Arapov Yuriy Grigor'yevich

PhD (Physics and Mathematics)

Senior researcher (Laboratory of Semiconductors and Semimetals )

Contact information:
Phone.: 378-35-77
Email: arapov@imp.uran.ru

Scientometric data (as of 15.04.2022):
Web of Science: h-index - 9; Sum of the Times Cited - 259
SCIENCE INDEX: h-index - 9; Sum of the Times Cited - 394
Personal pages of the author in the systems: Researcher ID, ORCID, SCIENCE INDEX

Papers

1) Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures [Текст] / A. P. Savelyev, Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin // Физика низких температур. — 2021. — V. 47. — P. 18 (6 pages)

2) Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures [Текст] / A. P. Savelyev, Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin // Low temperature physics. — 2021. — V. 47. — P. 14 (6 pages)

3) HgTe quantum wells with inverted band structure: Quantum Hall effect and the large-scale impurity potential [Текст] / S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, M. R. Popov, E. V. Deriushkina, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky // Low temperature physics. — 2019. — V. 45. — P. 412 (7 pages)

4) HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential [Текст] / S.V. Gudina, Yu.G. Arapov, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, M.R. Popov, E.V. Deriushkina, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky // Физика низких температур. — 2019. — V. 45. — P. 476 (8 pages)

5) Quantum Hall transitions in the presence of Landau levels mixing in n-InGaAs/InAlAs structures [Текст] / S V Gudina, Yu G Arapov, E V Ilchenko, V N Neverov, A P Savelyev, S M Podgornykh, N G Shelushinina, M V Yakunin, I S Vasil'evskii, A N Vinichenko // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. — 2019. — V. 475. — P. 12029 (8 pages)

6) К вопросу об универсальности критических индексов в режиме квантового эффекта Холла [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, Е.В. Дерюшкина, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2019. — V. 45. — P. 210 (9 pages)

7) On the issue of universality of critical exponents in the quantum Hall effect mode [Текст] / Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, E. V. Deryushkina, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin // Low temperature physics. — 2019. — V. 45. — P. 181 (8 pages)

8) Effect of exchange electron-electron interaction on conductivity of InGaAs single and double quantum wells [Текст] / Gudina S.V., Arapov Y.G., Neverov V.N., Savelyev A.P., Podgornykh S.M., Shelushinina N.G., Yakunin M.V. // Physica E. — 2019. — V. 113. — P. 14 (7 pages)

9) Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs [Текст] / Гудина С.В., Арапов Ю.Г., Ильченко Е.В., Неверов В.Н., Савельев А.П., Подгорных С.М., Шелушинина Н.Г., Якунин М.В., Васильевский И.С., Виниченко А.Н. // Физика и техника полупроводников. — 2018. — V. 52. — P. 1447 (9 pages)

10) К вопросу о природе перехода в фазу квантового эффекта Холла [Текст] / Савельев А.П., Арапов Ю.Г., Гудина С.В., Шелушинина Н.Г., Якунин М.В. // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. — 2018. — V. -. — P. 209 (8 pages)

11) Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures [Текст] / S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, E. I. Ilchenko, V. N. Neverov, A. P. Savelyev, S. M. Podgornykh, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, I. S. Vasil’evskii, A. N. Vinichenko // Semiconductors. — 2018. — V. 52. — P. 1551 (8 pages)

12) Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия [Текст] / А.С. Клепикова, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, Б.Н. Звонков // Физика низких температур. — 2017. — V. 43. — P. 596 (9 pages)

13) Conditions for experimental observation of the critical behavior of the longitudinal and Hall resistance in the quantum Hall regime in gallium and indium arsenide-based heterostructures [Текст] / A. S. Klepikova, Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, V. N. Neverov, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, B.N. Zvonkov // Low temperature physics. — 2017. — V. 43. — P. 478 (7 pages)

14) Insulator-quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures [Текст] / A. P. Savelyev, S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, V. N. Neverov, S. M. Podgonykh, M. V. Yakunin // Low temperature physics. — 2017. — V. 43. — P. 491 (4 pages)

15) Quantum Hall effect in n-InGaAs/InAlAs metamorphic nanoheterostructures with high InAs content [Текст] / Svetlana Gudina, Yurii Arapov, Alexander Savelyev, Vladimir Neverov, Sergey Podgornykh, Nina Shelushinina, Michail Yakunin, Krzysztof Rogacki, Ivan Vasil'evskii, Alexander Vinichenko // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. — 2017. — V. 440. — P. 10 (3 pages)

16) The Temperature Dependence of the Conductivity Peak Values in the Single and the Double Quantum Well Nanostructures n-InGaAs/GaAs After IR-illumination [Текст] / Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, A. S. Klepikova, V. N. Neverov, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin // Физика и техника полупроводников. — 2017. — V. 51. — P. 281 (1 pages)

17) The Temperature Dependence of the Conductivity Peak Values in the Single and the Double Quantum Well Nanostructures n-InGaAs/GaAs After IR-illumination [Текст] / Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, A. S. Klepikova, V. N. Neverov, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin // Semiconductors. — 2017. — V. 51. — P. 272 (7 pages)

18) Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs [Текст] / А.П. Савельев, С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2017. — V. 43. — P. 612 (6 pages)

19) 2D-localization and delocalization effects in quantum Hall regime in HgTe wide quantum wells [Текст] / Svetlana V. Gudina, Yurii G. Arapov, Vladimir N. Neverov, Sergey M. Podgornykh, Mikhail R. Popov, Nina G. Shelushinina, Mikhail V. Yakunin, Sergey A. Dvoretsky, Nikolay N. Mikhailov // Physica Status Solidi C. — 2016. — V. 13. — P. 473 (4 pages)

20) Quantum Hall Effect and Hopping Conductivity in n-InGaAs/InAlAs Nanoheterostructures [Текст] / S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, A. P. Saveliev, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, I. S. Vasil’evskii, A. N. Vinichenko // Semiconductors. — 2016. — V. 50. — P. 1641 (6 pages)

21) Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs [Текст] / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, А.П. Савельев, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко // Физика и техника полупроводников. — 2016. — V. 50. — P. 1669 (7 pages)

22) Variable-Range Hopping Conductivity in Quantum Hall Regime for HgTe-Based Heterostructure [Текст] / Arapov Y.G., Gudina S.V., Neverov V.N., Podgornykh S.M., Popov M.R., Harus G.I., Shelushinina N.G., Yakunin M.V., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N. // Journal of Low Temperature Physics. — 2016. — V. 185. — P. 665 (8 pages)

23) Electron-electron interaction and the universality of critical indices for quantum Hall effect plateau-plateau transitions in n-InGaAs/GaAs nanostructures with double quantum wells [Текст] / Arapov Y.G., Gudina S.V., Klepikova A.S., Neverov V.N., Shelushinina N.G., Yakunin M.V. // Semiconductors. — 2015. — V. 49. — P. 181 (6 pages)

24) Temperature scaling in the quantum-Hall-effect regime in a HgTe quantum well with an inverted energy spectrum [Текст] / Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, M. R. Popov, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky // Semiconductors. — 2015. — V. 49. — P. 1545 (5 pages)

25) ПЕРЕХОД ИЗОЛЯТОР – КВАНТОВО-ХОЛЛОВСКАЯ ЖИДКОСТЬ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ N-INGAAS/GAAS [Текст] / Савельев А.П., Арапов Ю.Г., Гудина С.В., Неверов В.Н., Подгорных С.М., Якунин М.В. // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. — 2015. — V. 12. — P. 439 (5 pages)

