Govorkova Tat'yana Evgen'yevna

PhD (Physics and Mathematics)

Senior researcher (Laboratory of Semiconductors and Semimetals )


Contact information:
Phone.: 378-37-90
Email: Govorkova@imp.uran.ru

Scientometric data (as of 20.08.2024):
Web of Science: h-index - 7; Sum of the Times Cited - 155
SCIENCE INDEX: h-index - 10; Sum of the Times Cited - 320
Personal pages of the author in the systems: Researcher ID, ORCID, SCIENCE INDEX





Papers

1) Structural phase transition in crystalline HgSe: Low-temperature and high-pressure Raman spectroscopic investigation [Текст] / N. Kumar, Swayam Kesari, S.N. Krylova, Rekha Rao, N.V. Surovtsev, D.V. Ishchenko, S.V. Pryanichnikov, T.E. Govorkova, S.B. Bobin, A.T. Lonchakov, V.A. Golyashov, O.E. Tereshchenko // Journal of Physics and Chemistry of Solids. — 2025. — V. 207. — P. 112977 (11 pages)

2) Температурная стабильность ферромагнетизма нового типа в бесщелевом разбавленном магнитном полупроводнике Hg1−xFexSe (x = 0.009 at.%) с экстремально низкой концентрацией примесей железа [Текст] / Т.Е. Говоркова, А.А. Ваулин, М.Р. Попов, В.И. Окулов // Физика твёрдого тела. — 2024. — V. 66. — P. 2236 (11 pages)

3) Critical thickness and stresses of HgTe layers on HgxCd1−xTe substrates [Текст] / S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, R.V. Menshikov, V.I. Okulov, T.E. Govorkova // Physics of the Solid State. — 2024. — V. 66. — P. 197 (6 pages)


Reports

1) Т.Е.Говоркова, Высокотемпературный ферромагнетизм нового типа в разбавленных магнитных полупроводниках: роль гибридизации примесных электронных состояний [Текст] / Т.Е.Говоркова, В.И.Окулов, А.А.Ваулин, В.С.Гавико, В.Т.Суриков // XVI Росс. конф. по физике полупроводников, 11.10.2024, 2024 / ISSN:978-5-93634-074-5, Тезисы докладов, СПб.: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2024

2) С.А.Дворецкий, Критическая толщина и напряжения слоев HgTe на подложках (013)Cd1-xHgxTe/ZnTe/GaAs [Текст] / С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, Р.В.Меньщиков, В.И.Окулов, Т.Е.Говоркова, Е.А.Кравцов, В.О.Васьковский // XXVIII Межд. симп. «Нанофизика и наноэлектроника», 15.03.2024, 2024 / Труды, Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024, ISBN 978-5-8048-0124-4

3) С.А.Дворецкий, Критическая толщина и напряжения слоев HgTe на подложках (013) HgxCd1-xTe/ZnTe/GaAs [Текст] / С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, Р.В.Меньщиков, В.И.Окулов, Т.Е.Говоркова // XXV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2024), 17.02.2024, 2024 / Тезисы докладов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2024, ISBN 978-5-6045774-9-3