N Neverov¹. – Текст: непосредственный // Journal of Physics: Condensed Matter. — 2019. — V. 31 . — P. 115701—115706.

4) V.V.Deryushkin. Study of linear magnetoresistance due to small concentration of cobalt impurity in mercury selenide single crystals [Текст] / V.V.Deryushkin, A.T.Lonchakov, S.B.Bobin, V.N.Neverov, L.D.Paranchich // XVII International Feofilov Symposium on Spectroscopy of Crystals Doped with Rare Earth and Transition Metal Ions, Ekaterinburg, 23-28 сентября, ISBN: Тез.докл.-Ekaterinburg:Ural Federal Univ..- 244 c.

5) С.Б.Бобин. Обнаружение квантования холловского сопротивления в селениде ртути с низкой концентрацией электронов [Текст] / С.Б.Бобин, А.Т.Лончаков, В.В.Дерюшкин, В.Н.Неверов // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), Москва-Ростов-на-Дону-Шепси, 17-22 сентября, ISBN: Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования.- 113 c.

6) В.В.Дерюшкин. Исследование монокристаллов селенида ртути термооптическим методом [Текст] / В.В.Дерюшкин, А.А.Старостин, В.В.Шангин, А.Т.Лончаков, С.Б.Бобин, А.Н.Котов // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), Москва-Ростов-на-Дону-Шепси, 17-22 сентября, ISBN: Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования.- 117 c.

7) В.В.Дерюшкин. Линейное магнитосопротивление, вызванное легированием селенида ртути примесью кобальта малой концентрации [Текст] / В.В.Дерюшкин, А.Т.Лончаков, С.Б.Бобин, В.Н.Неверов, Л.Д.Паранчич // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), Москва-Ростов-на-Дону-Шепси, 17-22 сентября, ISBN: Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования.- 119 c.

8) С.Б.Бобин. Особенности концентрационной зависимости эффективной массы, подвижности электронов и фазы осцилляций магнитосопротивления в селениде ртути – кандидате в семейство полуметаллов Вейля [Текст] / С.Б.Бобин, А.Т.Лончаков, В.В.Дерюшкин, В.Н.Неверов // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), Москва-Ростов-на-Дону-Шепси, 17-22 сентября, ISBN: Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования.- 115 c.

9) А.Т.Лончаков. Эффективная масса и нетривиальная фаза Берри в селениде ртути с низкой концентрацией электронов [Текст] / А.Т.Лончаков, С.Б.Бобин, В.В.Дерюшкин, В.Н.Неверов // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), Екатеринбург-Алапаевск, 19-24 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 206 c.

10) А.Т.Лончаков. Обнаружение квантового аномального эффекта Холла в образцах HgSe с низкой концентрацией электронов [Текст] / А.Т.Лончаков, В.В.Дерюшкин, С.Б.Бобин, В.Н.Неверов // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), Екатеринбург-Алапаевск, 19-24 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 222 c.

11) Исследование аномального эффекта Холла в кристаллах HgSe:Co дифференциальным методом тока Холла / А.Т. Лончаков¹, С.Б. Бобин¹, В.В. Дерюшкин¹, В.И. Окулов², Т.Е. Говоркова¹. – Текст: непосредственный // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. — 2018. — V. . — P. 20—25.

12) Peculiar behavior of magnetoresistance in HgSe single crystal with low electron concentration / A. T. Lonchakov¹, S. B. Bobin¹, V. V. Deryushkin¹, V. I. Okulov¹, T. E. Govorkova¹, V. N. Neverov¹. – Текст: непосредственный // Applied Physics Letters. — 2018. — V. 112. — P. 82101—82106.

Show all