26) Температурный скейлинг в квантовом эффекте Холла в квантовой яме HgTe с инвертированным энергетическим спектром [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.Р. Попов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий // Физика и техника полупроводников. — 2015. — V. 49. — P. 1593 (5 pages)

27) Электрон-электронное взаимодействие и универсальность критических индексов для переходов между плато квантового эффекта Холла в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, А.С. Клепикова, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика и техника полупроводников. — 2015. — V. 49. — P. 186 (6 pages)

28) Quantum magnetotransport in n-InGaAs/GaAs structures with electron density changes caused by infrared radiation [Текст] / Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, A. P. Saveliev, M. V. Yakunin // Low temperature physics. — 2015. — V. 41. — P. 221 (12 pages)

29) Quantum Hall plateau-plateau transitions in n-InGaAs/GaAs heterostructures before and after IR illumination [Текст] / Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, A. S. Klepikova, V. N. Neverov, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin // Low temperature physics. — 2015. — V. 41. — P. 106 (4 pages)

30) Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, А.П. Савельев, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2015. — V. 41. — P. 289 (15 pages)

31) Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, А.С. Клепикова, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2015. — V. 41. — P. 139 (8 pages)

32) Scaling in the Quantum Hall Regime for a Double Quantum Well Nanostructure in High Magnetic Field [Текст] / Yurii G. Arapov, Svetlana V. Gudina, Anna S. Klepikova, Vladimir N. Neverov, Sergey G. Novokshonov, Vsevolod I. Okulov, Tatiana B. Charikova, German I. Harus, Nina G. Shelushinina, Mikhail V. Yakunin // Sol. Stat. Phenomena. — 2014. — V. 215. — P. 208 (6 pages)

33) Эффекты туннелирования в наклонных магнитных полях в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, А.С. Клепикова, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин, Б.Н. Звонков. // Физика и техника полупроводников. — 2013. — V. 47. — P. 1457 (5 pages)

34) Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — V. 39. — P. 58 (8 pages)

35) Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.Г. Новокшонов, А.С. Клепикова, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — V. 39. — P. 66 (10 pages)

36) Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами [Текст] / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — V. 39. — P. 481 (5 pages)

37) Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with strongly coupled double quantum wells [Текст] / Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, M. V. Yakunin // Low temperature physics. — 2013. — V. 39. — P. 43 (7 pages)

38) Temperature dependence of the bandwidth of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime [Текст] / Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, V. N. Neverov, S. G. Novokshonov, A. S. Klepikova, G. I. Kharus, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin // Low temperature physics. — 2013. — V. 39. — P. 50 (8 pages)

39) The effect of infrared radiation on quantum magnetotransport in n-InGaAs/GaAs with two strongly coupled quantum wells [Текст] / S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, M. V. Yakunin // Low temperature physics. — 2013. — V. 39. — P. 374 ( pages)

40) Tunneling effects in tilted magnetic fields in n-InGaAs/GaAs structures with strongly coupled double quantum wells [Текст] / Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, A. S. Klepikova, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, M. V. Yakunin, B. N. Zvonkov // Semiconductors. — 2013. — V. 47. — P. 1447 (5 pages)

41) СКЕЙЛИНГ В РЕЖИМЕ КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В НАНОСТРУКТУРАХ n- InGaAs/GaAs [Текст] / Арапов Ю.Г., Гудина С.В., Клепикова А.С., Неверов В.Н., Новокшонов С.Г., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г., Якунин М.В. // Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 2013. — V. 144. — P. 166 (10 pages)

42) Scaling in the quantum Hall effect regime in n-InGaAs/GaAs nanostructures [Текст] / Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, A. S. Klepikova, V. N. Neverov, S. G. Novokshonov, G. I. Kharus, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin // Journal Of Experimental And Theoretical Physics. — 2013. — V. 117. — P. 144 (9 pages)

43) Magnetotransport in two-dimensional n-InGaAs/GaAs double-quantum-well structures near the transition from the insulator to the quantum Hall effect regime [Текст] / Yu. G. Arapov, I. V. Karskanov, G. I. Harus, V. N. Neverov, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin // Low temperature physics. — 2009. — V. 35. — P. 32 (12 pages)

44) Spectrum of Landau levels of a double quantum well in an inclined magnetic field [Текст] / Yu. G. Arapov, V. N. Neverov, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, M. Ya. Yakunin // Low temperature physics. — 2009. — V. 35. — P. 133 (4 pages)

45) Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла [Текст] / Ю.Г. Арапов, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2009. — V. 35. — P. 44 (15 pages)

46) Спектр уровней Ландау двойной квантовой ямы в наклонном магнитном поле [Текст] / Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2009. — V. 35. — P. 177 (6 pages)

47) Effect of impurity potential range on a scaling behavior in the quantum Hall regime [Текст] / Yu.G. Arapov, G.I. Harus, I.V. Karskanov, V.N. Neverov _, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin // Physica B. — 2009. — V. 404. — P. 5192 (4 pages)

48) Transport properties of 2D-electron gas in the InGaAs/GaAs DQW in a vicinity of the Hall insulator - quantum Hall liquid transition [Текст] / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, G.I.Harus, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin, S.M.Podgornyh, B.N.Zvonkov // International journal of Nanoscience. — 2007. — V. 6. — P. 173 (5 pages)

49) Spin Effects in the n-InxGa1−xAs/GaAs Double Quantum Well Magnetoresistance Under Tilted Magnetic Fields [Текст] / M. V. Yakunin, Yu. G. Arapov, V. N. Neverov, S. M. Podgornyh, N. G. Shelushinina, G. I. Harus, B. N. Zvonkov, E. A. Uskova // AIP Conference Proceedings. — 2007. — V. 893. — P. 631 (2 pages)

50) Quantum Hall effect in p-Ge/Ge1-xSix heterostructures with low hole mobility [Текст] / Arapov Yu.G., Harus G.I., Karskanov I.V., Neverov V.N., Shelushinina N.G., Yakunin M.V., Kuznetsov O.A., Ponomarenko L., de Visser A. // Физика низких температур. — 2007. — V. 33. — P. 207 (4 pages)

51) Transport Properties of 2D-Electron Gas in a InGaAs/GaAs DQW in a Vicinity of Low Magnetic-Field-Induced Insulator-Quantum Hall Liquid Transition [Текст] / Yu. G. Arapov, M. V. Yakunin, S. V. Gudina, G. I. Harus, V. N. Neverov, N. G. Shelushinina, S. M. Podgornyh, E. A. Uskova, B. N. Zvonkov // AIP Conference Proceedings. — 2007. — V. 893. — P. 647 (2 pages)

52) Contributions of the electron–electron interaction and weak localization to the conductance of p-Ge/Ge1−xSix heterostructures [Текст] / Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, I. V. Karskanov, V. N. Neverov, G. I. Harus, N. G. Shelushinina // Low temperature physics. — 2007. — V. 33. — P. 160 (5 pages)

53) Features of quantum effects in two-dimensional GaAs/n-InGaAs/GaAs structures with double quantum wells [Текст] / Yu. G. Arapov, M. V. Yakunin, S. V. Gudina, I. V. Karskanov, V. N. Neverov, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, S. M. Podgornykh, B. N. Zvonkov, E. A. Uskova // Low temperature physics. — 2007. — V. 33. — P. 156 (4 pages)

