Lugovykh Andrey Mikhaylovich

Junior researcher (Laboratory of Semiconductors and Semimetals )


Contact information:

Email: lugovykh@imp.uran.ru

Scientometric data (as of 15.03.2018):
Web of Science: h-index - 1; Sum of the Times Cited - 2
SCIENCE INDEX: h-index - 1; Sum of the Times Cited - 1
Personal pages of the author in the systems: Researcher ID, ORCID, SCIENCE INDEX




Papers

1) Проявление эффектов магнитного упорядочения в проводимости и намагниченности полупроводниковых гетероструктур на основе GaAs при изменении концентрации дельта-слоя примесей марганца [Текст] / К.Д.Моисеев, Ю.А.Кудрявцев, Т.Б.Чарикова, А.М.Луговых, Т.Е.Говоркова, В.И.Окулов // Физика твёрдого тела. — 2018. — V. 60. — P. 2325 (5 pages)

2) Effects of Magnetic Ordering in Conductivity and Magnetization of GaAs-Based Semiconductor Heterostructures upon Changing the Concentration of the Delta-Layer of Manganese Admixture [Текст] / K.D.Moiseev, Yu.A.Kudryavtsev, T.B.Charikova, A.M.Lugovykh, T.E.Govorkova, V.I.Okulov // Physics of the Solid State. — 2018. — V. 60. — P. 2363 (6 pages)

3) Особенности переноса заряда и ферромагнитный порядок в полупроводниковых гетероструктурах с delta-легированием марганцем [Текст] / А.М.Луговых, Т.Б.Чарикова, В.И.Окулов, К.Д.Моисеев, Ю.А.Кудрявцев // Физика твёрдого тела. — 2016. — V. 58. — P. 2160 (4 pages)


Reports

1) A.Lugovikh, Features of magnetic ordering in gallium arsenide with a delta layer of manganese of various concentrations [Текст] / A.Lugovikh, T.Govorkova, T.Charikova, V.Okulov, K.Moiseev, Yu.Kudriavtsev // International Symposium Spin Waves 2018, 3-8 июня, 2018 / Тез.докл-St. Petersburg:Ioffe Institute

2) А.М.Луговых, Магнитное упорядочение в гетероструктурах на основе арсенида галлия с дельта-слоем марганца различной концентрации [Текст] / А.М.Луговых, Т.Е.Говоркова, Т.Б.Чарикова, В.И.Окулов, К.Д.Моисеев, Ю.А.Кудрявцев // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018) , 19-24 февраля, 2018 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН

3) А.М.Луговых, Гальваномагнитные свойства гетероструктур на основе GaAs c дельта-слоем марганца различной концентрации [Текст] / А.М.Луговых, Т.Б.Чарикова, В.И.Окулов, К.Д.Моисеев // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017» , 2-6 октября, 2017 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН