ПЕРЕЧЕНЬ
оборудования  «Физико-технологический инфраструктурный комплекс»
ИФМ УрО РАН (ФТИК ИФМ УрО РАН)
 
1. Перечень оборудования, входящего в ЦКП «ИЦ НПМ», УНУ «НМК ИФМ», ЦТ НММ, суперкомпьютерный  центр СКЦ, и оборудования, требующегося для выполнения проектов
 
п/п

Наименование, тип, наименование производителя, год выпуска

Основные характеристики
оборудования

Примечание

 
ЦКП «Испытательный центр нанотехнологий и перспективных материалов» (ИЦ НПМ)
 
 
Электронная микроскопия высокого разрешения
 

1.

 
Ускоряющее напряжение: до 300 кВ;
увеличение: до 1 млн. крат;
разрешение по точкам: 0.20 нм;
разрешение по линиям: 0.14 нм;
разрешение EDAX спектрометра: 160 эВ;
латеральное разрешение элементного анализа: 1.6 нм.
 
Оборудован системами сканирования, GATAN картирования изображений, спектроскопии потерь энергии электронов EELS и энергодисперсионным спектрометром EDAX для элементного анализа. Оснащен комплектом приставок для нагрева, охлаждения, деформации in situ.
 

2.

Просвечивающий электронный микроскоп Philips CM30 («FEI», Нидерланды), 1989 г.в.

Ускоряющее напряжение: до 300 кВ;
увеличение: до 750 тыс. крат;
разрешение по точкам: 0.20 нм;
разрешение по линиям: 0.14 нм;
разрешение EDAX спектрометра: 160 эВ.
 
Оборудован системой сканирования и энергодисперсионным спектрометром EDAX для элементного анализа.
 

3.

Просвечивающий электронный микроскоп JEM-200CX («JEOL Ltd», Япония), 1984 г.в.

Ускоряющее напряжение: до 200 кВ;
увеличение: до 650 тыс. крат;
разрешение по точкам: 0.30 нм; 
разрешение по линиям: 0.14 нм.
 
Микроскоп оснащен приставкой для охлаждения непосредственно в колоне микроскопа (in situ).
 

4.

Растровый  электронный микроскоп Quanta 200 («FEI», Нидерланды), 2005 г.в.

Ускоряющее напряжение: до 30 кВ;
увеличение: 20 – 160 тыс. крат;
разрешение: 5 нм;
разрешение EDAX: 160 эВ.
 
Оборудован системой PEGASUS (системой сканирования для формирования изображений в обратно отраженных и вторичных электронах, а также в характеристическом рентгеновском излучении, энергодисперсионным спектрометром EDAX для элементного анализа, системой EBSD для структурно-текстурного анализа), тремя вакуумными режимами, в том числе в газо-паровой среде для живых объектов, непроводящих образцов и изучения коррозии.
 
 
Магнитометрия (прецизионная, импульсная, вибрационная)
 

5.

Установка магнитометрическая (СКВИД – магнитометр) MPMS-5XL («Quantum Design», США), 1996 г.в.

Диапазон измерения магнитного момента: 10-8 – 300 Гс∙см3;
погрешность: ± 3%;
интервал рабочих температур: от 1.8 до 400 К;
погрешность: ± 0.5%.
 
Измерения в переменных полях:
диапазон частот: от 0.01 до 1000 Гц;
амплитуда: от 0.01 до 4 Э.
 

Измерение намагниченности, магнитной восприимчивости в постоянных и переменных полях.

6.

Комплексная система измерения физических свойств материалов PPMS-9 («Quantum Design», США), 2003 г.в.

Магнитометрия:
магнитное поле: до 90 кЭ;
температура: от 1.8 до 350 К.
 
Измерения в переменных магнитных полях:
частота: от 0.01 до 10000 Гц;
амплитуда: до 4 Э.
 
Теплоемкость:
масса образцов: ~ 20 мг;
температура: от 1.8 до 400 К.
 
Измерение намагниченности, магнитной восприимчивости в постоянных и переменных полях, электросопротивления, магнитосопротивления, теплоемкости.
 

7.

Вибрационный магнитометр на электромагните 7407 VSM («Lake Shore Cryotronics», США), 2012 г.в.

Чувствительность: 10–7 emu;
диапазон измерения магнитного момента: от 10–7 до 400 emu;
диапазон температур: от 5.5 до 1273 К;
напряженность магнитного поля: до 23 кЭ;
частота вибраций: 82 Гц;
амплитуда вибраций: 1.5 мм;
относительная погрешность измерений магнитного момента: не более 1%.
 