54) Quantum magnetotransport in an n-InxGa1−xAs/GaAs double quantum well in tilted magnetic fields [Текст] / M. V. Yakunin, Yu. G. Arapov, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, G. I. Kharus, N. G. Shelushinina, B. N. Zvonkov, E. A. Uskova // Low temperature physics. — 2007. — V. 33. — P. 151 (5 pages)

55) Transport properties of two-dimensional hole gas in a Ge1−xSix/Ge/Ge1−xSix quantum well in a vicinity of metal-insulator transition [Текст] / Yu.G. Arapov, V.N. Neverov, G.I. Harus, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, S.V. Gudina, I.V. Karskanov, O.A. Kuznetsov, A. de Visser, L. Ponomarenko // Semiconductors. — 2007. — V. 41. — P. 1315 (8 pages)

56) Transport properties of two-dimensional hole gas in a Ge1−xSix/Ge/Ge1−xSix quantum well in a vicinity of metal-insulator transition [Текст] / Yu.G. Arapov, V.N. Neverov, G.I. Harus, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, S.V. Gudina, I.V. Karskanov, O.A. Kuznetsov, A. de Visser, L. Ponomarenko // Физика и техника полупроводников. — 2007. — V. 41. — P. 1333 (8 pages)

57) Stereoscopic oscillations of the InxGa1-xAs/GaAs double quantum well magnetoresistance under tilted magnetic fields [Текст] / M.V. Yakunin, Yu.G. Arapov, V.N. Neverov, S.M. Podgornyh, N.G. Shelushinina, G.I. Harus, B.N. Zvonkov, E.A. Uskova // International Journal of Modern Physics B. — 2007. — V. 21. — P. 1399 (5 pages)

58) Quantum Hall effect in p-Ge/Ge1-xSix heterostructures with low hole mobility [Текст] / Yu.G. Arapov, G.I. Harus, I.V.Karskanov, V.N. Neverov, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, O.A.Kuznetsov, L.Ponomarenko, A. de Visser // Low temperature physics. — 2007. — V. 33. — P. 147 (4 pages)

59) Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix [Текст] / Арапов Ю.Г., Гудина С.В., Карсканов И.В., Неверов В.Н., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г. // Физика низких температур. — 2007. — V. 33. — P. 222 (6 pages)

60) Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs с двойными квантовыми ямами [Текст] / Арапов Ю.Г., Якунин М.В., Гудина С.В., Карсканов И.В., Неверов В.Н., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г., Подгорных С.М., Звонков Б.Н., Ускова Е.А. // Физика низких температур. — 2007. — V. 33. — P. 217 (5 pages)

61) Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs в наклонных магнитных полях [Текст] / Якунин М.В., Арапов Ю.Г., Неверов В.Н., Подгорных С.М., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г., Звонков Б.Н., Ускова Е.А. // Физика низких температур. — 2007. — V. 33. — P. 211 (6 pages)

62) Spin effects in magnetoresistance induced in an n-In(x)Ga(1-x)As/GaAs double quantum well by a parallel magnetic field [Текст] / M.V.Yakunin, G.A.Al'shanskii, Yu.G.Arapov, V.N.Neverov, G.I.Kharus, N.G.Shelushinina, B.N.Zvonkov, E.A.Uskova, A.de Visser, L.Ponomarenko // Semiconductors. — 2005. — V. 39. — P. 107 (6 pages)

63) Спиновые эффекты в индуцированном параллельным магнитным полем магнитосопротивлении двойной квантовой ямы n-In(x)Ga(1-x)As/GaAs [Текст] / Якунин М.В., Альшанский Г.А., Арапов Ю.Г., Неверов В.Н., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г., Звонков Б.Н., Ускова Е.А., де Виссер А., Пономаренко Л. // Физика и техника полупроводников. — 2005. — V. 39. — P. 118 (6 pages)

64) Исследование размерно-квантованной валентной зоны Ge в потенциальной яме Ge(1-x)/Ge/Ge(1-x)Si(x) с помощью гальваномагнитных эффектов [Текст] / Якунин М.В., Альшанский Г.А., Арапов Ю.Г., Неверов В.Н., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г., Кузнецов О.А., де Виссер А., Пономаренко Л. // Физика твёрдого тела. — 2005. — V. 47. — P. 50 (4 pages)

65) Galvanomagnetic study of the quantum-well valence band of germanium in the Ge(1-x)Si(x)/Ge/Ge(1-x)Si(x) potential well [Текст] / M.V.Yakunin, G.A.Al'shanskii, Yu.G.Arapov, V.N.Neverov, G.I.Harus, N.G.Shelushinina, O.A.Kuznetsov, A.de Visser, L.Ponomarenko // Physics of the Solid State. — 2005. — V. 47. — P. 49 (5 pages)

66) Multi-valence-subband magnetotransport in a modulation-doped p-type Ge1-xSix/Ge/Ge1-xSix quantum well [Текст] / M. V. Yakunin, G. A. Alshanskii, V. N. Neverov, Yu. G. Arapov, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, O. A. Kuznetsov, A. de Visser, L Ponomarenko. // International Journal of Modern Physics B. — 2004. — V. 18. — P. 3641 ( pages)

67) Magnetotransport probing of the quality of the heterointerfaces and degree Magnetotransport probing of the quality of the heterointerfaces and degree of symmetry of the potential profile of quantum wells in the valence band of the Ge1-xSix/Ge/Ge1-xSix heterosystem [Текст] / 15.M.V.Yakunin, G. A. Alshanskii, Yu.G. Arapov, V. N. Neverov, G.I. Harus, N.G. Shelushinina, O.A. Kuznetsov, A. de Visser, L. Ponomarenko // Low temperature physics. — 2004. — V. 30. — P. 853 (5 pages)

68) Nonmonotonic temperature dependence of the resistivity of p-Ge/Ge1-xSix in the region of the metal-insulator transition [Текст] / 14.Yu.G.Arapov, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, M.V. Yakunin, V.N. Neverov, O.A. Kuznetsov, L. Ponomarenko, A. de Visser // Low temperature physics. — 2004. — V. 30. — P. 867 (4 pages)

69) Magnetotransport probing of quality of the interfaces of quantum wells in the valence band of Ge1-xSix/Ge/Ge1-xSix heterostructures and the symmetry of their potential profile [Текст] / M. V. Yakunin, G. A. Alshanskii, Yu. G. Arapov, V. N. Neverov, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, O. A. Kuznetsov, A. de Visser, L. Ponomarenko // Физика низких температур. — 2004. — V. 30. — P. 1139 (7 pages)

70) Parallel magnetic field induced magnetoresistance peculiarities of the double quantum well filled with electrons or holes [Текст] / M. V. Yakunin, G. A. Alshanskii, Yu. G. Arapov, G. I. Harus, V. N. Neverov, N. G. Shelushinina, O. A. Kuznetsov, B. N. Zvonkov, E. A. Uskova, L. Ponomarenko, A. de Visser // Physica E. — 2004. — V. 22. — P. 68 (4 pages)

71) Nonmonotonic temperature dependence of p-Ge/GeSi heterostructure resistance at insulator-metal transition [Текст] / Yu. G. Arapov, V. N. Neverov, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, O. A. Kuznetsov, L. Ponomarenko, A. De Visser // Физика низких температур. — 2004. — V. 30. — P. 1157 (5 pages)

