Arapov Yuriy Grigor'yevich

PhD (Physics and Mathematics)

Senior researcher (Laboratory of Semiconductors and Semimetals )


Contact information:
Phone.: 378-35-77
Email: arapov@imp.uran.ru

Scientometric data (as of 15.03.2018):
Web of Science: h-index - 9; Sum of the Times Cited - 220
SCIENCE INDEX: h-index - 9; Sum of the Times Cited - 364
Personal pages of the author in the systems: Researcher ID, ORCID, SCIENCE INDEX





Papers

1) К вопросу об универсальности критических индексов в режиме квантового эффекта Холла [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, Е.В. Дерюшкина, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2019. — V. 45. — P. 210 (9 pages)

2) Effect of exchange electron-electron interaction on conductivity of InGaAs single and double quantum wells [Текст] / Gudina S.V., Arapov Y.G., Neverov V.N., Savelyev A.P., Podgornykh S.M., Shelushinina N.G., Yakunin M.V. // Physica E. — 2019. — V. 113. — P. 14 (7 pages)

3) HgTe quantum wells with inverted band structure: Quantum Hall effect and the large-scale impurity potential [Текст] / S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, M. R. Popov, E. V. Deriushkina, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky // Low temperature physics. — 2019. — V. 45. — P. 412 (7 pages)


Reports

1) С.В.Гудина, Активационная проводимость в режиме квантового эффекта Холла в квантовых ямах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, Е.В.Дерюшкина, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 10-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», 15-16 мая, 2019 / Труды конф.-Москва:НИЯУ МИФИ

2) А.П.Савельев, Сопротивление гетероструктур n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в параллельном плоскости структуры магнитном поле: механизмы рассеяния носителей заряда [Текст] / А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина // XX Юбилейная Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-20), 21-29 ноября, 2019 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

3) С.В.Гудина, Вклад от обменного электрон-электронного взаимодействия в проводимость структур InGaAs/GaAs с одиночными и двойными квантовыми ямами [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября, 2019 / Тез. докл.-М. Издательство Перо