Измерение намагниченности, магнитной восприимчивости.

8.

Установка сильных импульсных магнитных полей (ИФМ УрО РАН, Россия), 2001 г.в.

Максимальная энергия батареи конденсаторов: 75 кДж;
максимальное напряжение: 3 кВ.
 
Соленоид из прочного композитного провода:
длительность импульса: 8 мс;
интервал температур: (4.2 – 320) К;
возможность измерения намагниченности, ее первой, второй производной по полю.
 

Установка для измерения намагниченности и ее производных в импульсных магнитных полях до 36 Тл (360 кЭ).

9.

Супермикровесы электронные SE2 («Sartorius», Германия), 2009 г.в.

Дискретность: 0.0001 мг;
наибольший предел взвешивания (НПВ): 2.1 г;
класс точности I, встроенная калибровка.
 

Поверка. Свидетельство о поверке № 937635 от 11.10.2017 г.

 
Дифрактометрия рентгеновская
 

10.

Рентгеновский дифрактометр Imp («PANalytica», Нидерланды), 2016 г.в.

 

Воспроизводимость установки угла: 0.0001°;
2Θ линейность: 0.004°;
шаг сканирования: от 0.0001;
стандартный радиус гониометра: 240 мм;
угловой диапазон: 360° без модулей, -111° < 2Θ < 168° в зависимости от модулей;
макс. скорость поворота: 15°/сек.
 
Идентификация фаз, в том числе в режиме «на просвет», количественный фазовый анализ. Определение аморфной компоненты; определение и уточнение параметров элементарной ячейки; малоугловое рассеяние; определение размеров кристаллитов и микронапряжений; анализ текстур и напряжений; высоко и низкотемпературные исследования (от 265 до 1250°С); изучение процессов кристаллизации и фазовых переходов при изменении температуры. Идентификация фаз в наноструктурах, измерение размеров наночастиц.
 
 
Механические испытания
 

11.

Универсальная испытательная машина Instron 5982 («Instron», Великобритания), 2010 г.в.
 
Максимальная нагрузка: 100 кН;
точность измерения нагрузки: ± 0.5% от измеряемой величины в диапазоне от 400 Н до 100 кН;
скорость испытания: от 0.001 до 500 мм/мин;
диапазон температур: от -100 до +1000°С; 
зона испытания: высота 1430 мм, ширина 575 мм.
 

Поверка. Свидетельство о поверке № 951499 от 22 ноября 2017 г.

12.

Испытательная машина АИМА 5-2 (7 штук) («ЗИП» Россия), 1987 г.в.

Диапазон нагрузок: от 5 до 3000 кгс; 
погрешность: ± 1%;
диапазон температур от 300 до 1000°С.
 
Измерения проводятся методом прямого нагружения.
 

13.

Установка для измерения механических свойств на наноуровне NanoTest-600 («Micro Materials Ltd», Великобритания), 2010 г.в.

 

Автоматизированная трехкоординатная платформа для образца с системой устранения люфта двигателей для обеспечения высокой воспроизводимости позиционирования.
Диапазон перемещения по осям X-Y-Z: 50x50x50 мм;
разрешение перемещений по осям: 0.05 мкм.
 
Узел индентирования:
разрешение в диапазоне нагрузок 0 – 0.5 Н: < 2∙10-8 Н;
глубина проникновения при нагрузке до 0.5 Н: 50 мкм;
разрешение по глубине при нагрузке до 0.5 Н: 0.001 нм.
 

 

 
Химико-аналитические исследования
 

14.

Спектрофотометр UV-mini-1240 («Shimadzu», Япония), 2005 г.в.

Спектральный диапазон от 190.0 до 1100.0 нм;
диапазон измерения спектральных коэффициентов пропускания от 0 до 100%;
предел допускаемой погрешности по шкале  длины волны ± 1.0 нм;
предел допускаемой абсолютной погрешности по коэффициенту пропускания  ± 1%.
 

 

15.

Спектрометр оптический с индуктивно-связанной плазмой параллельного действия ICPE9000 («Shimadzu», Япония), 2012 г.в.

Спектральный диапазон: от 167 до 800 нм;
предел обнаружения для Pb: не менее 0.005 мг/дм3;
предел допускаемого относительного СКО выходного сигнала (при содержании элементов, превышающем предел обнаружения в 100 и более раз, n = 5): 5%.
 