72) Особенности индуцированного параллельным магнитным полем магнитосопротивления двойной квантовой ямы, содержащей электронный или дырочный газ [Текст] / М. В. Якунин, Г. А. Альшанский, Ю. Г. Арапов, В. Н. Неверов, Н. Г. Шелушинина, Г. И. Харус, О. А. Кузнецов, Е. А. Ускова, А. де Виссер, Л. Пономаренко // Известия Российской Академии наук. Серия физическая. — 2004. — V. 68. — P. 35 (4 pages)

73) Reconstruction of the 2D hole gas spectrum for selectively doped p-Ge/GeSi heterostructures [Текст] / Yu. G. Arapov, G. I. Harus, V. N. Neverov, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, O. A. Kuznetsov // Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 2003. — V. 123. — P. 137 (12 pages)

74) Определение щелей подвижности и плотности локализованных состояний дырок для гетероструктур p-Ge/GeSi в режиме квантового эффекта Холла [Текст] / Ю. Г. Арапов, Г. И. Харус, В. Н. Неверов, Н. Г. Шелушинина, М. В. Якунин, О. А. Кузнецов // Физика и техника полупроводников. — 2002. — V. 36. — P. 550 (8 pages)

75) Магнитосопротивление квантовой ямы pGeSi/Ge/pGeSi в параллельном магнитном поле [Текст] / М. В. Якунин, Г. А. Альшанский, Ю. Г. Арапов, О. А. Кузнецов, В. Н. Неверов // Известия Российской Академии наук. Серия физическая. — 2002. — V. 66. — P. 183 (4 pages)

76) The key role of smooth impurity potential in formation of hole spectrum for p-Ge/GeSi heterostructures in the quantum Hall regime [Текст] / Yu. G. Arapov, G. A. Alshanskii, G. I. Harus, V. N. Neverov, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, O. A. Kuznetsov // Nanotechnology. — 2002. — V. 13. — P. 86 (8 pages)

77) Квантовые гальваномагнитные явления в системе двух взаимосвязанных двумерных слоев дырок в широкой потенциальной яме pGeSix/Ge/pGeSi [Текст] / М. В. Якунин, Г. А. Альшанский, Ю. Г. Арапов, В. Н. Неверов, О. А. Кузнецов // Известия Российской Академии наук. Серия физическая. — 2001. — V. 65. — P. 207 (4 pages)

78) Probing the p-GeSi/Ge/p-GeSi quantum well by means of quantum Hall effect. [Текст] / Yu. G. Arapov, G. I. Harus, V. N. Neverov, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, G. A. Alshanskii, O. A. Kuznetsov // Nanotechnology. — 2000. — V. 11. — P. 351 (8 pages)

Reports

1) С.В.Гудина, Критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs: крупномасштабный примесный потенциал [Текст] / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, К.В.Туруткин, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 14-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», 25.05.2023, 2023 / 978-5-7262-2958-4, Сборник трудов, М.: НИЯУ МИФИ, 2023

2) А.П.Савельев, Исследование механизмов рассеяния в двойных квантовых ямах InGaAs/GaAs в параллельном магнитном поле [Текст] / А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2022), 14-19 февраля, 2022 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

3) С.В.Гудина, Слабая локализация и время фазовой когерентности в структурах InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // 13-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения», 25-26 мая, 2022 / Сб.трудов-Москва:НИЯУ МИФИ

Showmore

4) В.Н.Неверов, Механизмы сбоя фазы для одиночных и двойных гетеропереходов в квантовых фазовых переходах плато-плато КЭХ [Текст] / В.Н.Неверов, С.В.Гудина, Н.Г.Шелушинина, Ю.Г.Арапов, А.С.Боголюбский, А.С.Клепикова, К.В.Туруткин, М.В.Якунин // XV Российская конференция по физике полупроводников, 3-7 октября, 2022 / Тез.докл.-Нижний Новгород:Орг.ком.

5) С.В.Гудина, Эффективный g-фактор в квантовых ямах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.С.Сандаков, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // Международный семинар «Фазовые переходы и неоднородные состояния в оксидах» International Workshop PTISO22, 4-8 июля, 2022 / Тез.докл.-Казань:Орг.ком.

6) С.В.Гудина, Крупномасштабный примесный потенциал в структурах InGaAs/InAlAs: квантовый эффект Холла [Текст] / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 12-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения» \rnull, 19-20 мая, 2021 / Сб.трудов.- М.: НИЯУ МИФИ

7) С.В.Гудина, Квантовый эффект Холла в квантовых ямах InGaAs: активационная проводимость [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, К.В.Туруткин, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // Международная конференция «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах», XIV Межд. семинар молодых ученых «Магнитные фазовые переходы» \rnull, 12-17 сентября, 2021 / Тез.не изд.

8) С.В.Гудина, Электрон-электронное взаимодействие в структурах InGaAs/GaAs [Текст] / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // 2-я Конференция «Физика Конденсированных Состояний», посвященная 90-летию со дня рождения акад. Ю.А. Осипьяна\rnull, 31 мая – 4 июня, 2021 / Тез.докл.-Черноголовка:ИФТТ РАН

9) А.П.Савельев, Крупномасштабный примесный потенциал в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs [Текст] / А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина // XXI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-21)\rnull, 18-25 марта, 2021 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

10) С.В.Гудина, Квантовое время жизни и электрон-электронное взаимодействие в структурах InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // XXV Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 9-12 марта, 2021 / Труды симпозиума-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та

11) С.В.Гудина, Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // 11-я Межд. Научно-практич. конф. по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения» \rnull, 28 октября , 2020 / Сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ

12) С.В.Гудина, Интерференционный вклад от обменного электрон-электронного взаимодействия в проводимость гетероструктур InGaAs/GaAS [Текст] / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // XXIV Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» , 10-13 марта , 2020 / "Труды симпозиума.-Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета"

13) С.В.Гудина, Эффекты обменного взаимодействия в проводимости гетероструктур InGaAs/GaAs [Текст] / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // XXIII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2020)\rnull, 17-22 февраля , 2020 / Тез.докл.-Екатеринбург, Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН

14) С.В.Гудина, Активационная проводимость в режиме квантового эффекта Холла в квантовых ямах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, Е.В.Дерюшкина, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 10-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», 15-16 мая, 2019 / Труды конф.-Москва:НИЯУ МИФИ

15) А.П.Савельев, Сопротивление гетероструктур n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в параллельном плоскости структуры магнитном поле: механизмы рассеяния носителей заряда [Текст] / А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина // XX Юбилейная Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-20), 21-29 ноября, 2019 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

16) С.В.Гудина, Вклад от обменного электрон-электронного взаимодействия в проводимость структур InGaAs/GaAs с одиночными и двойными квантовыми ямами [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября, 2019 / Тез. докл.-М. Издательство Перо

17) Ю.Г.Арапов, Эффекты электрон-электронного взаимодействия в температурной зависимости проводимости одиночной и двойных квантовых ям InGaAs [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIX Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-19), 15-22 ноября, 2018 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

18) Ю.Г.Арапов, Аномалии квантового эффекта Холла при перекрытии уровней Ландау в структурах n-In0,90Ga0,10As/In0,81Al0,48As с сильным спин-орбитальным взаимодействием [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), 17-22 сентября, 2018 / Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования

19) Е.В.Ильченко, Влияние спин-орбитального взаимодействия на критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAiAs [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), 17-22 сентября, 2018 / Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования

20) С.В.Гудина, Роль спин-орбитального взаимодействия в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 12-15 марта, 2018 / Труды конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского госун-та

21) Ю.Г.Арапов, Квантовый эффект Холла в условиях смешивания уровней Ландау из-за спин-орбитального взаимодействия в нано-структурах n-In0.9Ga0.1As/In0.81Al0.19As [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), 19-24 февраля, 2018 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

22) Е.В.Ильченко, Квантовый эффект Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs: роль спин-орбитального взаимодействия [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), 19-24 февраля, 2018 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

23) Е.В.Ильченко, Ширина полосы делокализованных состояний в режиме квантового эффекта Холла в структурах n-InGaAs/AlInAs со спин-вырожденными уровнями Ландау [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XVIII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-18), 16-23 ноября, 2017 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

24) М.Р.Попов, Прыжковая проводимость в области плато квантового эффекта Холла для гетероструктуры HgTe/HgCdTe [Текст] / М.Р.Попов, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», 2-6 октября, 2017 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

25) Е.В.Ильченко, Эффекты локализации в квантующих магнитных полях в квантовых ямах HgTe [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», 2-6 октября, 2017 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

26) Ю.Г.Арапов, Квантовые фазовые переходы в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs со спин-вырожденными уровнями Ландау [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», 2-6 октября, 2017 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

27) С.В.Гудина, Переходы плато-плато квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», 2-6 октября, 2017 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

28) С.В.Гудина, Расходимость длины локализации в режиме квантового эффекта Холла в широких квантовых ямах HgTe [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», 2-6 октября, 2017 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

29) С.В.Гудина, Квантовые фазовые переходы в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs со спин-вырожденными уровнями Ландау [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», 24 мая, 2017 / Сб.трудов-Москва:НИЯУ МИФИ

30) Ю.Г.Арапов, Эффекты локализации и делокализации в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе HgTe с широкой квантовой ямой [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.Р.Попов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // НАУЧНАЯ СЕССИЯ Института физики металлов УрО РАН по итогам 2016 года, 27-30 марта, 2017 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

31) А.П. Савельев, Магнитотранспорт в 2D структурах In-GaAs/GaAs в области перехода изолятор – квантовохолловская жидкость [Текст] / А.П. Савельев, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), 15-20 февраля, 2016 / Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН

32) С.В. Гудина, Эффекты квантового туннелирования и классического протекания в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе HgTe с широкой квантовой ямой [Текст] / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.Р. Попов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // XV Конференция – школа молодых ученых «Проблемы физики твердого тела и высоких давлений», 16-25 сентября, 2016 / Тез.докл.-Москва:ФИАН

33) А.С. Клепикова, Условия экспериментального наблюдения скейлинговых закономерностей в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и двойной квантовой ямой [Текст] / А.С. Клепикова, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, Ю.Г. Арапов, М.В. Якунин, С.В. Гудина, Б.Н. Звонков // XVII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-17), 15-22 ноября, 2016 / Тез.докл-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

34) С.В. Гудина, Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в метаморфных наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs [Текст] / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, А.П. Савельев, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.М. Подгорных, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко // 7-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», 25 мая, 2016 / Сб.трудов-Москва:НИЯУ МИФИ

35) S.V. Gudina, Scaling behavior and variable-range hopping conductivity in the quantum Hall plateau transition in a n-InGaAs/InAlAs heterostructures [Текст] / S.V. Gudina, Yu.G. Arapov, A.P. Savelev, V.N. Neverov, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, I.S. Vasilevskii, A.N. Vinichenko // 24th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», 27 июня – 1 июля, 2016 / Тр.конф.-St. Petersburg:St Petersburg Academic Univ.

36) S.V. Gudina, Quantum Hall effect and variable-range hopping conductivity in n-InGaAs/InAlAs heterostructures [Текст] / S.V. Gudina, Yu.G. Arapov, A.P. Savelev, V.N. Neverov, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, I.S. Vasilevskii, A.N. Vinichenko // VI Euro-Asian Symp. «Trends in Magnetism» (EASTMAG-2016), 15-19 августа, 2016 / Тез.докл.-Красноярск:ИФ СО РАН

37) А.С. Клепикова, Переходы плато-плато квантового эффекта Холла в полупроводниковых гетероструктурах на основе арсенида галлия [Текст] / А.С. Клепикова, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, А.П. Савельев, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Научная сессия Института физики металлов УрО РАН по итогам 2015 года, 28 марта – 1 апреля, 2016 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

38) С.В. Гудина, Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs [Текст] / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, А.П. Савельев, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко // XX Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 14-18 марта, 2016 / Матер. Конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та

39) М.Р. Попов, Прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах HgTe/CdHgTe [Текст] / М.Р. Попов, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Н.Г. Шелушинина, Г.И. Харус, М.В. Якунин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), 15-20 февраля, 2016 / Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН

40) С.В. Гудина, Квантовый эффект Холла в гетероструктуре HgCdTe/HgTe с инвертированным зонным спектром: от квантового тунне-лирования к классическому протеканию [Текст] / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.Р. Попов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), 15-20 февраля, 2016 / Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН

41) С.В. Гудина, Универсальность критических индексов в квантовом эффекте Холла в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs [Текст] / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, А.П. Савельев, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), 15-20 февраля, 2016 / Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН

42) А.С. Клепикова, Температурная зависимость пиковых значений проводимости в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и двой-ной квантовыми ямами [Текст] / А.С. Клепикова, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.В. Гудина, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), 15-20 февраля, 2016 / Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН

43) Ю.Г. Арапов, Переход изолятор – квантово-холловская жидкость в слабых магнитных полях в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, А.П. Савельев, М.В. Якунин // 11-я летняя межрегиональная школа физиков (ЛМШФ-11), 14 июля – 9 августа, 2015 / Тез.не изд.

44) М.Р. Попов, Эффекты локализации-делокализации в двумерных гетероструктурах на основе HgTe в режиме квантового эффекта Холла [Текст] / М.Р. Попов, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // XVI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-16), 12-19 ноября, 2015 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

45) А.П. Савельев, Особенности квантового магнитотранспорта в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs в области перехода изолятор – квантово-холловская жидкость [Текст] / А.П. Савельев, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // XVI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-16), 12-19 ноября, 2015 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

46) А.С. Клепикова, Температурная зависимость пиковых значений проводимости в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с двойной квантовой ямой после освещения инфракрасным светом [Текст] / А.С. Клепикова, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, М.В. Якунин // XVI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-16), 12-19 ноября, 2015 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

47) Ю.Г.Арапов, Температурный скейлинг в квантовом эффекте Холла в квантовой яме HgTe с инвертированным энергетическим спектром [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.Р.Попов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XII российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2015), 21-25 сентября, 2015 / Тез.докл.-Ершово:Физ.ин-т им.П.Н.Лебедева РАН

48) Ю.Г.Арапов, Эффекты 2D-локализации в режиме квантового эффекта Холла в широких квантовых ямах HgTe [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.Р.Попов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // XII российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2015), 21-25 сентября, 2015 / Тез.докл.-Ершово:Физ.ин-т им.П.Н.Лебедева РАН

49) А.С.Клепикова, Скейлинг в наноструктуре InGaAs/GaAs с двойной квантовой ямой в режиме квантового эффекта Холла [Текст] / А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Ю.Г.Арапов, М.В.Якунин, С.В.Гудина // XII российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2015), 21-25 сентября, 2015 / Тез.докл.-Ершово:Физ.ин-т им.П.Н.Лебедева РАН

50) Yu.G.Arapov, 2D-Localization and Delocalization Effects in Quantum Hall Effect Regime in HgTe Wide Quantum Wells [Текст] / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, V.N.Neverov, S.M.Podgornykh, M.R.Popov, N.G.Shelushinina, G.I.Harus, M.V.Yakunin, S.A.Dvoretsky, N.N.Mikhailov // 17 International Conference on II-VI Compounds and Related Materials или 17 International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI-2015), 13-18 сентября, 2015 / Тез.докл.-Paris,France:Org.com

51) Ю.Г. Арапов, Прыжковая проводимость в области плато квантового эффекта Холла в квантовых ямах HgTe [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.Р. Попов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, C.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // Международная конференция «XXXVII Совещание по физике низких температур« (НТ-37), 29 июня-3 июля, 2015 / Тез.докл.-Казань:Казанский ун-т.

