4) On the issue of universality of critical exponents in the quantum Hall effect mode / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, E. V. Deryushkina¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin². – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2019. — V. 45. — P. 181—188.

5) Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs / Гудина С.В.¹, Арапов Ю.Г.¹, Ильченко Е.В.¹, Неверов В.Н.¹, Савельев А.П.¹, Подгорных С.М.², Шелушинина Н.Г.¹, Якунин М.В.², Васильевский И.С.⁰, Виниченко А.Н.⁰. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2018. — V. 52. — P. 1447—1455.

6) Эффективная масса и g-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути / С.В. Гудина¹, В.Н. Неверов¹, Е.В. Ильченко¹, А.С. Боголюбский¹, Г.И. Харус¹, Н.Г. Шелушинина¹, С.М. Подгорных², М.В. Якунин², Н.Н. Михайлов⁰, С.А. Дворецкий⁰. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2018. — V. 52. — P. 16—22.

7) Electron Effective Mass and g Factor in Wide HgTe Quantum Wells / S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, E. V. Ilchenko¹, A. S. Bogolubskii¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, S. M. Podgornykh¹, M. V. Yakunin¹, N. N. Mikhailov¹, S. A. Dvoretsky¹. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2018. — V. 52. — P. 12—18.

8) Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures / S. V. Gudina¹, Yu. G. Arapov¹, E. I. Ilchenko¹, V. N. Neverov¹, A. P. Savelyev¹, S. M. Podgornykh², N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin², I. S. Vasil’evskii⁰, A. N. Vinichenko⁰. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2018. — V. 52. — P. 1551—1558.

9) Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure / S.V. Gudina¹, V.N. Neverov¹, E.G. Novik¹, E.V. Ilchenko¹, G.I. Harus¹, N.G. Shelushinina¹, S.M. Podgornykh¹, M.V. Yakunin¹, N.N. Mikhailov¹, S.A. Dvoretsky¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2017. — V. 43. — P. 605—611.

10) Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure / S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, E. G. Novik¹, E. V. Ilchenko¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, S. M. Podgornykh¹, M. V.Yakunin¹, N. N. Mikhailov¹, S. A. Dvoretsky¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2017. — V. 43. — P. 485—490.

4) Ю.Г.Арапов. Квантовый эффект Холла в условиях смешивания уровней Ландау из-за спин-орбитального взаимодействия в нано-структурах n-In0.9Ga0.1As/In0.81Al0.19As [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), Екатеринбург-Алапаевск, 19-24 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 78 c.

5) С.В.Гудина. Роль спин-орбитального взаимодействия в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 12-15 марта, ISBN: Труды конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского госун-та.- 576 c.

6) Е.В.Ильченко. Влияние спин-орбитального взаимодействия на критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAiAs [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), Москва-Ростов-на-Дону-Шепси, 17-22 сентября, ISBN: Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования.- 94 c.

7) Ю.Г.Арапов. Аномалии квантового эффекта Холла при перекрытии уровней Ландау в структурах n-In0,90Ga0,10As/In0,81Al0,48As с сильным спин-орбитальным взаимодействием [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), Москва-Ростов-на-Дону-Шепси, 17-22 сентября, ISBN: Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования.- 132 c.

8) S.V.Gudina. Large-scale impurity potential in the HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect [Текст] / S.V.Gudina, E.V.Ilchenko, V.N.Neverov, M.R.Popov, S.M.Podgornykh, N.G.Shelushinina, E.G.Novik, M.V.Yakunin, N.N.Mikhailov, S.A.Dvoretsky // 26th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Minsk, 18-22 июня, ISBN: Тез. не издавались.- 2 c.

9) Ю.Г.Арапов. Квантовые фазовые переходы в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs со спин-вырожденными уровнями Ландау [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург, 2-6 октября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 165 c.

10) Е.В.Ильченко. Эффекты локализации в квантующих магнитных полях в квантовых ямах HgTe [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург, 2-6 октября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 185 c.

11) Е.В. Ильченко. Скейлинг проводимости в условиях смешивания уровней Ландау в структурах n-InGaAs/InAlAs с сильным спин-орбитальным взаимодействием [Текст] / Е.В. Ильченко, С.В. Гудина // XIX Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 27 ноября – 1 декабря, ISBN: Тез.докл.-Санкт-Петербург:Изд-во Политехнического ун-та.- 46 c.

12) Е.В.Ильченко. Ширина полосы делокализованных состояний в режиме квантового эффекта Холла в структурах n-InGaAs/AlInAs со спин-вырожденными уровнями Ландау [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XVIII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-18), Екатеринбург, 16-23 ноября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 95 c.

13) С.В.Гудина. Плотность состояний в щели подвижности в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе Hg/Te [Текст] / С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XXI Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 13-16 марта, ISBN: Матер.конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та.- 569 c.

14) С.В.Гудина. Анализ активационной проводимости в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе теллурида ртути [Текст] / С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, С.М.Подгорных, М.В.Якунин, E.G.Novik, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XXI Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 13-16 марта, ISBN: Матер.конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та.- 571 c.

15) С.В.Гудина. Квантовые фазовые переходы в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs со спин-вырожденными уровнями Ландау [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», Москва, 24 мая, ISBN: Сб.трудов-Москва:НИЯУ МИФИ.- 14 c.

16) S.V.Gudina. Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure [Текст] / S.V.Gudina, E.V.Ilchenko, V.N.Neverov, E.G.Novik, S.M.Podgornykh, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin, N.N.Mikhailov, S.A.Dvoretsky // 25th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, 26-30 июня, ISBN: Труды конф-St. Petersburg:Acad.Univ.Publ.- 95 c.

17) С.В.Гудина. Критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе теллурида ртути [Текст] / С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // Международная конференция «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах», Махачкала, 6-9 сентября, ISBN: Сб. трудов.-Махачкала:Ин-т физики Дагестанского науч.центра РАН.- 143 c.

18) С.В.Гудина. Критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структуре HgTe/CdHgTe с двойной квантовой ямой [Текст] / С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург, 2-6 октября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 174 c.

19) С.В.Гудина. Переходы плато-плато квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург, 2-6 октября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 209 c.

20) Е.В. Ильченко. Активационная проводимость в режиме квантового эффекта Холла в квантовой яме HgTe с инвертированной зонной структурой [Текст] / Е.В. Ильченко, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // XVII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-17), Екатеринбург, 15-22 ноября, ISBN: Тез.докл-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 106 c.