Gudina Svetlana Viktorovna

PhD (Physics and Mathematics)

Senior researcher (Laboratory of Semiconductors and Semimetals )


Contact information:
Phone.: 378-37-88
Email: svpopova@imp.uran.ru

Scientometric data (as of 15.03.2018):
Web of Science: h-index - 7; Sum of the Times Cited - 178
SCIENCE INDEX: h-index - 7; Sum of the Times Cited - 212
Personal pages of the author in the systems: Researcher ID, ORCID, SCIENCE INDEX





Papers

1) On the issue of universality of critical exponents in the quantum Hall effect mode [Текст] / Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, E. V. Deryushkina, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin // Low temperature physics. — 2019. — V. 45. — P. 181 (8 pages)

2) К вопросу об универсальности критических индексов в режиме квантового эффекта Холла [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, Е.В. Дерюшкина, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2019. — V. 45. — P. 210 (9 pages)

3) Effect of exchange electron-electron interaction on conductivity of InGaAs single and double quantum wells [Текст] / Gudina S.V., Arapov Y.G., Neverov V.N., Savelyev A.P., Podgornykh S.M., Shelushinina N.G., Yakunin M.V. // Physica E. — 2019. — V. 113. — P. 14 (7 pages)


Reports

1) А.С.Боголюбский, Эффективные массы дырок в квантовой яме HgTe с инвертированным зонным спектром в модели петли экстремумов [Текст] / А.С.Боголюбский, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, С.В.Гудина, М.В.Якунин // XIX Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-19) , 15-22 ноября, 2018 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

2) Е.В.Ильченко, Влияние спин-орбитального взаимодействия на критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAiAs [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), 17-22 сентября, 2018 / Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования

3) С.В.Гудина, Роль спин-орбитального взаимодействия в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 12-15 марта, 2018 / Труды конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского госун-та