52) А.С.Клепикова, Скейлинг в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой после подсветки инфракрасным светом [Текст] / А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, М.В.Якунин // Международная конференция «XXXVII Совещание по физике низких температур« (НТ-37), 29 июня-3 июля, 2015 / Тез.докл.-Казань:Казанский ун-т.

53) Ю.Г.Арапов, Токовый скейлинг и универсальность критических индексов в квантовом эффекте Холла в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.П.Савельев, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Винниченко // XIX Международный сипозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 10-14 марта, 2015 / Труды.- Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та

54) Ю.Г.Арапов, Квантовый эффект Холла в гетероструктурах на основе теллурида ртути с инвертированным энергетическим спектром [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.Р.Попов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIX Международный сипозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 10-14 марта, 2015 / Труды.- Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та

55) Yu.G.Arapov, Quantum Phase Transitions in the Quantum Hall Regime for a Double Quantum Well Nanostructure [Текст] / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, A.S.Klepikova, V.N.Neverov, G.I.Harus, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin // 32-nd International Conference on the Physics of Semiconductors, 10-15 августа, 2014 / Прогр.конф..-Austin,Texas,USA:org.com.

56) М.Р.Попов, Квантовый эффект Холла в гетероструктурах на основе теллурида ртути [Текст] / М.Р.Попов, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-15), 13-20 ноября, 2014 / Тез.докл.-Екатеринбург:

57) Yu.G.Arapov, Scaling in Quantum Hall Plateau-Plateau Transition for a Double Quantum well Nanostricture [Текст] / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, A.S.Klepikova, V.N.Neverov, G.I.Harus, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin // XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS 2014), 17-22 февраля, 2014 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

58) Ю.Г.Арапов, Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs до и после инфракрасного освещения [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, А.П.Савельев, М.В.Якунин // XV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-15), 13-20 ноября, 2014 / Тез.докл.-Екатеринбург:

59) А.С.Клепикова, Скейлинг в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой [Текст] / А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, М.В.Якунин // XV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-15), 13-20 ноября, 2014 / Тез.докл.-Екатеринбург:

60) Yu.G.Arapov, Electron-electron interaction and universality of quantum Hall effect plateau-plateau transitions [Текст] / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, A.S.Klepikova, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina, G.I.Harus, M.V.Yakunin // 22 International Symposium «Nanostructures:Physics and Technology», 23-27 июня, 2014 / Тр.конф.-St.Peterburg:Academic Univ.Publ.

61) Ю.Г.Арапов, Скейлинг в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в квазидвумерных наноструктурах n-InGaAS/GaAS с двойными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, М.В.Якунин // Научная сессия Института физики металлов УрО РАН, 31 марта-4 апреля, 2014 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

62) Ю.Г.Арапов, Скейлинг и универсальность критических индексов в квантовом эффекте Холла и наноструктурах n-InGaAs/GaAS с двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XVIII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 10-14 марта, 2014 / Труды симпозиума.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского гос.ун-та

63) А.С.Клепикова, Температурная зависимость ширины перехода плато-плато квантового эффекта Холла в ультраквантовой области магнитных полей [Текст] / А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Д.С.Петухов, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Г.И.Харус // XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS 2014), 17-22 февраля, 2014 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

64) Ю.Г.Арапов, Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.Г.Новокшонов, С.М.Подгорных, А.П.Савельев, М.В.Якунин // XI Российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2013), 16-20 сентября, 2013 / Тез.докл.-С.-Петербург:ФТИ

65) Ю.Г.Арапов, Электрон-электронное рассеяние в квазидвумерных структурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно связанными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // XVII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 11-15 марта, 2013 / Тр.симп.-Н.Новгород:Ин-т физики микроструктур

66) Yu.G.Arapov, Scaling in the quantum Hall regime for a double quantum well nanostructure in high magnetic field [Текст] / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, A.S.Klepikova, V.N.Neverov, S.G.Novokshonov, T.B.Charikova, G.I.Harus, M.v.Yakunin, N.G.Shelushinina // V Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism:Nanomagnetism»(EASTMAG-2013), 15-21 сентября, 2013 / Тез.докл.-Владивосток:

67) А.С.Клепикова, Скейлинг в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в гетероструктурах с двойной квантовой ямой [Текст] / А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-14), 20-26 ноября, 2013 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

68) Ю.Г.Арапов, Скейдлинг в режиме квантового эффекта Холла в структурах с двойной квантовой ямой [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, С.Г.Новокшонов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XI Российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2013), 16-20 сентября, 2013 / Тез.докл.-С.-Петербург:ФТИ

69) Ю.Г.Арапов, Аномальная зависимость эффекта Холла в структурах с двойной квантовой ямой в параллельных магнитных полях [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XI Российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2013), 16-20 сентября, 2013 / Тез.докл.-С.-Петербург:ФТИ

70) Ю.Г.Арапов, Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAS/GaAS с двумя сильносвязанными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.В.Якунин // XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, 20-25 февраля, 2012 / Сб.тез.:Екатеринбург-Новоуральск:УрО РАН

71) Ю.Г.Арапов, Неупругое электрон-электронное рассеяние в структурах n-InGaAs/GaAS с двойными сильно-сязанными квантами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.В.Якунин // XXXVI Международная конференция «Совещание по физике низких температур», 2-6 июля, 2012 / Тез.докл./С.-Петербург:ФТИ им.А.Ф.Иоффе

72) Ю.Г.Арапов, Температурная зависимость квантового времени жизнив структурах n-InGaAS/GaAS с двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных , М.В.Якунин // XIII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-13), 7-14 ноября, 2012 / Тез.докл./Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

73) Ю.Г.Арапов, Аномальное поведение коэффициента Холла в гетероструктурах p-Ge/Ge1-xSix в слабых магнитных полях [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова, О.А.Кузнецов, А.Т.Лончаков, В.Н.Неверов // XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, 20-25 февраля, 2012 / Сб.тез.:Екатеринбург-Новоуральск:УрО РАН

74) Ю.Г.Арапов, Электрон-электронное рассеяние в структурах n-InGaAs/GaAS с двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.В.Якунин // XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, 20-25 февраля, 2012 / Сб.тез.:Екатеринбург-Новоуральск:УрО РАН

75) Ю.Г.Арапов, Проводимость по подзонам симметричных и антисимметричных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильносвязанными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, М.В.Якунин, С.М.Подгорных, Б.Н.Звонков // X Российская конференция по физике полупроводников, 19-23 сентября, 2011 / Тез.докл.:Н.Новгород:Нижегородский гос.ун-т