 

 
Оборудование криотехнологическое
 

16.

Установка для получения жидкого гелия LHeP18 («CRYOMEX», США), 2010 г.в.

Скорость производства жидкого гелия: 0.75 л/ч (18 л в сутки);
время выхода на рабочий режим: < 36 ч;
емкость накопительного гелиевого сосуда: 150 л;
мощность: 9.2 кВт;
масса: 463 кг.
 

 

17.

Гелиевый ожижитель («CRYOMEX», США), 2012 г.в.

Скорость производства жидкого гелия: 0.75 л/ч (18 л в сутки);
время выхода на рабочий режим: < 36 ч;
емкость накопительного гелиевого сосуда: 150 л;
мощность: 9.2 кВт;
масса: 463 кг.
 

 

 
Нейтронный материаловедческий комплекс ИФМ УрО РАН на реакторе ИВВ-2М (УНУ НМК ИФМ)
 

18.

 
Измерения кристаллической структуры, фазового состава и внутренних микронапряжений выполняются в интервале температур от 4.2 до 1000 К и магнитных полях до 1.2 Тл при внешнем гидростатическом давлении до 15 Кбар при температуре порядка 300 К.
 

ОП «Отдел работ на атомном реакторе (ОРАР)» г. Заречный.

19.

Комплекс "Многодетекторный дифрактометр для исследования монокристаллических образцов Д-7б" (ИФМ УрО РАН, Россия), 2000 г.в.

Исследование особенностей структурных превращений при реконструктивных переходах, исследование трансформаций   кристаллической структуры материалов при облучении быстрыми нейтронами.
Разрешение: 0.3%;
диапазон изменения температур: от 2.5 до 1000 К.
 

ОП «Отдел работ на атомном реакторе (ОРАР)» г. Заречный.

20.

Комплекс "Многоцелевой автоматизированный двухосный нейтронный дифрактометр высокого разрешения Д-3" (ИФМ УрО РАН, Россия), 2004 г.в.

Магнитная нейтронография. Малоугловое рассеяние нейтронов на высокопористых материалах.
Длина волны: 2.45 и 1.7 Å; 
угловое разрешение: 0.3 – 0.4%;
малоугловые эксперименты с минимальным q = 0.045 Å;
диапазон температур: 4.2 К – 1000 К;
гидростатическое давление: до 15 Кбар при Т ~ 300 К.
 

ОП «Отдел работ на атомном реакторе (ОРАР)» г. Заречный.

21.

Аппарат рентгеновский ДРОН-УМ-1 («ЛОМО», Россия), 1978 г.в.
 
Измерение методом рентгеновской дифракции кристаллической структуры и фазового состава материалов.
 
Приспособлен для исследования радиоактивных образцов.
 

22.

Вибрационный магнитометр "ВИБР" (ИФМ УрО РАН, Россия), 2003 г.в.

Исследование магнитных свойств материалов, в том числе облученных быстрыми нейтронами в интервале температур (5 – 300) К и магнитных полей (0 – 2) Тл.
 

Приспособлен для исследований радиоактивных образцов.

23.

Мёссбауэровский спектрометр с возможностью исследования высокорадиоактивных образцов (на базе спектрометра MS-1101) (ИФМ УрО РАН, Россия), 2017 г.в.
 
Исследование фазового состава и локальной структуры на уровне ближайших окружений атомов Fe.
 
Использование резонансного детектора позволяет проводить исследования радиоактивных образцов.
 
 
Центр технологий новых магнитных материалов (ЦТ НММ)
 
 
Отдел технологий и диагностики наноструктур
 
 
Технологическое оборудование
 

24.

 
Шлюзовой блок 12.2 м2;
блок литографии 43.6 м2 (класс чистоты ISO 7 по ГОСТ Р ИСО 14644);
блок технологии молекулярно-лучевой эпитаксии площадью 60.3 м2 (класс чистоты ISO 9);
блок комплексных нанотехнологий 120.5 м2 (класс чистоты ISO 9).
 

Используется для размещения технологического, литографического и аналитического оборудования.

25.

 
Камера загрузки, камера напыления диэлектриков (MgO), камера напыления металлов.
6 магнетронов на постоянном токе;
1 магнетрон на переменном токе (MgO);
1 магнетрон на переменном токе (для очистки поверхности подложки в камере загрузки);
остаточное давление: 6.7∙10-7 Па;
диаметр подложки: до 100 мм;
температура подложки до 500°С;
скорости осаждения металлов: 3 – 7 нм/мин.
 
Встроенный масс-спектрометр. Автоматизированный процесс прецизионного напыления многослойных наноструктур. Режим последовательного включения магнетронов.
 

26.

 
3 магнетрона "Torus 4" на переменном токе.
Диаметр мишеней: 100 мм;
остаточное давление: 2∙10-7 мбар;
температура подложки: до 150°С;
ионная пушка для очистки поверхности;
кварцевый толщиномер;
скорость осаждения металлов: до 30 нм/мин, диэлектриков (SiO2) – 5 нм/мин.
 

Напыление металлических и диэлектрических пленок, металлизация контактных площадок. Высокая скорость осаждения материалов Al, Cu, Cr, SiO2.

27.

Установка молекулярно-лучевой эпитаксии «Катунь-С» (Институт физики полупроводников СО РАН, Россия), 1991 г.в.
 
Камера роста: 5 испарительных ячеек с рабочей температурой до 1400°С, электронно-лучевой испаритель металлов и диэлектриков EFM 6 Omicron.
Диаметр подложки: до 100 мм;
температура подложки: до 1000°С;
титановый сублиматор;
остаточное давление: 5∙10-8 Па.
 
Автоматизированный процесс роста многослойных металлических  наноструктур, получение монокристаллических пленок.
 

28.

 
Остаточное давление: 2∙10-4 мбар;
кварцевый монитор толщины;
сменный модуль магнетронного распыления металлической мишени;
сменный модуль термического распыления металлов из лодочки;
сменный модуль испарения углеродных стержней.
 
Нанесение в вакууме металлических пленок, металлизация токопроводящих дорожек и контактных площадок.
 

29.

Установка контактной литографии MJB4 («Suss Micro Tec», Германия), 2009 г.в.
 
Минимальные размеры формируемых объектов: 0.5 микрон;
максимальный размер пластин: 100 мм;
точность совмещения изображений 1 мкм;
антивибрационный стол.
 

Засветка ультрафиолетовым светом фоторезиста с использованием масок в задачах контактной оптической литографии.

30.

 
Установка Sawatec LRD250 для проявления полупроводниковых пластин диаметром до 150 мм и вымывания резиста;
температурный столик HP-150;
максимальная температура 250°С;
центрифуга Sawatec SM 180 для нанесения резистов при скоростях вращения до 10000 об/мин;
диаметр пластин: до 150 мм.
 

Используется для выполнения  технологических операций литографии планарных микрообъектов.

31.

Установка ионного травления ProPlasma NGP 80 («Oxford Instruments ProPlasma Technology», Англия), 2015 г.в.
 
Реактивное ионное травление (RIE);
плазмохимическое травление (PE);
диаметр подложек от 10 до 200 мм.
 

Используется в технологическом цикле изготовления микроструктур из пленочных наноматериалов.

32.

Система подготовки сверхчистой воды («Millipore S.A.S», Франция), 2009 г.в.
 
Удельное сопротивление воды при 25°С: не менее 18 МОм·см;
содержание общего органического углерода: не более 30 мкг/л;
удаление кремния: не менее 99.9%;
средняя производительность: не менее 200 л/сутки.
 

Использование сверхчистой воды в технологическом цикле изготовления микрообъектов и промывки пластин.

33.

Установка микросварки HB-16 («TRT Wire bonder», Германия), 2008 г.в.

Полуавтоматический режим;
методы сварки: «клин-клин» и «шарик-клин»;
моторизованное перемещение по осям Y и Z;
мощность ультразвука: 0 – 5 Вт;
время разварки: 0 – 10 с;
усилие прижима: 5 – 150 г;
диаметр проволоки: 17 – 50 мкм;
угол подачи проволоки: 90°;
цветная камера и монитор для отображения видимого поля.
 

Создание проволочных выводов или перемычек в микросхемах методом ультразвуковой контактной сваркой.

 

34.

Установка для отжига образцов в высоком вакууме (ИФМ УрО РАН, Россия).
 
Остаточное давление: 5∙10-7 мбар;
максимальная температура 420°C;
широкодиапазонный вакуумный датчик;
диаметр пластин: до 50 мм.
 

Подготовка магнетронных мишеней, отжиг образцов.

 
Аналитическое оборудование
 

35.

 
Ускоряющее напряжение: от 200 В до 30 кВ;
увеличение: до 100000 крат;
базовое давление в рабочей камере 6·10-4 Па;
создание изображений микрообъектов при помощи программируемой засветки фоторезиста электронным пучком;
минимальный размер объектов: 0.05 мкм.
 
Используется для задач электронной микроскопии, рентгеновского микроанализа и выполнения операций электронной литографии. Оснащен энергодисперсионным рентгеновским спектрометром GENESIS APEX 2 EDS с системой APOLLO X SDD (EDAX Inc.), позволяющим проводить рентгеновский микроанализ массивных и пленочных материалов и определять элементы, начиная с бериллия.
 

36.

Комплекс для анализа модификации поверхности и определения толщины пленочных материалов New View 7300 («Zygolot», США), 2008 г.в.

Разрешение по Z оси: 1 Å;
разрешение в XY плоскости: 10 – 20 нм;
увеличение: х1, х10, х20, х50, х100;
антивибрационный стол.
 
Позволяет формировать 2D и 3D профили поверхности образцов и проводить анализ полученных изображений. Применяется для калибровки скоростей напыления материалов и измерений шероховатость подложек.
 

37.

Сканирующий зондовый микроскоп SOLVER NEXT («НТ МДТ», Зеленоград, Россия), 2014 г.в.
 
Оснащенный акустической камерой защиты. Позволяет в автоматическом режиме проводить установку АСМ и СТМ головок, юстировку оптической системы (кантилевер – лазер – фотодиод) и настройку режимов измерений в программном обеспечении.
 
Предназначен для широкого круга для научных исследований поверхности.
 

38.

Зондовая станция Cascade PM5 («Cascade Microtech GmbH», США), 2011 г.в.

4 манипулятора с магнитными адаптерами с коаксиальными руками для измерений на постоянном токе;
вольфрамовые иглы толщиной 7 мкм;
визуальный контроль за перемещением щупов при помощи микроскопа;
вакуумный прижим пластин размерами от 10х10 мм до 150 мм;
цветная камера и монитор;
антивибрационный стол.
 
Проведение с помощью иголок тестовых исследований проводящих свойств планарных микроструктур, сформированных литографическими методами.
 

39.

Рентгеновский дифрактометр Empyrian (PANalytica, Нидерланды), 2014 г.в.

 

Вертикально расположенный Θ – Θ, Θ – 2Θ гониометр высокого разрешения; рентгеновскими трубками PANalytical с анодами Cr, Cu, Co и Mo; сцинтилляционный (NaI), пропорциональный детектор, наполненный газом Xe, и твердотельный трехмерный многоцелевой детектор PIXcel3D; низкотемпературная (-100 до 350°C) и высокотемпературная (до 1100°С) камеры. 
 
Оптимизирован для исследований тонких пленок и многослойных наноструктур. Позволяет решать широкий круг задач рентгеноструктурного анализа.
 
 
Сектор прецизионной металлургии ЦТ НММ
 
 
Технологическое оборудование
 

40.

 
Зонная очистка металлов и сплавов лт примесей и получение монокристаллов тугоплавких металлических материалов.
 

 

41.

Электропечь индукционная ТСВ-0,004ПИ-ИСП.МН (ВНИИЭТО, Москва), 1970 г.в.
 
Мощность: 52 кВт; f – 8000  Гц; для выплавки и литья слитков металлов и сплавов в инертной и вакуумной среде массой до 2.5 кг.
 

 

42.

Молот ковочный пневматический М4127 (ОАО Астраханский машиностроительный завод, АкМа, Россия), 1990 г.в.
 
Деформация металлов и сплавов при различных температурах. Вес падающих частей: 50 кг.
 

 

43.

Трехдуговая печь ТА-200 для выплавки сплавов в атмосфере инертного газа и выращивания монокристаллов по методу Чохральского, 2006 г.в.
 
Температура расплава: до 3000°С;
источник питания: 400 А, 24 кВт;
три дуги обеспечивают равномерный прогрев расплава;
атмосфера инертного газа с системой очистки;
сервомотор для перемещения затравочного монокристалла;
обеспечение однородности – система вращения расплава и затравки во время роста.
 

 

44.

Электроэрозионный станок ДК7720Н02, 2018 г.в.

Размер стола: 520x280 мм;
Перемещения стола: 350x250 мм;
максимальная толщина реза: 230 мм;
стандартный угол наклона: ±3°;
опциональный угол;
макс. вес заготовки: 250 кг;
точность позиционирования: 0.015/300 мм;
повторяемость: 0.01 мм;
скорость проволоки: 11.5 м/с;
лучшая шероховатость: 0.8 – 1.6 Ra·мкм;
питание: три фазы 380 В/50 Гц;
вес станка: 1350 кг.
 

 

 
Суперкомпьютерный центр дизайна перспективных материалов (СКЦ)
 

45.

Универсальный программный комплекс AMULET – Advanced Materials simULation Ekaterinburg’s Toolbox.
 
Полностью распараллеленный пакет программ для вычисления электронных, магнитных и структурных свойств соединений из первых принципов. В первую очередь предназначен для исследования сильно коррелированных соединений с частично заполненной d или f оболочкой. Позволяет исследовать температурные зависимости различных свойств. Корректно описывает вырожденные состояния. Позволяет выполнять вычисления для сильно коррелированных сплавов в зависимости от концентрации компонент.
 
Использует теорию динамического среднего поля (DMFT – dynamical mean field theory) для описания сильно коррелированных состояний. Имеет интерфейс взаимодействия с VASP, Quantum Espresso, ELK и Wannier90.
 

46.

Программный комплекс Yeti.

Реализация в компьютерных кодах метода когерентного потенциала для расчета электронной структуры и магнитных свойств соединений, сплавов и/или нестехиометрических твёрдых растворов с наличием неупорядоченных примесей,
характеризующихся непренебрежимыми статическими электронными корреляциями и спин-орбитальным взаимодействием. Тип примеси – замещения или внедрения, в том числе вакансии. Количество примесей в каждом узле неограничено. И примесь, и узлы, замещаемые примесью, могут быть коррелированными. Спин-орбитальное взаимодействие в  и оболочках атомов может быть учтено.
 

Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2015619063. Использует расчетную схему DMFT для реализации идеи метода когерентного потенциала. Имеет интерфейс взаимодействия с TB-LMTO.

47.

Высокопроизводительный вычислительный кластер.

Состоит из 21 узла 2 CPU Intel Xeon E5-2650 v2 2.6 GHz 32 Gb RAM, 7 узлов 2 CPU Intel Xeon E5-2630 2.3 GHz 64 Gb RAM, 10 узлов 2 CPU Intel Xeon E5-2630 v4 2.6 GHz 64 Gb RAM, с общим числом потоков – 1240, емкость доступного для пользователей дискового пространства 8 Tb.
 

 

 

2. Перечень оборудования, которое может быть включено в перечень оборудования   ФТИК при наличии запроса со стороны руководителей проектов
 
 
Оборудование спектральных методов исследований веществ и материалов
 

48.

Модернизированный фазокогерентный импульсный ЯМР-спектрометр с квадратурным детектированием сигнала («Bruker», Германия), 2008 г.в.
 
Диапазон рабочих частот: 12 – 620 МГц;
диапазон магнитных полей: 0 – 9.4 Тл;
рабочий диапазон температур: 1.5 – 550 K.
 

 

49.

ЯМР-спектрометр (соленоид  9.4 Тл) («Bruker», Германия).

Диапазон рабочих частот: 12 – 230 МГц;
постоянное магнитное поле: 11.75 Тл;
рабочий диапазон температур: 10 – 950 К;
возможность использования методики вращения под магическим углом (MAS), частота вращения: до 24 кГц.
 

 

 
Иное оборудование
 

50.

Установка микрофокусного Мандельштам-Бриллюеновского рассеяния света (МБРС), 2015 г.в.
 
 
Спектральный диапазон: от 0.5 ГГц до 1 ТГц;
разрешение: до 1 МГц;
контраст относительно упругого рассеяния: 1012;
разрешение по волновому вектору: от 0 до 2.4x104 см-1;
пространственное разрешение: ~ 260 нм;
временное разрешение: ~ 1 нс.
 
Для изучения распространения спиновых волн, определения законов дисперсии, затухания в магнитных пленках и наноструктурах.
 

51.

Установка для синтеза монокристаллов методом зонной плавки УРН-2-3П, 2006 г.в.

Мощность источника света: 3 кВт;
средняя плотность светового потока: 500 Вт/см2;
максимальная температура объекта в кристаллизационной камере: 3000°С;
максимальная температура отжига кристаллов: 1200°С;
стабильность температуры: 0.1°С;
скорость выращивания: (0 – 30) мм/час;
максимальный диаметр выращиваемого кристалла: 15 мм;
максимальная длина выращиваемого кристалла: 100 мм;
возможна работа в потоке газа: кислорода, аргона, углекислого газа.
 
Для выращивания монокристаллов оксидов тугоплавких металлов, полупроводников, магнитных полупроводников.