76) Ю.Г.Арапов, Особенности проводимости в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильносвязанными квантовыми ямами, освещённых ИК-излучением [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, М.В.Якунин, С.М.Подгорных, Б.Н.Звонков // XII Всероссийская молодёжная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-12), 14-20 ноября, 2011 / Тез.докл.:Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

77) Ю.Г.Арапов, Магнитотранспорт в гетероструктурах p-Ge/GeSi вблизи перехода металл-диэлектрик [Текст] / Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина // XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, 15-20 февраля, 2010 / Тез.докл. Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

78) Ю.Г.Арапов, Графен: квантовые эффекты при температурах вплоть до комнатных [Текст] / Ю.Г.Арапов // XI Всероссийская молодёжная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния (СПФКС-XI), 15-21 ноября, 2010 / Тез.докл.Екатеринбург:УрО РАН

79) М.В.Якунин, Обнаружение гигантского спинового расщепления магнитных уровней и его анизотропии в немагнитном двумерном слое с помощью анализа угловой зависимости квантового эффекта Холла [Текст] / М.В.Якунин, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, С.М.Подгорных, Дж.Галисту, А.де Виссер, Ю.Г.Садофьев, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // Научная сессия ИФМ УрО РАН по итогам 2009 г., 22-26 марта, 2010 / Сб.тез.Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

80) Ю.Г.Арапов, Новые закономерности гальваномагнитных явлений в электронных наноструктурах с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла [Текст] / Ю.Г.Арапов, И.В.Карсканов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, М.В.Якунин, С.М.Подгорных // Научная сессия ИФМ УрО РАН по итогам 2009 г., 22-26 марта, 2010 / Сб.тез.Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

81) Ю.Г.Арапов, Зависимость щели в спектре двойной квантовой ямы InGaAs/GaAs от параметров инфракрасной подсветки [Текст] / Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, М.В.Якунин // XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, 15-20 февраля, 2010 / Тез.докл. Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

82) Ю.Г.Арапов, Переход металл-диэлектрик в квазидвумерном электронном газе в n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, М.В.Якунин // XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, 15-20 февраля, 2010 / Тез.докл. Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

83) Ю.Г.Арапов, Квантовый спиновый эффект Холла в нулевом магнитном поле [Текст] / Ю.Г.Арапов // Х (Юбилейная) Молодёжная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-10), 9-15 ноября, 2009 / Тез.докл.:Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

84) Ю.Г.Арапов, Преход металл-диэлектрик в подзоне антисимметричных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, И.В.Карсканов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.М.Подгорных // XXXV Совещание по физике низких температур (НТ-35), 29 сентября-2 октября, 2009 / Тез. докл.: М.:Граница

85) N.G.Shelushinina, Effect of impurity potential range on a scaling behavior in the quantum Holl regime [Текст] / N.G.Shelushinina, Yu.G.Arapov, G.I.Harus, I.V.Karskanov, V.N.Neverov, M.V.Yakunin // 25-th International conference on defects in semiconductors (ICDS-25), 20-24 июля, 2009 / Тез.докл: St.Peterburg: Ioffe in-t

86) Ю.Г.Арапов, Определение туннельной щели в двойных квантовых ямах n-InGaAs/GaAs [Текст] / Ю.Г.Арапов, М.В.Якунин, И.В.Карсканов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, С.М.Подгорных // XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, 18-23 февраля, 2008 / Тез.докл.Изд-во ИФМ УрО РАН

87) Ю.Г.Арапов, Перход металл-диэлектрик в неупорядоченных двумерных электронных структурах. Возможен или нет двумерный металл? [Текст] / Ю.Г.Арапов // IX Молодежная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-9), 17-23 ноября, 2008 / Тез.докл.: Екатеринбург: ИФМ УрОРАН

88) Yu.G.Arapov, Quantum Hall plateua-plateua transition in p-Ge/Ge1-xSix and n-InxGa1-xAs/GaAS heterostructures [Текст] / Yu.G.Arapov, G.I.Harus, I.V.Karskanov, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin // XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, 18-23 февраля, 2008 / Тез.докл.Изд-во ИФМ УрО РАН

89) Ю.Г.Арапов, Эффекты локализации и электрон-электронного взаимодействия в гетероструктурах Ge/Ge1-xSix p-типа [Текст] / Ю.Г.Арапов, Г.И.Харус, В.Н.Неверов, И.В.Карсканов, Н.Г.Шелушинина // XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, 18-23 февраля, 2008 / Тез.докл.Изд-во ИФМ УрО РАН

90) Ю.Г.Арапов, Роль квазидвумерности в режиме квантового эффекта Холла в наклонном магнитном поле [Текст] / Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, 18-23 февраля, 2008 / Тез.докл.Изд-во ИФМ УрО РАН

91) Ю.Г.Арапов, Спектр уровней Ландау в наклонном магнитном поле [Текст] / Ю.Г.Арапов, Г.И.Харус, В.Н.Неверов, И.В.Карсканов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, 18-23 февраля, 2008 / Тез.докл.Изд-во ИФМ УрО РАН

92) Ю.Г.Арапов, Физика и формирование электрических и магнитных свойств полупровдниковых наноструктур [Текст] / Ю.Г.Арапов // XI Международная конференция «Дислокационная структура и механические свойства металлов и сплавов» - ДСМСМС-2008, 10-14 апреля, 2008 / Тез.докл.: УрО РАН

93) Ю.Г.Арапов, Определение туннельной щели в двойных квантовых ямах n-InGaAs/GaAs [Текст] / Ю.Г.Арапов, М.В.Якунин, И.В.Карсканов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, С.М.Подгорных // VIII Российская конференция по физике полупроводников Полупроводники-2007, 30 сентября-5 октября 2007, 2007 /

94) Yu.G.Arapov, Quantum Hall plateau-plateau transition in p-Ge/Ge1-xSix and n-In1-xGaxAs/GaAs heterostructures [Текст] / Yu.G.Arapov, G.I.Harus, I.V.Karskanov, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin // 15th International Simposium Nanostructures: Physics and technology, 25-29 июня 2007, 2007 /

95) Yu.G.Arapov, Direct observation of the transition from the diffusive to the ballistic regime in a p-Ge/Ge1-xSix and n-In1-xGaxAs/GaAs quantum wells [Текст] / Yu.G.Arapov, G.I.Harus, I.V.Karskanov, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin // 15th International Simposium Nanostructures: Physics and technology, 25-29 июня 2007, 2007 /

96) Ю.Г.Арапов, Спектр уровней Ландау в двойной квантовой яме в наклонном магнитном поле [Текст] / Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // VIII Российская конференция по физике полупроводников Полупроводники-2007, 30 сентября-5 октября 2007, 2007 /

97) M.V. Yakunin, Spin effect in the InxGa1-xAs/GaAs double quantum well magnetoresistance under tilted magnetic fields [Текст] / M.V. Yakunin, Yu.G. Arapov, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, N.G. Shelushinina, G.I. Harus, B.N. Zvonkov, E.A. Uskova // 28th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-28), 7.2006, 2006 /

98) Ю.Г.Арапов, Переход плато-плато в режиме квантового эфекта Холла в гетероструктурах p-Ge/Ge1-хSix [Текст] / Ю.Г.Арапов, М.А. Гинс, И.В.Карсканов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // 7-й Молодежный семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества, 11.2006, 2006 /

99) Ю.Г. Арапов, Немонотонная температурная зависимость константы Холла для 2D электронного газа в структурах n-InxGa1-xAs/GaAs в области перехода от диффузионного к баллистическому режиму [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.И. Гудина, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.М. Подгорных, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // XVI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, UIWSPS-2006, 2.2006, 2006 /

100) М.В. Якунин, Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs в присутствии параллельной компоненты магнитного поля [Текст] / М.В. Якунин, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Н.Г. Шелушинина, Г.И. Харус, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // XVI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, UIWSPS-2006, 2.2006, 2006 /

101) Ю.Г. Арапов, Квантовые поправки к магнитосопротивлению гетероструктур p-Ge/Ge1-хSiх [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина // XVI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, UIWSPS-2006, 2.2006, 2006 /

102) Ю.Г. Арапов, Особенности перехода от слабой локализации к режиму квантового эффекта Холла в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.М. Подгорных, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // X Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 3.2006, 2006 /

103) Ю.Г. Арапов, Переход плато-плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах p-Ge/Ge1-xSix [Текст] / Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // 34-е совещание по физике низких температур (НТ-34), 9.2006, 2006 /

104) Ю.Г. Арапов, Влияние заселенности подзоны антисимметричных состояний в двойной квантовой яме на квантовые поправки к продольной и холловской проводимости GaAs/n-InGaAs/GaAs наноструктур [Текст] / Ю.Г. Арапов, М.В. Якунин, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, С.М. Подгорных, Б.Н. Звонков // 34-е совещание по физике низких температур (НТ-34), 9.2006, 2006 /

105) М.В. Якунин, Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs в наклонных магнитных полях [Текст] / М.В. Якунин, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Н.Г. Шелушинина, Г.И. Харус, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // 34-е совещание по физике низких температур (НТ-34), 9.2006, 2006 /

106) M.V. Yakunin, Spin effect in stereoscopic pictures of the n-InxGa1-xAs/GaAs double quantum well magnetoresistance dependencies on the perpendicular and parallel field components [Текст] / M.V. Yakunin, Yu.G. Arapov, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, N.G. Shelushinina, G.I. Harus, B.N. Zvonkov, E.A. Uskova // X Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 3.2006, 2006 /

107) M.V. Yakunin, Spin effect in stereoscopic pictures of the n-InxGa1-xAs/GaAs double quantum well magnetoresistance dependencies on the perpendicular and parallel field components [Текст] / M.V. Yakunin, Yu.G. Arapov, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, N.G. Shelushinina, G.I. Harus, B.N. Zvonkov, E.A. Uskova // 14th International Symposium “Nanostructures: Physics and technology”, 6.2006, 2006 /

108) M.V. Yakunin, Stereoscopic oscillations of the InxGa1-xAs/GaAs double quantum well magnetoresistance under tilted magnetic fields [Текст] / M.V. Yakunin, Yu.G. Arapov, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, N.G. Shelushinina, G.I. Harus, B.N. Zvonkov, E.A. Uskova // 17th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics (HMF-17), 7.2006, 2006 /

109) Yu.G. Arapov, Transport properties of 2D-electron gas in InGaAs/GaAs DQW in a vicinity of low-magnetic-field-induced Hall insulator-quantum Hall liquid transition [Текст] / Yu.G. Arapov, M.V. Yakunin, S.V. Gudina, G.I. Harus, V.N. Neverov, N.G. Shelushinina, S.M. Podgornykh, B.N. Zvonkov, E.A. Uskova // 28th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-28), 7.2006, 2006 /

110) Yu.G.Arapov, Transport properties of 2D-electron gas in InGaAs/GaAs DQW in a vicinity of the Hall insulator-quantum Hall liquid transition [Текст] / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, G.I..Harus, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin, S.M.Podgornykh, E.A..Uskova, B.N.Zvonkov // 13th International Symposium ??Nanostructures: Physics and Technology??, June, 2005, 2005 /

111) И.В.Карсканов, Разделение вкладов электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge1-хSix [Текст] / И.В.Карсканов, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // VI Молодежный семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества, 28 .11 - 4.12, 2005, 2005 /

112) М.А. Гигс, Квантовый эффект Холла в гетероструктурах p-Ge/Ge1-xSix с низкой подвижностью дырок [Текст] / М.А. Гигс, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // VI Молодежный семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества, 28 .11 - 4.12, 2005, 2005 /

113) Ю.Г. Арапов, Транспортные свойства 2D-электронного газа в InGaAs/GaAs DQW в окрестности перехода ??холловский изолятор??-??квантовая жидкость?? [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, Г.И. Харус, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.М. Подгорных, Е.А. Ускова, Б.Н. Звонков // 13-й Международный симпозиум ??Наноструктуры: физика и технология??, , 2005 /

114) Ю.Г.Арапов, Квантовые поправки к продольной и Холловской проводимости 2D-электронного газа в двойных квантовых ямах GaAs/n-InGaAs/GaAs в области перехода от диффузионного к баллистическому режиму [Текст] / Ю.Г.Арапов, C.B.Гудина, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.М.Подгорных, Б.Н.Звонков, Е.А.Ускова // IX-й симпозиум ??Нанофизика и наноэлектроника??, март, 2005, 2005 /

115) М.В.Якунин, Осциллирующие зависимости магнитосопротивления от параллельной компоненты магнитного поля в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs [Текст] / М.В.Якунин, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М. Подгорных, Б.Н.Звонков, Е.А.Ускова // IX-й симпозиум ??Нанофизика и наноэлектроника??, март, 2005, 2005 /

116) М.В.Якунин, Осциллирующие зависимости магнитосопротивления от параллельной компоненты магнитного поля в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs [Текст] / М.В.Якунин, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М. Подгорных, Б.Н.Звонков, Е.А.Ускова // 7-я Российская конференция по физике полупроводников, 18-23 .09, 2005, 2005 /

117) Ю.Г.Арапов, Квантовые поправки к продольной и холловской проводимости 2D-электронного газа в двойных квантовых ямах GaAs/n-In xGa1-xAs в области перехода от диффузионного к баллистическому режиму [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.М.Подгорных, Б.Н.Звонков, Е.А.Ускова // Симпозиум ??Нанофизика и наноэлектроника??, 25 - 29 .03, 2005, 2005 /

118) М.В.Якунин, Осциллирующие зависимости магнитосопротивления от параллельной компоненты магнитного поля в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs [Текст] / М.В.Якунин, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Б.Н.Звонков, Е.А.Ускова // Симпозиум ??Нанофизика и наноэлектроника??, 25 - 29 .03, 2005, 2005 /

119) Ю.Г.Арапов, Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гтероструктур p-Ge/GeSi [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В. Гудина, В.Н.Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина // 7-я Российская конференция по физике полупроводников, 18-23 .09, 2005, 2005 /

120) М.В.Якунин, Осциллирующие зависимости магнитосопротивления от параллельной компоненты магнитного поля в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs [Текст] / М.В.Якунин, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Б.Н.Звонков, Е А.Ускова // 7-я Российская конференция по физике полупроводников, 18-23 .09, 2005, 2005 /

121) Д.В.Перов, сверхдлиннопериодных сейсмических осцилляций [Текст] / Д.В.Перов, A.Б.Ринкевич, О.А.Кусонский // XVI сессии Российского акустического общества, , 2005 /

Address:	620108, Ekaterinburg,
	st. S. Kovalevskaya, 18
Email:	physics@imp.uran.ru
Phone:	(343) 374-02-30
Fax:	(343) 374-52-44
How to find us

You are here